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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 1,318

Filtros aplicados:

Fabricante = STMicroelectronics

Tecnología

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTD HIGH VOLTAGE

STB6N65K3
STMicroelectronics
1: S/8.77
1,992En existencias
Verificar estado con la fábrica

N.º de artículo del Fabricante
STB6N65K3

N.º de artículo de Mouser
511-STB6N65K3

Verificar estado con la fábrica

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTD HIGH VOLTAGE

Obtenga más información

1,992En existencias

S/8.77

S/5.63

S/3.88

S/3.29

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

5.4 A

- 55 C

+ 150 C

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 300 mOhm typ., 14 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP ultra na

STFU15N80K5
STMicroelectronics
1: S/13.37
689En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STFU15N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STFU15N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 300 mOhm typ., 14 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP ultra na

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Hoja de datos

689En existencias

S/13.37

S/8.94

S/8.51

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

14 A

375 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

32 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 Volt 6.4Amp Zener SuperMESH

STP9NK65Z
STMicroelectronics
1: S/16.77
913En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP9NK65Z

N.º de artículo de Mouser
511-STP9NK65Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 Volt 6.4Amp Zener SuperMESH

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Hoja de datos

913En existencias

S/16.77

S/10.97

S/8.08

S/7.18

S/6.36

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

7 A

1.2 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

41 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package

STP18N65M2
STMicroelectronics
1: S/13.67
873En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP18N65M2

N.º de artículo de Mouser
511-STP18N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package

Obtenga más información

Hoja de datos

873En existencias

S/13.67

S/7.01

S/6.32

S/5.12

S/4.77

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

12 A

275 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 620V 1.1

STP6N62K3
STMicroelectronics
1: S/11.14
889En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP6N62K3

N.º de artículo de Mouser
511-STP6N62K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 620V 1.1

Obtenga más información

Hoja de datos

889En existencias

S/11.14

S/4.60

S/3.83

S/3.77

S/3.67

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

620 V

5.5 A

1.28 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

34 nC

- 55 C

+ 150 C

90 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 13 Amp Zener SuperMESH

STB13NK60ZT4
STMicroelectronics
1: S/20.34
710En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB13NK60ZT4

N.º de artículo de Mouser
511-STB13NK60Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 13 Amp Zener SuperMESH

Obtenga más información

Hoja de datos

710En existencias

Cinta cortada

S/20.34

S/13.50

S/9.59

S/8.39

Envase tipo carrete

S/8.39

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

13 A

550 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

92 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

SuperMESH

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 400V 2.7 Ohm 2A SuperMESH3

STD3N40K3
STMicroelectronics
1: S/9.42
1,698En existencias
Verificar estado con la fábrica

N.º de artículo del Fabricante
STD3N40K3

N.º de artículo de Mouser
511-STD3N40K3

Verificar estado con la fábrica

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 400V 2.7 Ohm 2A SuperMESH3

Obtenga más información

Hoja de datos

1,698En existencias

Cinta cortada

S/9.42

S/6.02

S/4.17

S/3.53

S/2.95

Envase tipo carrete

S/2.81

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

400 V

1.8 A

3.4 Ohms

- 30 V, 30 V

4.5 V

11 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

SuperMESH

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.57 Ohm 8A FDmesh II PWR

STF10NM60ND
STMicroelectronics
1: S/11.31
946En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
STF10NM60ND

N.º de artículo de Mouser
511-STF10NM60ND

NRND

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.57 Ohm 8A FDmesh II PWR

Obtenga más información

Hoja de datos

946En existencias

S/11.31

S/5.68

S/5.12

S/4.73

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

8 A

600 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 20 Amp

STB20NM50FDT4
STMicroelectronics
1: S/30.06
2,058En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
STB20NM50FDT4

N.º de artículo de Mouser
511-STB20NM50FD

NRND

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 20 Amp

Hoja de datos

2,058En existencias

Cinta cortada

S/30.06

S/20.30

S/15.09

Envase tipo carrete

S/14.10

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

20 A

250 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

38 nC

- 65 C

+ 150 C

192 W

Enhancement

FDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40 Volt 120 Amp

STB100NF04T4
STMicroelectronics
1: S/15.18
1,382En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB100NF04T4

N.º de artículo de Mouser
511-STB100NF04

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40 Volt 120 Amp

Hoja de datos

1,382En existencias

Cinta cortada

S/15.18

S/9.93

S/6.97

S/6.06

Envase tipo carrete

S/5.59

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

4.6 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

110 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 120Amp

STB120NF10T4
STMicroelectronics
1: S/17.59
2,174En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB120NF10T4

