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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 1,329

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Fabricante = STMicroelectronics

Tecnología

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 800V-3.8ohms Zener SuperMESH 2.5A

STD3NK80Z-1
STMicroelectronics
1: S/11.44
3,422En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD3NK80Z-1

N.º de artículo de Mouser
511-STD3NK80Z-1

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 800V-3.8ohms Zener SuperMESH 2.5A

Hoja de datos

3,422En existencias

S/11.44

S/4.73

S/4.39

S/4.02

S/3.83

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

800 V

2.5 A

4.5 Ohms

- 30 V, 30 V

4.5 V

19 nC

- 55 C

+ 150 C

70 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 950V 2Ohm typ 3.5A Zener-protected

STD5N95K5
STMicroelectronics
1: S/10.36
4,380En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD5N95K5

N.º de artículo de Mouser
511-STD5N95K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 950V 2Ohm typ 3.5A Zener-protected

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Hoja de datos

4,380En existencias

Cinta cortada

S/10.36

S/6.67

S/4.56

S/3.62

S/3.51

Envase tipo carrete

S/3.31

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

950 V

3.5 A

2 Ohms

- 30 V, 30 V

4 V

12.5 nC

- 55 C

+ 150 C

70 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.162 Ohm 17A MDmesh II PWR

STF23NM50N
STMicroelectronics
1: S/21.54
878En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF23NM50N

N.º de artículo de Mouser
511-STF23NM50N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.162 Ohm 17A MDmesh II PWR

Obtenga más información

Hoja de datos

878En existencias

S/21.54

S/11.74

S/11.14

S/10.97

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

17 A

190 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 V 2.1 mOhm 180 A STripFET

STH310N10F7-6
STMicroelectronics
1: S/27.99
1,254En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STH310N10F7-6

N.º de artículo de Mouser
511-STH310N10F7-6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 V 2.1 mOhm 180 A STripFET

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1,254En existencias

Cinta cortada

S/27.99

S/18.83

S/13.76

S/13.72

Envase tipo carrete

S/12.81

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

100 V

180 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

180 nC

- 55 C

+ 175 C

315 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel 80 V, 5.6 mOhm typ., 95 A, STripFET F7 Power MOSFET in a Po

STL105N8F7AG
STMicroelectronics
1: S/11.09
1,873En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL105N8F7AG

N.º de artículo de Mouser
511-STL105N8F7AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel 80 V, 5.6 mOhm typ., 95 A, STripFET F7 Power MOSFET in a Po

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Hoja de datos

1,873En existencias

Cinta cortada

S/11.09

S/6.97

S/4.90

S/3.94

S/3.83

Envase tipo carrete

S/3.67

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-8

N-Channel

1 Channel

80 V

95 A

6.5 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

46 nC

- 55 C

+ 175 C

127 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.350 Ohm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6

STL13N60DM2
STMicroelectronics
1: S/11.95
3,195En existencias
3,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
STL13N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STL13N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.350 Ohm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6

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3,195En existencias

3,000En pedido

Cinta cortada

S/11.95

S/7.74

S/5.33

S/4.39

S/4.30

Envase tipo carrete

S/4.01

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

1 Channel

600 V

8 A

350 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

19 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 1.68 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET

STL190N4F7AG
STMicroelectronics
1: S/11.70
2,190En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL190N4F7AG

N.º de artículo de Mouser
511-STL190N4F7AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 1.68 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET

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Hoja de datos

2,190En existencias

Cinta cortada

S/11.70

S/7.48

S/5.12

S/4.24

S/3.62

Envase tipo carrete

S/3.56

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

1.68 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

41 nC

- 55 C

+ 175 C

127 W

Enhancement

AEC-Q101

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 3.7Ohm typ 2A Zener-protected

STL2N80K5
STMicroelectronics
1: S/6.49
5,413En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL2N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STL2N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 3.7Ohm typ 2A Zener-protected

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Hoja de datos

5,413En existencias

Cinta cortada

S/6.49

S/4.24

S/2.96

S/2.37

S/2.16

Envase tipo carrete

S/1.98

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

1 Channel

800 V

2 A

3.7 Ohms

- 30 V, 30 V

4 V

3 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 31 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV

STL47N60M6
STMicroelectronics
1: S/27.13
1,923En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL47N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STL47N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 31 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV

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Hoja de datos

1,923En existencias

Cinta cortada

S/27.13

S/18.23

S/13.20

S/13.16

S/12.69

Envase tipo carrete

S/12.30

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-8x8-5

N-Channel

1 Channel

600 V

31 A

80 mOhms

- 25 V, 25 V

3.25 V

57 nC

- 55 C

+ 150 C

189 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30 V 0.021 Ohm 6 A STripFET VI DG

