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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Fabricante = STMicroelectronics

Tecnología

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 30 V, 2 mOhm typ., 80 A, STripFET H6 Power MOSFET in DPAK package

STD80N3LL
STMicroelectronics
1: S/4.13
4,372En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD80N3LL

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511-STD80N3LL

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 30 V, 2 mOhm typ., 80 A, STripFET H6 Power MOSFET in DPAK package

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4,372En existencias

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S/4.13

S/2.89

S/2.12

S/1.76

S/1.61

Envase tipo carrete

S/1.49

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

30 V

80 A

5.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

18 nC

- 55 C

+ 175 C

75 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 30 V

STD86N3LH5
STMicroelectronics
1: S/7.40
3,796En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD86N3LH5

N.º de artículo de Mouser
511-STD86N3LH5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 30 V

Hoja de datos

3,796En existencias

Más información disponible

Cinta cortada

S/7.40

S/4.69

S/3.14

S/2.48

S/2.26

Envase tipo carrete

S/2.09

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

30 V

80 A

5 mOhms

- 22 V, 22 V

1 V

14 nC

- 55 C

+ 175 C

70 W

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.76 Ohm 6A MDmesh K5

STD8N80K5
STMicroelectronics
1: S/13.12
3,856En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD8N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STD8N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.76 Ohm 6A MDmesh K5

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3,856En existencias

Cinta cortada

S/13.12

S/8.51

S/5.89

S/4.95

S/4.77

Envase tipo carrete

S/4.64

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

6 A

950 mOhms

- 30 V, 30 V

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16.5 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40 Volt 80 Amp

STD95N4LF3
STMicroelectronics
1: S/10.23
2,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD95N4LF3

N.º de artículo de Mouser
511-STD95N4LF3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40 Volt 80 Amp

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2,000En existencias

Cinta cortada

S/10.23

S/6.49

S/4.52

S/3.59

S/3.52

Envase tipo carrete

S/3.24

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

80 A

5 Ohms

- 16 V, 16 V

1 V

70 nC

- 55 C

+ 175 C

110 W

Enhancement

AEC-Q100

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 48 Amp

STE48NM50
STMicroelectronics
1: S/122.68
111En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STE48NM50

N.º de artículo de Mouser
511-STE48NM50

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 48 Amp

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111En existencias

S/122.68

S/89.74

S/89.70

S/87.29

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

ISOTOP-4

N-Channel

1 Channel

500 V

48 A

100 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

117 nC

- 65 C

+ 150 C

450 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 53 Amp

STE53NC50
STMicroelectronics
1: S/163.40
162En existencias
300En pedido

N.º de artículo del Fabricante
STE53NC50

N.º de artículo de Mouser
511-STE53NC50

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 53 Amp

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162En existencias

300En pedido

S/163.40

S/133.56

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

ISOTOP-4

N-Channel

1 Channel

500 V

53 A

80 mOhms

- 30 V, 30 V

2 V

434 nC

- 65 C

+ 150 C

460 W

Enhancement

PowerMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 70 Amp

STE70NM60
STMicroelectronics
1: S/244.07
41En existencias
60En pedido

N.º de artículo del Fabricante
STE70NM60

N.º de artículo de Mouser
511-STE70NM60

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 70 Amp

Hoja de datos

41En existencias

60En pedido

S/244.07

S/200.72

S/178.02

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

ISOTOP-4

N-Channel

1 Channel

600 V

70 A

55 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

266 nC

- 65 C

+ 150 C

600 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh M2

STF10N60M2
STMicroelectronics
1: S/7.87
3,740En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF10N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STF10N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh M2

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3,740En existencias

S/7.87

S/3.76

S/3.36

S/2.66

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

7.5 A

560 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

13.5 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 0.65Ohm typ 8A Zener-protect

STF10N95K5
STMicroelectronics
1: S/15.48
1,081En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF10N95K5

N.º de artículo de Mouser
511-STF10N95K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 0.65Ohm typ 8A Zener-protect

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1,081En existencias

S/15.48

S/7.83

S/7.10

S/5.85

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

950 V

8 A

800 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 V 0.37 Ohm 12 A Zener-protect

STF13N80K5
STMicroelectronics
1: S/18.79
1,945En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF13N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STF13N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 V 0.37 Ohm 12 A Zener-protect

