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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 1,318

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Fabricante = STMicroelectronics

Tecnología

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 6.8 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET i

STD105N10F7AG
STMicroelectronics
1: S/11.83
3,347En existencias
2,500En pedido

N.º de artículo del Fabricante
STD105N10F7AG

N.º de artículo de Mouser
511-STD105N10F7AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 6.8 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET i

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3,347En existencias

2,500En pedido

Cinta cortada

S/11.83

S/7.65

S/5.29

S/4.28

S/4.23

Envase tipo carrete

S/3.98

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

80 A

6.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

61 nC

- 55 C

+ 175 C

120 W

Enhancement

AEC-Q101

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 550 mOhm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package

STD10LN80K5
STMicroelectronics
1: S/15.61
2,249En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD10LN80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STD10LN80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 550 mOhm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package

Hoja de datos

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Cinta cortada

S/15.61

S/10.23

S/7.14

S/6.28

S/6.15

Envase tipo carrete

S/5.85

MouseReel Disponible

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: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

8 A

630 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh M2

STD10N60M2
STMicroelectronics
1: S/7.14
10,790En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD10N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STD10N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh M2

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10,790En existencias

Cinta cortada

S/7.14

S/4.52

S/3.01

S/2.40

S/2.19

Envase tipo carrete

S/1.90

MouseReel Disponible

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: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

7.5 A

560 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

13.5 nC

- 55 C

+ 150 C

85 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 10 Amp

STD10NF10T4
STMicroelectronics
1: S/8.17
2,881En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD10NF10T4

N.º de artículo de Mouser
511-STD10NF10

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 10 Amp

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2,881En existencias

Cinta cortada

S/8.17

S/5.20

S/3.47

S/2.78

S/2.53

Envase tipo carrete

S/2.26

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

13 A

115 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

21 nC

- 55 C

+ 175 C

50 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 80 V, 0.0056 Ohm typ., 110 A, STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK packa

STD110N8F6
STMicroelectronics
1: S/10.45
5,659En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD110N8F6

N.º de artículo de Mouser
511-STD110N8F6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 80 V, 0.0056 Ohm typ., 110 A, STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK packa

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5,659En existencias

Cinta cortada

S/10.45

S/6.71

S/4.60

S/3.69

S/3.45

Envase tipo carrete

S/3.04

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

80 V

80 A

6.5 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

150 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 500V

STD11NM50N
STMicroelectronics
1: S/12.51
1,739En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD11NM50N

N.º de artículo de Mouser
511-STD11NM50N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 500V

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Cinta cortada

S/12.51

S/8.08

S/5.81

S/4.86

S/4.60

Envase tipo carrete

S/4.18

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

8.5 A

470 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

19 nC

- 55 C

+ 150 C

70 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 3.1 mOhm 80A STripFET VI Deep

STD120N4LF6
STMicroelectronics
1: S/11.74
3,637En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD120N4LF6

N.º de artículo de Mouser
511-STD120N4LF6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 3.1 mOhm 80A STripFET VI Deep

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3,637En existencias

Cinta cortada

S/11.74

S/7.61

S/5.25

S/4.24

S/4.19

Envase tipo carrete

S/3.96

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

80 A

3.6 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

80 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

AEC-Q100

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 500 V, 0.299 Ohm typ., 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package

STD12N50DM2
STMicroelectronics
1: S/10.75
2,271En existencias
2,500En pedido

N.º de artículo del Fabricante
STD12N50DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STD12N50DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 500 V, 0.299 Ohm typ., 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package

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2,500En pedido

Cinta cortada

S/10.75

S/6.88

S/4.77

S/4.03

Envase tipo carrete

S/3.37

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

11 A

350 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

120 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 12 Amp

STD12NF06LT4
STMicroelectronics
1: S/5.20
9,399En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD12NF06LT4

N.º de artículo de Mouser
511-STD12NF06L

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 12 Amp

Hoja de datos

9,399En existencias

Cinta cortada

S/5.20

S/3.27

S/2.16

S/1.68

Envase tipo carrete

S/1.38

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

12 A

90 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

7.5 nC

- 55 C

+ 175 C

30 W

Enhancement

AEC-Q100

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 12 Amp

STD12NF06L-1
STMicroelectronics
1: S/4.21
21,504En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD12NF06L-1

N.º de artículo de Mouser
511-STD12NF06L-1

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 12 Amp

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Hoja de datos

21,504En existencias

S/4.21

S/1.80

S/1.60

S/1.33

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

60 V

12 A

100 mOhms

- 16 V, 16 V

1 V

10 nC

- 55 C

+ 175 C

30 W

Enhancement

STripFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2

STD13N60M2
STMicroelectronics
1: S/7.44
4,546En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD13N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STD13N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2

