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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 1,329

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Fabricante = STMicroelectronics

Tecnología

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 24 Amp

STP24NF10
STMicroelectronics
1: S/9.07
5,824En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP24NF10

N.º de artículo de Mouser
511-STP24NF10

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 24 Amp

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Hoja de datos

5,824En existencias

S/9.07

S/4.39

S/3.52

S/2.93

S/2.78

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

26 A

60 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

85 W

Enhancement

STripFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30 Volt 120 Amp

STB200NF03T4
STMicroelectronics
1: S/14.66
1,547En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB200NF03T4

N.º de artículo de Mouser
511-STB200NF03

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30 Volt 120 Amp

Hoja de datos

1,547En existencias

Cinta cortada

S/14.66

S/9.59

S/6.67

S/6.15

Envase tipo carrete

S/5.38

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

30 V

120 A

3.2 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

113 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 60 Amp

STB60NF06T4
STMicroelectronics
1: S/9.89
4,540En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB60NF06T4

N.º de artículo de Mouser
511-STB60NF06

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 60 Amp

Hoja de datos

4,540En existencias

Cinta cortada

S/9.89

S/6.36

S/4.34

S/3.45

Envase tipo carrete

S/3.14

S/3.13

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

60 A

15 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

66 nC

- 65 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET Dual N-CH 60V 4A

STS5DNF60L
STMicroelectronics
1: S/7.18
3,772En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STS5DNF60L

N.º de artículo de Mouser
511-STS5DNF60L

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET Dual N-CH 60V 4A

Hoja de datos

3,772En existencias

Cinta cortada

S/7.18

S/4.56

S/3.04

S/2.40

S/2.19

Envase tipo carrete

S/2.01

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

60 V

5 A

45 mOhms

- 15 V, 15 V

1.7 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

AEC-Q100

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in

STD12N60DM2AG
STMicroelectronics
1: S/13.67
2,500En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD12N60DM2AG

N.º de artículo de Mouser
511-STD12N60DM2AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in

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Hoja de datos

2,500En existencias

Cinta cortada

S/13.67

S/8.90

S/6.15

S/5.20

Envase tipo carrete

S/4.77

S/4.73

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

10 A

440 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

14.5 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

AEC-Q101

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.155 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8

STL28N60DM2
STMicroelectronics
1: S/20.08
1,241En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL28N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STL28N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.155 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8

Hoja de datos

1,241En existencias

Cinta cortada

S/20.08

S/13.29

S/10.41

S/9.25

S/8.17

Envase tipo carrete

S/8.17

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-8x8-5

N-Channel

1 Channel

600 V

21 A

175 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

34 nC

- 55 C

+ 150 C

140 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 365 mOhm typ., 9 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

STD9N65DM6AG
STMicroelectronics
1: S/12.17
2,357En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD9N65DM6AG

N.º de artículo de Mouser
511-STD9N65DM6AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 365 mOhm typ., 9 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

Hoja de datos

2,357En existencias

Cinta cortada

S/12.17

S/7.87

S/5.63

S/4.73

S/4.06

Envase tipo carrete

S/4.06

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

AEC-Q101

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.15 Ohm typ., 24 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package

STB30N80K5
STMicroelectronics
1: S/34.14
1,134En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB30N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STB30N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.15 Ohm typ., 24 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package

Hoja de datos

1,134En existencias

Cinta cortada

S/34.14

S/23.26

S/17.93

Envase tipo carrete

S/16.94

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

24 A

180 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

43 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5

STB38N65M5
STMicroelectronics
1: S/29.93
769En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB38N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STB38N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5

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Hoja de datos

769En existencias

Cinta cortada

S/29.93

S/20.21

S/15.01

Envase tipo carrete

S/14.02

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

95 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

71 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.310 Ohm typ., 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package

STD13N60DM2
STMicroelectronics
1: S/9.93
3,151En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD13N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STD13N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.310 Ohm typ., 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package

Obtenga más información

Hoja de datos

3,151En existencias

Cinta cortada

S/9.93

S/6.41

S/4.34

S/3.47

S/3.26

Envase tipo carrete

S/3.15

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

11 A

310 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

19 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package

STD13N65M2
STMicroelectronics
1: S/6.19
3,193En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD13N65M2

N.º de artículo de Mouser
511-STD13N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package