STL6N3LLH6
STMicroelectronics
1: S/3.96
9,677En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL6N3LLH6

N.º de artículo de Mouser
511-STL6N3LLH6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30 V 0.021 Ohm 6 A STripFET VI DG

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Hoja de datos

9,677En existencias

Cinta cortada

S/3.96

S/2.46

S/1.60

S/1.23

Envase tipo carrete

S/1.02

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-2x2-6

N-Channel

1 Channel

30 V

6 A

40 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

3.6 nC

- 55 C

+ 150 C

2.4 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 18A Mosfet PowerFLAT STripFET V

STL70N4LLF5
STMicroelectronics
1: S/8.34
4,461En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL70N4LLF5

N.º de artículo de Mouser
511-STL70N4LLF5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 18A Mosfet PowerFLAT STripFET V

Hoja de datos

4,461En existencias

Cinta cortada

S/8.34

S/5.33

S/3.59

S/2.85

S/2.61

Envase tipo carrete

S/2.49

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

1 Channel

40 V

18 A

6.1 mOhms

- 22 V, 22 V

1 V

13 nC

- 55 C

+ 175 C

72 W

Enhancement

AEC-Q100

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.027 Ohm typ., 7 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3

STL7N10F7
STMicroelectronics
1: S/6.54
4,033En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL7N10F7

N.º de artículo de Mouser
511-STL7N10F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.027 Ohm typ., 7 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3

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Hoja de datos

4,033En existencias

Cinta cortada

S/6.54

S/3.92

S/2.75

S/2.15

S/1.97

Envase tipo carrete

S/1.76

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-3.3x3.3-8

N-Channel

1 Channel

100 V

7 A

35 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

14 nC

- 55 C

+ 150 C

2.9 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 1.00 Ohm typ., 5.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a SOT223-2 packa

STN6N60M2
STMicroelectronics
1: S/4.30
7,979En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STN6N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STN6N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 1.00 Ohm typ., 5.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a SOT223-2 packa

Obtenga más información

Hoja de datos

7,979En existencias

Cinta cortada

S/4.30

S/2.60

S/1.75

S/1.35

Ver

Envase tipo carrete

S/0.985

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 4,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

600 V

5.5 A

1.2 Ohms

- 25 V, 25 V

4 V

6.2 nC

- 55 C

+ 150 C

6 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 10.5A Zener SuperMESH

STP12NK80Z
STMicroelectronics
1: S/19.74
1,259En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP12NK80Z

N.º de artículo de Mouser
511-STP12NK80Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 10.5A Zener SuperMESH

Obtenga más información

Hoja de datos

1,259En existencias

S/19.74

S/10.49

S/9.16

S/8.26

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

10.5 A

750 mOhms

- 30 V, 30 V

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 0.0031 Ohm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in TO-220 package

STP140N6F7
STMicroelectronics
1: S/11.40
6,632En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP140N6F7

N.º de artículo de Mouser
511-STP140N6F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 0.0031 Ohm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in TO-220 package

Obtenga más información

Hoja de datos

6,632En existencias

S/11.40

S/5.55

S/4.99

S/4.16

S/3.91

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

80 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

40 nC

- 55 C

+ 175 C

110 W

Enhancement

STripFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.19 Ohm 19.5 A MDmesh K5

STP25N80K5
STMicroelectronics
1: S/21.89
718En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP25N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STP25N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.19 Ohm 19.5 A MDmesh K5

Obtenga más información

Hoja de datos

718En existencias

S/21.89

S/12.34

S/11.27

S/10.19

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

19.5 A

260 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0 120 Ohm typ 24 A

STP28NM60ND
STMicroelectronics
1: S/25.67
990En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP28NM60ND

N.º de artículo de Mouser
511-STP28NM60ND

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0 120 Ohm typ 24 A

Obtenga más información

Hoja de datos

990En existencias

S/25.67

S/13.33

S/12.51

S/11.40

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

23 A

150 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

62.5 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 85 mOhm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package

STP36N60M6
STMicroelectronics
1: S/25.50
976En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP36N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STP36N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 85 mOhm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package

Obtenga más información

Hoja de datos

976En existencias

S/25.50

S/14.71

S/13.76

S/12.60

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

30 A

85 mOhms

- 25 V, 25 V

3.25 V

44.3 nC

- 55 C

+ 150 C

208 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900 Volt 8.0 A Zener SuperMESH

STP9NK90Z
STMicroelectronics
1: S/21.54
1,885En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP9NK90Z

N.º de artículo de Mouser
511-STP9NK90Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900 Volt 8.0 A Zener SuperMESH