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Hoja de datos

4,546En existencias

Cinta cortada

S/7.44

S/4.73

S/3.16

S/2.49

S/2.28

Envase tipo carrete

S/2.11

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

11 A

380 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 0.0031 Ohm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in a DPAK package

STD140N6F7
STMicroelectronics
1: S/9.63
13,098En existencias
2,500En pedido

N.º de artículo del Fabricante
STD140N6F7

N.º de artículo de Mouser
511-STD140N6F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 0.0031 Ohm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in a DPAK package

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Hoja de datos

13,098En existencias

2,500En pedido

Cinta cortada

S/9.63

S/6.19

S/4.19

S/3.35

S/3.16

Envase tipo carrete

S/3.01

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

80 A

3.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

55 nC

- 55 C

+ 175 C

134 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 500 V, 0.24 Ohm typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package

STD16N50M2
STMicroelectronics
1: S/9.50
2,836En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD16N50M2

N.º de artículo de Mouser
511-STD16N50M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 500 V, 0.24 Ohm typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package

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Hoja de datos

2,836En existencias

Cinta cortada

S/9.50

S/6.11

S/4.14

S/3.30

S/3.12

Envase tipo carrete

S/2.97

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

550 V

13 A

240 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

19.5 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 280 mOhm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package

STD16N60M2
STMicroelectronics
1: S/8.64
5,923En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD16N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STD16N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 280 mOhm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package

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Hoja de datos

5,923En existencias

Cinta cortada

S/8.64

S/5.55

S/3.73

S/2.96

S/2.73

Envase tipo carrete

S/2.63

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

12 A

280 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

19 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 Volt 12 Amp

STD16N65M5
STMicroelectronics
1: S/15.48
2,388En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD16N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STD16N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 Volt 12 Amp

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Hoja de datos

2,388En existencias

Cinta cortada

S/15.48

S/10.11

S/7.10

S/6.19

S/6.02

Envase tipo carrete

S/5.72

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

12 A

270 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

90 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 16 Amp

STD16NF06LT4
STMicroelectronics
1: S/7.14
8,750En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD16NF06LT4

N.º de artículo de Mouser
511-STD16NF06L

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 16 Amp

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Hoja de datos

8,750En existencias

Cinta cortada

S/7.14

S/4.56

S/3.03

S/2.39

S/2.18

Envase tipo carrete

S/2.00

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

24 A

70 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

7.5 nC

- 55 C

+ 175 C

40 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 60V 0.060 Ohm 16A

STD16NF06T4
STMicroelectronics
1: S/6.41
9,588En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD16NF06T4

N.º de artículo de Mouser
511-STD16NF06T4

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 60V 0.060 Ohm 16A

Obtenga más información

Hoja de datos

9,588En existencias

Cinta cortada

S/6.41

S/4.03

S/2.69

S/2.12

S/1.92

Envase tipo carrete

S/1.57

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

16 A

70 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

14.1 nC

- 55 C

+ 175 C

40 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 250V Pwr Mosfet

STD16NF25
STMicroelectronics
1: S/10.45
1,824En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD16NF25

N.º de artículo de Mouser
511-STD16NF25

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 250V Pwr Mosfet

Hoja de datos

1,824En existencias

Cinta cortada

S/10.45

S/6.75

S/4.69

S/3.90

S/3.69

Envase tipo carrete

S/3.38

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

250 V

14 A

235 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

85 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 0.18 13A MDmesh M5 Power MOS

STD18N55M5
STMicroelectronics
1: S/16.21
2,318En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD18N55M5

N.º de artículo de Mouser
511-STD18N55M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 0.18 13A MDmesh M5 Power MOS

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Hoja de datos

2,318En existencias

Cinta cortada

S/16.21

S/10.62

S/7.44

S/6.58

S/6.45

Envase tipo carrete

S/6.15

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

550 V

13 A

240 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

90 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 1.0Amp Zener SuperMESH

STD1NK60T4
STMicroelectronics
1: S/6.75
3,721En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD1NK60T4

N.º de artículo de Mouser
511-STD1NK60

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 1.0Amp Zener SuperMESH

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Hoja de datos

3,721En existencias

Cinta cortada

S/6.75

S/4.27

S/2.85

S/2.24

Envase tipo carrete

S/1.87

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

1 A

8.5 Ohms

- 30 V, 30 V

2.25 V

7 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

SuperMESH

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 0.032 Ohm 24A STripFET II

STD20NF06LT4
STMicroelectronics
1: S/7.10
3,996En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD20NF06LT4

