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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 400 Volt 9 Amp Zener SuperMESH

STB11NK40ZT4
STMicroelectronics
1: S/13.72
1,888En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB11NK40ZT4

N.º de artículo de Mouser
511-STB11NK40Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 400 Volt 9 Amp Zener SuperMESH

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S/13.72

S/8.94

S/6.19

S/5.25

Envase tipo carrete

S/4.90

MouseReel Disponible

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Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

400 V

9 A

550 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

32 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 11 Amp

STB11NM60T4
STMicroelectronics
1: S/22.75
1,098En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB11NM60T4

N.º de artículo de Mouser
511-STB11NM60

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 11 Amp

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1,098En existencias

Cinta cortada

S/22.75

S/15.14

S/10.84

S/10.41

Envase tipo carrete

S/9.68

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

11 A

450 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

30 nC

- 65 C

+ 150 C

160 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh

STB11NM80T4
STMicroelectronics
1: S/34.74
1,412En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB11NM80T4

N.º de artículo de Mouser
511-STB11NM80

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh

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1,412En existencias

Cinta cortada

S/34.74

S/23.82

S/18.45

Envase tipo carrete

S/17.24

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

11 A

400 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

43.6 nC

- 65 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 4mOhm 80A STripFET VI DeepGATE

STB120N4F6
STMicroelectronics
1: S/11.14
2,295En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB120N4F6

N.º de artículo de Mouser
511-STB120N4F6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 4mOhm 80A STripFET VI DeepGATE

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2,295En existencias

Cinta cortada

S/11.14

S/7.18

S/4.95

S/3.95

Envase tipo carrete

S/3.68

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

80 A

4 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

65 nC

- 55 C

+ 175 C

110 W

Enhancement

AEC-Q100

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 10.5A Zener SuperMESH

STB12NK80ZT4
STMicroelectronics
1: S/25.03
816En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB12NK80ZT4

N.º de artículo de Mouser
511-STB12NK80Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 10.5A Zener SuperMESH

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816En existencias

Cinta cortada

S/25.03

S/16.81

S/12.08

S/11.87

Envase tipo carrete

S/11.14

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

10.5 A

750 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

87 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

SuperMESH

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V 0.37Ohm 12A MDmesh K5

STB13N80K5
STMicroelectronics
1: S/22.58
1,526En existencias

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STB13N80K5

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511-STB13N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V 0.37Ohm 12A MDmesh K5

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Cinta cortada

S/22.58

S/15.05

S/10.75

Envase tipo carrete

S/9.63

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

12 A

450 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

29 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 280 mOhm typ., 15 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package

STB16N90K5
STMicroelectronics
1: S/25.41
1,348En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB16N90K5

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511-STB16N90K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 280 mOhm typ., 15 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package

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1,348En existencias

Cinta cortada

S/25.41

S/18.06

S/13.76

S/13.20

Envase tipo carrete

S/12.21

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

900 V

15 A

330 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

29.7 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh M5

STB18N65M5
STMicroelectronics
1: S/15.65
1,453En existencias

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STB18N65M5

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511-STB18N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh M5

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Cinta cortada

S/15.65

S/10.28

S/7.18

S/6.32

Envase tipo carrete

S/5.89

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

15 A

198 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 0.275 Ohm 17.5A MDmesh K5

STB20N95K5
STMicroelectronics
1: S/36.34
1,399En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB20N95K5

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511-STB20N95K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 0.275 Ohm 17.5A MDmesh K5

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1,399En existencias

Cinta cortada

S/36.34

S/24.81

S/19.44

Envase tipo carrete

S/18.15

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

950 V

17.5 A

330 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

48 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5

STB21N90K5
STMicroelectronics
1: S/32.08
923En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB21N90K5

N.º de artículo de Mouser
511-STB21N90K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5

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Hoja de datos

923En existencias

Cinta cortada

S/32.08

S/22.02

S/16.73

S/16.68

Envase tipo carrete

S/15.57

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

900 V

18.5 A

299 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

43 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

SuperMESH

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package

STB24N60DM2
STMicroelectronics
1: S/16.08
1,415En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB24N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STB24N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package