Obtenga más información

Hoja de datos

3,193En existencias

Cinta cortada

S/6.19

S/4.60

S/3.67

S/3.31

S/3.00

Envase tipo carrete

S/2.76

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

10 A

370 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 2.2 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in

STD170N4F7AG
STMicroelectronics
1: S/11.78
2,302En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD170N4F7AG

N.º de artículo de Mouser
511-STD170N4F7AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 2.2 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in

Hoja de datos

2,302En existencias

Cinta cortada

S/11.78

S/7.61

S/5.46

S/4.56

S/3.93

Envase tipo carrete

S/3.93

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

80 A

2.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

63 nC

- 55 C

+ 175 C

172 W

Enhancement

AEC-Q101

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 35 Amp

STD35NF06T4
STMicroelectronics
1: S/7.91
5,575En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD35NF06T4

N.º de artículo de Mouser
511-STD35NF06

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 35 Amp

Obtenga más información

Hoja de datos

5,575En existencias

Cinta cortada

S/7.91

S/5.03

S/3.35

S/2.69

S/2.40

Envase tipo carrete

S/2.18

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

35 A

18 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

60 nC

- 55 C

+ 175 C

55 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AC Pwr switch

STD40NF10
STMicroelectronics
1: S/8.99
2,769En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD40NF10

N.º de artículo de Mouser
511-STD40NF10

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AC Pwr switch

Obtenga más información

Hoja de datos

2,769En existencias

Cinta cortada

S/8.99

S/5.76

S/3.88

S/3.09

S/2.88

Envase tipo carrete

S/2.73

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

50 A

28 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

62 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.50 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package

STD5N80K5
STMicroelectronics
1: S/9.85
3,477En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD5N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STD5N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.50 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package

Obtenga más información

Hoja de datos

3,477En existencias

Cinta cortada

S/9.85

S/6.32

S/4.30

S/3.44

S/3.28

Envase tipo carrete

S/3.11

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

4 A

1.5 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

5 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 950 VDSS <3.5 RDS 4A ID 90W Pw

STD5N95K3
STMicroelectronics
1: S/11.48
6,493En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD5N95K3

N.º de artículo de Mouser
511-STD5N95K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 950 VDSS <3.5 RDS 4A ID 90W Pw

Obtenga más información

Hoja de datos

6,493En existencias

Cinta cortada

S/11.48

S/8.51

S/6.88

S/6.45

S/6.15

Envase tipo carrete

S/6.11

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

950 V

4 A

3 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

19 nC

- 55 C

+ 150 C

90 W

Enhancement

SuperMESH

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 60 Amp

STD60NF06T4
STMicroelectronics
1: S/11.22
1,931En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD60NF06T4

N.º de artículo de Mouser
511-STD60NF06

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 60 Amp

Obtenga más información

Hoja de datos

1,931En existencias

Cinta cortada

S/11.22

S/7.22

S/5.03

S/4.15

S/4.14

Envase tipo carrete

S/4.09

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

60 A

14 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

66 nC

- 55 C

+ 175 C

110 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 400V 0.73Ohm 5.6A pwr Mdmesh II

STD9NM40N
STMicroelectronics
1: S/10.41
2,888En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD9NM40N

N.º de artículo de Mouser
511-STD9NM40N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 400V 0.73Ohm 5.6A pwr Mdmesh II

Obtenga más información

Hoja de datos

2,888En existencias

Cinta cortada

S/10.41

S/6.71

S/4.60

S/3.71

S/3.53

Envase tipo carrete

S/3.26

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

400 V

5.6 A

790 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

14 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 650V

STF12N65M5
STMicroelectronics
1: S/14.06
1,673En existencias
1,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
STF12N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STF12N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 650V

Obtenga más información

Hoja de datos

1,673En existencias

1,000En pedido

S/14.06

S/6.41

S/5.38

S/5.33

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

8.5 A

430 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.117 Ohm typ., 24 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package

STF33N65M2
STMicroelectronics
1: S/19.31
999En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF33N65M2

N.º de artículo de Mouser
511-STF33N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.117 Ohm typ., 24 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package

Obtenga más información

Hoja de datos

999En existencias

S/19.31

S/8.64

S/8.17

S/7.78

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

117 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

41.5 nC

- 55 C

+ 150 C

34 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 900V-1.1ohms Zener SuperMESH 8A

STF9NK90Z
STMicroelectronics
1: S/21.07
809En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF9NK90Z