N.º de artículo de Mouser
511-STD20NF06L

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 0.032 Ohm 24A STripFET II

Hoja de datos

3,996En existencias

Cinta cortada

S/7.10

S/4.52

S/3.01

S/2.37

S/2.16

Envase tipo carrete

S/1.98

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

24 A

32 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

13 nC

- 55 C

+ 175 C

60 W

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Low charge STripFET

STD20NF20
STMicroelectronics
1: S/12.47
6,839En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD20NF20

N.º de artículo de Mouser
511-STD20NF20

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Low charge STripFET

Hoja de datos

6,839En existencias

Cinta cortada

S/12.47

S/8.08

S/5.59

S/4.60

S/4.56

Envase tipo carrete

S/4.30

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

18 A

125 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

39 nC

- 55 C

+ 175 C

90 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 25 Amp

STD25NF10T4
STMicroelectronics
1: S/7.53
4,739En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD25NF10T4

N.º de artículo de Mouser
511-STD25NF10

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 25 Amp

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Hoja de datos

4,739En existencias

Cinta cortada

S/7.53

S/4.82

S/3.21

S/2.54

S/2.32

Envase tipo carrete

S/2.15

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

25 A

33 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

55 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 25 Amp

STD25NF10LT4
STMicroelectronics
1: S/12.90
5,801En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD25NF10LT4

N.º de artículo de Mouser
511-STD25NF10L

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 25 Amp

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Hoja de datos

5,801En existencias

Cinta cortada

S/12.90

S/8.39

S/5.81

S/4.86

S/4.64

Envase tipo carrete

S/4.52

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

25 A

30 mOhms

- 16 V, 16 V

1 V

52 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100 V Mosfet 35 RDS 25A D2PAK

STD25NF10LA
STMicroelectronics
1: S/7.91
3,539En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD25NF10LA

N.º de artículo de Mouser
511-STD25NF10LA

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100 V Mosfet 35 RDS 25A D2PAK

Hoja de datos

3,539En existencias

Cinta cortada

S/7.91

S/5.07

S/3.39

S/2.68

S/2.47

Envase tipo carrete

S/2.30

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

25 A

35 mOhms

- 16 V, 16 V

2.5 V

38 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

AEC-Q100

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

ACEPACK SMIT-9
D2PAK-3 (TO-263-3)
DPAK-3 (TO-252-3)
H2PAK-2
H2PAK-3
H2PAK-6
H2PAK-7
HU3PAK-7
I2PAK-3
IPAK-3
ISOTOP-4
Max247-3
PowerFLAT-2x2-6
PowerFLAT-3.3x3.3-8
PowerFLAT-3.3x3.3-HV-8
PowerFLAT-4
PowerFLAT-5
PowerFLAT-5x5-12
PowerFLAT-5x6-4
PowerFLAT5x6-8

20 V
24 V
30 V
33 V
40 V
45 V
55 V
60 V
65 V
68 V
70 V
75 V
80 V
100 V
120 V
200 V
250 V
300 V
330 V
400 V

250 mA
300 mA
400 mA
430 mA
500 mA
600 mA
1 A
1.2 A
1.4 A
1.5 A
1.8 A
1.85 A
2 A
2.1 A
2.2 A
2.3 A
2.4 A
2.5 A
2.6 A
2.7 A

800 uOhms
1 mOhms
1.1 mOhms
1.15 mOhms
1.2 mOhms
1.27 mOhms
1.3 mOhms
1.6 mOhms
1.68 mOhms
1.7 mOhms
2 mOhms
2.1 mOhms
2.15 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.7 mOhms
2.9 mOhms

700 mV
800 mV
1 V
1.5 V
1.7 V
2 V
2.25 V
2.3 V
2.5 V
3 V
3.2 V
3.25 V
3.5 V
3.75 V
3.8 V
4 V
4.2 V
4.5 V
4.75 V
5 V

900 pC
2.63 nC
3 nC
3.4 nC
3.6 nC
3.7 nC
4 nC
4.5 nC
4.6 nC
4.8 nC
4.9 nC
5 nC
5.3 nC
5.4 nC
5.7 nC
6 nC
6.2 nC
6.4 nC
6.5 nC
6.9 nC

321 mW
350 mW
1.6 W
2 W
2.4 W
2.5 W
2.6 W
2.7 W
2.8 W
2.9 W
3 W
3.1 W
3.2 W
3.3 W
4.8 W
5 W
6 W
20 W
21 W
22 W