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Hoja de datos

1,415En existencias

Cinta cortada

S/16.08

S/10.54

S/7.40

S/6.54

Envase tipo carrete

S/6.06

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

200 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

29 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

FDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.19 Ohm 19.5A MDmesh K5

STB25N80K5
STMicroelectronics
1: S/25.24
1,460En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB25N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STB25N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.19 Ohm 19.5A MDmesh K5

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Hoja de datos

1,460En existencias

Cinta cortada

S/25.24

S/16.94

S/12.21

Envase tipo carrete

S/11.14

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

19.5 A

260 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.135 21A MDmesh II

STB28NM50N
STMicroelectronics
1: S/33.45
922En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB28NM50N

N.º de artículo de Mouser
511-STB28NM50N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.135 21A MDmesh II

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Hoja de datos

922En existencias

Cinta cortada

S/33.45

S/22.83

S/17.50

Envase tipo carrete

S/16.34

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

21 A

158 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

50 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.108 Ohm typ., 26 A MDmesh M2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in D2PAK package

STB33N60M2
STMicroelectronics
1: S/20.60
1,387En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB33N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STB33N60M2

STMicroelectronics

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Hoja de datos

1,387En existencias

Cinta cortada

S/20.60

S/13.63

S/9.72

S/9.63

Envase tipo carrete

S/8.51

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

26 A

125 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

45.5 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 85 mOhm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET in a D2PAK package

STB36N60M6
STMicroelectronics
1: S/27.69
1,696En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB36N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STB36N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 85 mOhm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET in a D2PAK package

Obtenga más información

Hoja de datos

1,696En existencias

Cinta cortada

S/27.69

S/18.62

S/13.46

Envase tipo carrete

S/12.30

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

30 A

85 mOhms

- 25 V, 25 V

3.25 V

44.3 nC

- 55 C

+ 150 C

208 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power MOSFET i

STB37N60DM2AG
STMicroelectronics
1: S/33.02
2,045En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB37N60DM2AG

N.º de artículo de Mouser
511-STB37N60DM2AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power MOSFET i

Obtenga más información

Hoja de datos

2,045En existencias

Cinta cortada

S/33.02

S/22.49

S/17.20

Envase tipo carrete

S/16.04

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

28 A

110 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

54 nC

- 55 C

+ 150 C

210 W

Enhancement

AEC-Q101

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 400 V, 50 mOhm typ., 41 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

STB41N40DM6AG
STMicroelectronics
1: S/31.22
1,389En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB41N40DM6AG

N.º de artículo de Mouser
511-STB41N40DM6AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 400 V, 50 mOhm typ., 41 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

Obtenga más información

Hoja de datos

1,389En existencias

Cinta cortada

S/31.22

S/21.16

S/15.87

Envase tipo carrete

S/15.01

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

400 V

41 A

65 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

53 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

AEC-Q101

MDmesh

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch 650 Volt 33Amp

STB42N65M5
STMicroelectronics
1: S/48.16
745En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB42N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STB42N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch 650 Volt 33Amp

Obtenga más información

Hoja de datos

745En existencias

Cinta cortada

S/48.16

S/34.87

S/30.49

Envase tipo carrete

S/27.43

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

33 A

79 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

98 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 0.058 Ohm typ., 42 A MDmesh M5 Power MOSFET in

STB43N65M5
STMicroelectronics
1: S/40.59
2,102En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB43N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STB43N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 0.058 Ohm typ., 42 A MDmesh M5 Power MOSFET in

Obtenga más información

Hoja de datos

2,102En existencias

Cinta cortada

S/40.59

S/27.86

S/22.49

Envase tipo carrete

S/20.98

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

42 A

63 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

100 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

AEC-Q101

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 300 V, 37 mOhm typ., 53 A MDmesh M5 Power MOSFET in a D2PAK Package

STB45N30M5
STMicroelectronics
1: S/32.55
1,644En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB45N30M5

N.º de artículo de Mouser
511-STB45N30M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 300 V, 37 mOhm typ., 53 A MDmesh M5 Power MOSFET in a D2PAK Package