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1,945En existencias

S/18.79

S/9.72

S/8.82

S/7.57

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

12 A

370 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

29 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 11A MDMESH Power MDmesh

STF13NM60N
STMicroelectronics
1: S/21.80
692En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF13NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STF13NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 11A MDMESH Power MDmesh

Hoja de datos

692En existencias

S/21.80

S/11.57

S/10.36

S/8.90

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

11 A

360 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

27 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.135 Ohm MDmesh II Power MO

STF28NM50N
STMicroelectronics
1: S/32.25
992En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF28NM50N

N.º de artículo de Mouser
511-STF28NM50N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.135 Ohm MDmesh II Power MO

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Hoja de datos

992En existencias

S/32.25

S/17.63

S/16.17

S/15.39

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

21 A

158 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

50 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 2.5Amp Zener SuperMESH

STF3NK80Z
STMicroelectronics
1: S/12.04
1,716En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF3NK80Z

N.º de artículo de Mouser
511-STF3NK80Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 2.5Amp Zener SuperMESH

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Hoja de datos

1,716En existencias

S/12.04

S/6.28

S/5.50

S/4.52

S/3.86

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

2.5 A

4.5 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

19 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220FP packag

STF43N60DM2
STMicroelectronics
1: S/23.74
1,081En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF43N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STF43N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220FP packag

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Hoja de datos

1,081En existencias

S/23.74

S/13.03

S/11.91

S/10.88

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

34 A

93 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

56 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5

STF57N65M5
STMicroelectronics
1: S/43.00
1,996En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF57N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STF57N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5

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Hoja de datos

1,996En existencias

S/43.00

S/23.87

S/22.62

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

42 A

63 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

98 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 1 Ohm 9A Zener MDmesh K5

STF6N95K5
STMicroelectronics
1: S/11.52
1,730En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF6N95K5

N.º de artículo de Mouser
511-STF6N95K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 1 Ohm 9A Zener MDmesh K5

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Hoja de datos

1,730En existencias

S/11.52

S/5.38

S/4.73

S/3.93

S/3.75

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

950 V

9 A

1.25 Ohms

- 30 V, 30 V

5 V

13 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V 2.5 A PowerMESH

STFW3N150
STMicroelectronics
1: S/19.01
1,374En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STFW3N150

N.º de artículo de Mouser
511-STFW3N150

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V 2.5 A PowerMESH

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Hoja de datos

1,374En existencias

Más información disponible

S/19.01

S/10.54

S/7.65

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3PF-3

N-Channel

1 Channel

1.5 kV

2.5 A

9 Ohms

- 20 V, 20 V

3 V

29.3 nC

- 55 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

PowerMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V 4 A PowerMESH

STFW4N150
STMicroelectronics
1: S/28.55
1,371En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STFW4N150

N.º de artículo de Mouser
511-STFW4N150

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V 4 A PowerMESH

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Hoja de datos

1,371En existencias

S/28.55

S/16.64

S/13.46

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3PF-3

N-Channel

1 Channel

1.5 kV

4 A

7 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

50 nC

- 55 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

PowerMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.037 Ohm 58A MDMesh M5 MOS

STFW69N65M5
STMicroelectronics
1: S/62.61
338En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STFW69N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STFW69N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.037 Ohm 58A MDMesh M5 MOS

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Hoja de datos

338En existencias

S/62.61

S/40.29

S/37.80

S/34.36

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3PF-3

N-Channel

1 Channel

650 V

58 A

45 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

143 nC

- 55 C

+ 150 C

79 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 800 V, 0.60 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a

STH10N80K5-2AG
STMicroelectronics
1: S/20.00
1,254En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STH10N80K5-2AG

N.º de artículo de Mouser
511-STH10N80K5-2AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 800 V, 0.60 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a

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Hoja de datos

1,254En existencias

Cinta cortada

S/20.00

S/13.29

S/9.50

S/8.90

Envase tipo carrete

S/7.87

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-2

N-Channel

1 Channel

800 V

8 A

680 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

17.3 nC

- 55 C

+ 150 C

121 W

Enhancement

AEC-Q101

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in H2PAK-2 package

STH12N120K5-2
STMicroelectronics
1: S/51.21
1,019En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STH12N120K5-2