N.º de artículo de Mouser
511-STB120NF10

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 120Amp

Obtenga más información

Hoja de datos

2,174En existencias

Cinta cortada

S/17.59

S/11.27

S/8.60

S/7.22

Envase tipo carrete

S/6.15

S/5.85

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

110 A

10.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

172 nC

- 55 C

+ 175 C

312 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75 Volt 120 Amp

STB140NF75T4
STMicroelectronics
1: S/19.31
1,946En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB140NF75T4

N.º de artículo de Mouser
511-STB140NF75

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75 Volt 120 Amp

Obtenga más información

Hoja de datos

1,946En existencias

Cinta cortada

S/19.31

S/12.77

S/9.07

S/8.39

Envase tipo carrete

S/7.70

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

75 V

120 A

7.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

218 nC

- 55 C

+ 175 C

310 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V 0.15Ohm 15A N-Channel

STB19NF20
STMicroelectronics
1: S/8.17
2,722En existencias
1,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
STB19NF20

N.º de artículo de Mouser
511-STB19NF20

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V 0.15Ohm 15A N-Channel

Hoja de datos

2,722En existencias

1,000En pedido

Cinta cortada

S/8.17

S/5.25

S/3.51

S/2.78

Envase tipo carrete

S/2.78

S/2.41

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

15 A

160 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

24 nC

- 55 C

+ 150 C

90 W

Enhancement

MESH OVERLAY

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 40 Amp

STB40NF10LT4
STMicroelectronics
1: S/14.19
1,332En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB40NF10LT4

N.º de artículo de Mouser
511-STB40NF10L

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 40 Amp

Obtenga más información

Hoja de datos

1,332En existencias

Cinta cortada

S/14.19

S/9.25

S/6.45

S/5.50

Envase tipo carrete

S/5.16

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

40 A

30 mOhms

- 15 V, 15 V

1 V

64 nC

- 65 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Low charge STripFET

STB40NF20
STMicroelectronics
1: S/18.06
1,832En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB40NF20

N.º de artículo de Mouser
511-STB40NF20

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Low charge STripFET

Hoja de datos

1,832En existencias

Cinta cortada

S/18.06

S/12.30

S/9.07

S/8.51

Envase tipo carrete

S/8.00

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

40 A

45 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

75 nC

- 55 C

+ 150 C

160 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 55 Amp

STB55NF06LT4
STMicroelectronics
1: S/9.12
3,166En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB55NF06LT4

N.º de artículo de Mouser
511-STB55NF06L

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 55 Amp

Hoja de datos

3,166En existencias

Cinta cortada

S/9.12

S/5.85

S/3.97

S/3.22

Envase tipo carrete

S/2.87

S/2.67

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

55 A

14 mOhms

- 16 V, 16 V

1 V

37 nC

- 55 C

+ 175 C

95 W

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 60 Amp

STB60NF06LT4
STMicroelectronics
1: S/11.01
4,730En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB60NF06LT4

N.º de artículo de Mouser
511-STB60NF06L

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 60 Amp

Hoja de datos

4,730En existencias

Más información disponible

Cinta cortada

S/11.01

S/7.10

S/4.86

S/3.90

Envase tipo carrete

S/3.62

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

60 A

14 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

35 nC

- 65 C

+ 175 C

110 W

Enhancement

AEC-Q100

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75 Volt 75 Amp

STB75NF75LT4
STMicroelectronics
1: S/12.99
1,532En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB75NF75LT4

N.º de artículo de Mouser
511-STB75NF75L

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75 Volt 75 Amp

Hoja de datos

1,532En existencias

Cinta cortada

S/12.99

S/8.43

S/5.85

S/4.90

Envase tipo carrete

S/4.56

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

75 V

75 A

10 mOhms

- 15 V, 15 V

1 V

90 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55 Volt 80 Amp

STB80NF55-06T4
STMicroelectronics
1: S/14.88
1,782En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB80NF55-06T4

N.º de artículo de Mouser
511-STB80NF55-06

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55 Volt 80 Amp

Obtenga más información

Hoja de datos

1,782En existencias

Cinta cortada

S/14.88

S/9.72

S/6.79

S/5.89

Envase tipo carrete

S/5.50

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

55 V

80 A

6.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

189 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-channel 60 V, 0.025 Ohm typ., 35 A STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK package

STD35P6LLF6
STMicroelectronics
1: S/8.82
3,259En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD35P6LLF6

N.º de artículo de Mouser
511-STD35P6LLF6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-channel 60 V, 0.025 Ohm typ., 35 A STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK package