Hoja de datos

1,644En existencias

Cinta cortada

S/32.55

S/22.27

S/16.94

Envase tipo carrete

S/15.82

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

300 V

53 A

37 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

95 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 500 V, 0.07 Ohm typ., 35 A MDmesh DM2 Power MOSFET in

STB45N50DM2AG
STMicroelectronics
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STB45N50DM2AG

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511-STB45N50DM2AG

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 500 V, 0.07 Ohm typ., 35 A MDmesh DM2 Power MOSFET in

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

35 A

84 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

57 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

AEC-Q101

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 300 V, 63 mOhm typ., 42 A STripFET II Power MOSFET in a D2PAK package

STB46NF30
STMicroelectronics
1: S/19.95
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STB46NF30

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511-STB46NF30

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 300 V, 63 mOhm typ., 42 A STripFET II Power MOSFET in a D2PAK package

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: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

300 V

42 A

63 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

90 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q100

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5

STB57N65M5
STMicroelectronics
1: S/47.17
537En existencias

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STB57N65M5

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511-STB57N65M5

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5

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S/47.17

S/32.68

S/27.39

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S/25.59

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: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

26.5 A

63 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

98 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 0.019 61A Mdmesh V

STB80N20M5
STMicroelectronics
1: S/25.50
2,004En existencias
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STB80N20M5

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511-STB80N20M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 0.019 61A Mdmesh V

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S/12.81

S/12.73

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S/11.87

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: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

61 A

23 mOhms

- 25 V, 25 V

5 V

104 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.0068mOhm 80A STripFETVII 120

STD100N10F7
STMicroelectronics
1: S/10.75
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STD100N10F7

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511-STD100N10F7

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.0068mOhm 80A STripFETVII 120

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

80 A

8 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

61 nC

- 55 C

+ 175 C

120 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Soporte

ACEPACK SMIT-9
D2PAK-3 (TO-263-3)
DPAK-3 (TO-252-3)
H2PAK-2
H2PAK-3
H2PAK-6
H2PAK-7
HU3PAK-7
I2PAK-3
IPAK-3
ISOTOP-4
Max247-3
PowerFLAT-2x2-6
PowerFLAT-3.3x3.3-8
PowerFLAT-3.3x3.3-HV-8
PowerFLAT-4
PowerFLAT-5
PowerFLAT-5x5-12
PowerFLAT-5x6-4
PowerFLAT5x6-8

20 V
24 V
30 V
33 V
40 V
45 V
55 V
60 V
65 V
68 V
70 V
75 V
80 V
100 V
120 V
200 V
250 V
300 V
330 V
400 V

250 mA
300 mA
400 mA
430 mA
500 mA
600 mA
1 A
1.2 A
1.4 A
1.5 A
1.8 A
1.85 A
2 A
2.1 A
2.2 A
2.3 A
2.4 A
2.5 A
2.6 A
2.7 A

800 uOhms
1 mOhms
1.1 mOhms
1.15 mOhms
1.2 mOhms
1.27 mOhms
1.3 mOhms
1.6 mOhms
1.68 mOhms
1.7 mOhms
2 mOhms
2.1 mOhms
2.15 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.7 mOhms
2.9 mOhms

700 mV
800 mV
1 V
1.5 V
1.7 V
2 V
2.25 V
2.3 V
2.5 V
3 V
3.2 V
3.25 V
3.5 V
3.75 V
3.8 V
4 V
4.2 V
4.5 V
4.75 V
5 V

900 pC
2.63 nC
3 nC
3.4 nC
3.6 nC
3.7 nC
4 nC
4.5 nC
4.6 nC
4.8 nC
4.9 nC
5 nC
5.3 nC
5.4 nC
5.7 nC
6 nC
6.2 nC
6.4 nC
6.5 nC
6.9 nC

321 mW
350 mW
1.6 W
2 W
2.4 W
2.5 W
2.6 W
2.7 W
2.8 W
2.9 W
3 W
3.1 W
3.2 W
3.3 W
4.8 W
5 W
6 W
20 W
21 W
22 W