N.º de artículo de Mouser
511-STH12N120K5-2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in H2PAK-2 package

Obtenga más información

Hoja de datos

1,019En existencias

Cinta cortada

S/51.21

S/35.60

S/30.49

Envase tipo carrete

S/24.85

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-2

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

12 A

620 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

44.2 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 1200 V, 0,62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in

STH13N120K5-2AG
STMicroelectronics
1: S/47.95
1,964En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STH13N120K5-2AG

N.º de artículo de Mouser
511-STH13N120K5-2AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 1200 V, 0,62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in

Obtenga más información

Hoja de datos

1,964En existencias

Cinta cortada

S/47.95

S/33.24

S/27.95

Envase tipo carrete

S/26.10

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-2

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

12 A

690 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

44.2 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

AEC-Q101

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 80 V, 1.7 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET i

STH275N8F7-6AG
STMicroelectronics
1: S/23.31
1,005En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STH275N8F7-6AG

N.º de artículo de Mouser
511-STH275N8F7-6AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 80 V, 1.7 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET i

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S/11.14

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S/9.98

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

80 V

180 A

1.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

193 nC

- 55 C

+ 175 C

315 W

Enhancement

AEC-Q101

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 2.1 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET

STH315N10F7-2
STMicroelectronics
1: S/22.32
854En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STH315N10F7-2

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511-STH315N10F7-2

STMicroelectronics

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Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-2

N-Channel

1 Channel

100 V

180 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

180 nC

- 55 C

+ 175 C

315 W

Enhancement

AEC-Q101

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

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STH315N10F7-6
STMicroelectronics
1: S/21.72
2,061En existencias

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STH315N10F7-6

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511-STH315N10F7-6

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S/10.32

S/9.80

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MouseReel Disponible

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Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

100 V

180 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

180 nC

- 55 C

+ 175 C

315 W

Enhancement

AEC-Q101

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Empresa

Recursos

Soporte

ACEPACK SMIT-9
D2PAK-3 (TO-263-3)
DPAK-3 (TO-252-3)
H2PAK-2
H2PAK-3
H2PAK-6
H2PAK-7
HU3PAK-7
I2PAK-3
IPAK-3
ISOTOP-4
Max247-3
PowerFLAT-2x2-6
PowerFLAT-3.3x3.3-8
PowerFLAT-3.3x3.3-HV-8
PowerFLAT-4
PowerFLAT-5
PowerFLAT-5x5-12
PowerFLAT-5x6-4
PowerFLAT5x6-8

20 V
24 V
30 V
33 V
40 V
45 V
55 V
60 V
65 V
68 V
70 V
75 V
80 V
100 V
120 V
200 V
250 V
300 V
330 V
400 V

250 mA
300 mA
400 mA
430 mA
500 mA
600 mA
1 A
1.2 A
1.4 A
1.5 A
1.8 A
1.85 A
2 A
2.1 A
2.2 A
2.3 A
2.4 A
2.5 A
2.6 A
2.7 A

800 uOhms
1 mOhms
1.1 mOhms
1.15 mOhms
1.2 mOhms
1.27 mOhms
1.3 mOhms
1.6 mOhms
1.68 mOhms
1.7 mOhms
2 mOhms
2.1 mOhms
2.15 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.7 mOhms
2.9 mOhms

700 mV
800 mV
1 V
1.5 V
1.7 V
2 V
2.25 V
2.3 V
2.5 V
3 V
3.2 V
3.25 V
3.5 V
3.75 V
3.8 V
4 V
4.2 V
4.5 V
4.75 V
5 V

900 pC
2.63 nC
3 nC
3.4 nC
3.6 nC
3.7 nC
4 nC
4.5 nC
4.6 nC
4.8 nC
4.9 nC
5 nC
5.3 nC
5.4 nC
5.7 nC
6 nC
6.2 nC
6.4 nC
6.5 nC
6.9 nC

321 mW
350 mW
1.6 W
2 W
2.4 W
2.5 W
2.6 W
2.7 W
2.8 W
2.9 W
3 W
3.1 W
3.2 W
3.3 W
4.8 W
5 W
6 W
20 W
21 W
22 W