Hoja de datos

3,259En existencias

Más información disponible

Cinta cortada

S/8.82

S/5.63

S/3.81

S/3.03

S/2.81

Envase tipo carrete

S/2.67

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

60 V

35 A

28 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

70 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Low charge STripFET

STF20NF20
STMicroelectronics
1: S/9.07
4,392En existencias
3,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
STF20NF20

N.º de artículo de Mouser
511-STF20NF20

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Low charge STripFET

Hoja de datos

4,392En existencias

3,000En pedido

S/9.07

S/4.47

S/3.92

S/3.18

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

18 A

125 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

28 nC

- 55 C

+ 175 C

90 W

Enhancement

STripFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 2 Amp

STN2NF10
STMicroelectronics
1: S/6.49
25,220En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STN2NF10

N.º de artículo de Mouser
511-STN2NF10

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 2 Amp

Obtenga más información

Hoja de datos

25,220En existencias

Cinta cortada

S/6.49

S/4.08

S/2.77

S/2.21

Ver

Envase tipo carrete

S/1.88

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

SOT-223-4

N-Channel

1 Channel

100 V

2.4 A

260 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

10 nC

- 55 C

+ 150 C

3.3 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30 Volt 6.5 Amp

STN4NF03L
STMicroelectronics
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STN4NF03L

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30 Volt 6.5 Amp

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Min.: 1
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: 4,000

SMD/SMT

SOT-223-4

N-Channel

1 Channel

30 V

6.5 A

50 mOhms

- 16 V, 16 V

1 V

6.5 nC

- 55 C

+ 150 C

3.3 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 4A STripFET

STN4NF06L
STMicroelectronics
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STN4NF06L

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S/1.29

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

SOT-223-4

N-Channel

1 Channel

60 V

4 A

100 mOhms

- 16 V, 16 V

1 V

7 nC

- 55 C

+ 150 C

3.3 W

Enhancement

AEC-Q100

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 1.1 Ohm 1A LGC STripFET II

STN4NF20L
STMicroelectronics
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STN4NF20L

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STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 1.1 Ohm 1A LGC STripFET II

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S/2.40

S/1.66

S/1.28

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S/0.933

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

SOT-223-4

N-Channel

1 Channel

200 V

1 A

1.5 Ohms

- 20 V, 20 V

1 V

900 pC

- 55 C

+ 150 C

3.3 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Soporte

ACEPACK SMIT-9
D2PAK-3 (TO-263-3)
DPAK-3 (TO-252-3)
H2PAK-2
H2PAK-3
H2PAK-6
H2PAK-7
HU3PAK-7
I2PAK-3
IPAK-3
ISOTOP-4
Max247-3
PowerFLAT-2x2-6
PowerFLAT-3.3x3.3-8
PowerFLAT-3.3x3.3-HV-8
PowerFLAT-4
PowerFLAT-5
PowerFLAT-5x5-12
PowerFLAT-5x6-4
PowerFLAT5x6-8

20 V
24 V
30 V
33 V
40 V
45 V
55 V
60 V
65 V
68 V
70 V
75 V
80 V
100 V
120 V
200 V
250 V
300 V
330 V
400 V

250 mA
300 mA
400 mA
430 mA
500 mA
600 mA
1 A
1.2 A
1.4 A
1.5 A
1.8 A
1.85 A
2 A
2.1 A
2.2 A
2.3 A
2.4 A
2.5 A
2.6 A
2.7 A

800 uOhms
1 mOhms
1.1 mOhms
1.15 mOhms
1.2 mOhms
1.27 mOhms
1.3 mOhms
1.6 mOhms
1.68 mOhms
1.7 mOhms
2 mOhms
2.1 mOhms
2.15 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.7 mOhms
2.9 mOhms

700 mV
800 mV
1 V
1.5 V
1.7 V
2 V
2.25 V
2.3 V
2.5 V
3 V
3.2 V
3.25 V
3.5 V
3.75 V
3.8 V
4 V
4.2 V
4.5 V
4.75 V
5 V

900 pC
2.63 nC
3 nC
3.4 nC
3.6 nC
3.7 nC
4 nC
4.5 nC
4.6 nC
4.8 nC
4.9 nC
5 nC
5.3 nC
5.4 nC
5.7 nC
6 nC
6.2 nC
6.4 nC
6.5 nC
6.9 nC

321 mW
350 mW
1.6 W
2 W
2.4 W
2.5 W
2.6 W
2.7 W
2.8 W
2.9 W
3 W
3.1 W
3.2 W
3.3 W
4.8 W
5 W
6 W
20 W
21 W
22 W