Obtenga más información

Hoja de datos

1,885En existencias

S/21.54

S/9.46

S/9.03

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

900 V

8 A

1.3 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

72 nC

- 55 C

+ 150 C

160 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 6 Ohm typ., 1.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in an IPAK package

STU2N105K5
STMicroelectronics
1: S/9.16
5,873En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STU2N105K5

N.º de artículo de Mouser
511-STU2N105K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 6 Ohm typ., 1.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in an IPAK package

Obtenga más información

Hoja de datos

5,873En existencias

S/9.16

S/4.21

S/3.80

S/3.45

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

1.05 kV

1.5 A

8 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

10 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 1000 Volt 13A Zener SuperMESH

STW13NK100Z
STMicroelectronics
1: S/52.42
681En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW13NK100Z

N.º de artículo de Mouser
511-STW13NK100Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 1000 Volt 13A Zener SuperMESH

Obtenga más información

Hoja de datos

681En existencias

S/52.42

S/31.69

S/29.46

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

13 A

700 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

190 nC

- 55 C

+ 150 C

350 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 950 V, 0.120 Ohm typ., 38 A MDmesh DK5 Power MOSFET in a TO-247 packag

STW40N95DK5
STMicroelectronics
1: S/65.70
692En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW40N95DK5

N.º de artículo de Mouser
511-STW40N95DK5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 950 V, 0.120 Ohm typ., 38 A MDmesh DK5 Power MOSFET in a TO-247 packag

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692En existencias

S/65.70

S/40.25

S/39.26

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

950 V

38 A

120 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

100 nC

- 55 C

+ 150 C

450 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.055 Ohm 39A Mdmesh II

STW48NM60N
STMicroelectronics
1: S/39.78
1,042En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW48NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STW48NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.055 Ohm 39A Mdmesh II

Hoja de datos

1,042En existencias

S/39.78

S/23.35

S/20.21

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

39 A

70 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

124 nC

- 55 C

+ 150 C

255 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5

STW57N65M5
STMicroelectronics
1: S/44.98
496En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW57N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STW57N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5

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496En existencias

S/44.98

S/28.85

S/23.35

S/23.31

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

42 A

63 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

98 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.031Ohm typ. 68A MDmesh M2

STW70N60M2
STMicroelectronics
1: S/41.45
613En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW70N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STW70N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.031Ohm typ. 68A MDmesh M2

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613En existencias

S/41.45

S/24.42

S/21.80

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

68 A

30 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

118 nC

- 55 C

+ 150 C

450 W

Enhancement

MDmesh

Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

ACEPACK SMIT-9
D2PAK-3 (TO-263-3)
DPAK-3 (TO-252-3)
H2PAK-2
H2PAK-3
H2PAK-6
H2PAK-7
HU3PAK-7
I2PAK-3
IPAK-3
ISOTOP-4
Max247-3
PowerFLAT-2x2-6
PowerFLAT-3.3x3.3-8
PowerFLAT-3.3x3.3-HV-8
PowerFLAT-4
PowerFLAT-5
PowerFLAT-5x5-12
PowerFLAT-5x6-4
PowerFLAT5x6-8

20 V
24 V
30 V
33 V
40 V
45 V
55 V
60 V
65 V
68 V
70 V
75 V
80 V
100 V
120 V
200 V
250 V
300 V
330 V
400 V

250 mA
300 mA
400 mA
430 mA
500 mA
600 mA
1 A
1.2 A
1.4 A
1.5 A
1.8 A
1.85 A
2 A
2.1 A
2.2 A
2.3 A
2.4 A
2.5 A
2.6 A
2.7 A

800 uOhms
1 mOhms
1.1 mOhms
1.15 mOhms
1.2 mOhms
1.27 mOhms
1.3 mOhms
1.6 mOhms
1.68 mOhms
1.7 mOhms
2 mOhms
2.1 mOhms
2.15 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.7 mOhms
2.8 mOhms

700 mV
800 mV
1 V
1.5 V
1.7 V
2 V
2.25 V
2.3 V
2.5 V
3 V
3.2 V
3.25 V
3.5 V
3.75 V
3.8 V
4 V
4.2 V
4.5 V
4.75 V
5 V

900 pC
2.63 nC
3 nC
3.4 nC
3.6 nC
3.7 nC
4 nC
4.5 nC
4.6 nC
4.8 nC
4.9 nC
5 nC
5.3 nC
5.4 nC
5.7 nC
6 nC
6.2 nC
6.4 nC
6.5 nC
6.9 nC

321 mW
350 mW
1.6 W
2 W
2.4 W
2.5 W
2.6 W
2.7 W
2.8 W
2.9 W
3 W
3.1 W
3.2 W
3.3 W
4.8 W
5 W
6 W
20 W
21 W
22 W