N.º de artículo de Mouser
511-STF9NK90Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 900V-1.1ohms Zener SuperMESH 8A

Obtenga más información

Hoja de datos

809En existencias

S/21.07

S/13.03

S/11.05

S/10.62

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

900 V

8 A

1.3 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

72 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 80V 17mOhm 180A STripFET VII

STH270N8F7-6
STMicroelectronics
1: S/22.10
1,855En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STH270N8F7-6

N.º de artículo de Mouser
511-STH270N8F7-6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 80V 17mOhm 180A STripFET VII

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1,855En existencias

Cinta cortada

S/22.10

S/14.66

S/10.49

S/9.98

Envase tipo carrete

S/9.46

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

80 V

180 A

2.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

193 nC

- 55 C

+ 175 C

315 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in D2PAK package

STI28N60M2
STMicroelectronics
1: S/14.32
1,848En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STI28N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STI28N60M2

STMicroelectronics

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1,848En existencias

S/14.32

S/7.87

S/6.45

S/6.15

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

22 A

135 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

170 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-channel 40 V, 0.0155 Ohm typ., 42 A STripFET F6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x

STL42P4LLF6
STMicroelectronics
1: S/8.90
3,605En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL42P4LLF6

N.º de artículo de Mouser
511-STL42P4LLF6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-channel 40 V, 0.0155 Ohm typ., 42 A STripFET F6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x

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3,605En existencias

Cinta cortada

S/8.90

S/5.68

S/3.83

S/3.06

Envase tipo carrete

S/2.25

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

P-Channel

1 Channel

40 V

42 A

10.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

22 nC

- 55 C

+ 175 C

75 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.061 Ohm 40 A Mdmesh M5

STL57N65M5
STMicroelectronics
1: S/49.97
2,544En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL57N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STL57N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.061 Ohm 40 A Mdmesh M5

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Hoja de datos

2,544En existencias

Cinta cortada

S/49.97

S/34.79

S/30.75

S/30.23

S/28.64

Envase tipo carrete

S/28.21

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-8x8-5

N-Channel

1 Channel

650 V

22.5 A

61 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

96 nC

- 55 C

+ 150 C

189 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

ACEPACK SMIT-9
D2PAK-3 (TO-263-3)
DPAK-3 (TO-252-3)
H2PAK-2
H2PAK-3
H2PAK-6
H2PAK-7
HU3PAK-7
I2PAK-3
IPAK-3
ISOTOP-4
Max247-3
PowerFLAT-2x2-6
PowerFLAT-3.3x3.3-8
PowerFLAT-3.3x3.3-HV-8
PowerFLAT-4
PowerFLAT-5
PowerFLAT-5x5-12
PowerFLAT-5x6-4
PowerFLAT5x6-8

20 V
24 V
30 V
33 V
40 V
45 V
55 V
60 V
65 V
68 V
70 V
75 V
80 V
100 V
120 V
200 V
250 V
300 V
330 V
400 V

250 mA
300 mA
400 mA
430 mA
500 mA
600 mA
1 A
1.2 A
1.4 A
1.5 A
1.8 A
1.85 A
2 A
2.1 A
2.2 A
2.3 A
2.4 A
2.5 A
2.6 A
2.7 A

800 uOhms
1 mOhms
1.1 mOhms
1.15 mOhms
1.2 mOhms
1.27 mOhms
1.3 mOhms
1.6 mOhms
1.68 mOhms
1.7 mOhms
2 mOhms
2.1 mOhms
2.15 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.7 mOhms
2.8 mOhms

700 mV
800 mV
1 V
1.5 V
1.7 V
2 V
2.25 V
2.3 V
2.5 V
3 V
3.2 V
3.25 V
3.5 V
3.75 V
3.8 V
4 V
4.2 V
4.5 V
4.75 V
5 V

900 pC
2.63 nC
3 nC
3.4 nC
3.6 nC
3.7 nC
4 nC
4.5 nC
4.6 nC
4.8 nC
4.9 nC
5 nC
5.3 nC
5.4 nC
5.7 nC
6 nC
6.2 nC
6.4 nC
6.5 nC
6.9 nC

321 mW
350 mW
1.6 W
2 W
2.4 W
2.5 W
2.6 W
2.7 W
2.8 W
2.9 W
3 W
3.1 W
3.2 W
3.3 W
4.8 W
5 W
6 W
20 W
21 W
22 W