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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 1,318

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Fabricante = STMicroelectronics

Tecnología

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5

STP38N65M5
STMicroelectronics
1: S/13.72
450En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP38N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STP38N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5

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450En existencias

S/13.72

S/11.57

S/11.52

S/11.44

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

95 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

71 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PowerMESH Zener SuperMESH

STP4NK60ZFP
STMicroelectronics
1: S/10.41
1,075En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP4NK60ZFP

N.º de artículo de Mouser
511-STP4NK60ZFP

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PowerMESH Zener SuperMESH

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1,075En existencias

S/10.41

S/4.82

S/4.43

S/3.78

S/3.77

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

4 A

2 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

26 nC

- 55 C

+ 150 C

70 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 800V-3ohms Zener SuperMESH 3A

STP4NK80ZFP
STMicroelectronics
1: S/13.07
1,355En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP4NK80ZFP

N.º de artículo de Mouser
511-STP4NK80ZFP

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 800V-3ohms Zener SuperMESH 3A

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1,355En existencias

S/13.07

S/5.03

S/4.77

S/4.56

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

3 A

3.5 Ohms

- 30 V, 30 V

4.5 V

22.5 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 500V-1.22ohms Zener SuperMESH 4.4

STP5NK50ZFP
STMicroelectronics
1: S/11.57
831En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP5NK50ZFP

N.º de artículo de Mouser
511-STP5NK50ZFP

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 500V-1.22ohms Zener SuperMESH 4.4

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831En existencias

S/11.57

S/5.72

S/5.16

S/4.13

S/3.83

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

500 V

4.4 A

1.5 Ohms

- 30 V, 30 V

4.5 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.3Ohm 14A pwr MDmesh K5

STW15N80K5
STMicroelectronics
1: S/21.50
415En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW15N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STW15N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.3Ohm 14A pwr MDmesh K5

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415En existencias

S/21.50

S/12.51

S/10.02

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

800 V

14 A

300 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

32 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.108Ohm typ. 26A MDmesh M2

STW33N60M2
STMicroelectronics
1: S/23.74
394En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW33N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STW33N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.108Ohm typ. 26A MDmesh M2

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394En existencias

S/23.74

S/13.98

S/10.88

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

26 A

108 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

45.5 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 1000 Volt 3.5 A Zener SuperMESH

STW5NK100Z
STMicroelectronics
1: S/22.75
561En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW5NK100Z

N.º de artículo de Mouser
511-STW5NK100Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 1000 Volt 3.5 A Zener SuperMESH

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561En existencias

Más información disponible

S/22.75

S/12.77

S/9.72

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

3.5 A

2.7 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.340 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220 pack

STP15N60M2-EP
STMicroelectronics
1: S/11.27
1,962En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
STP15N60M2-EP

N.º de artículo de Mouser
511-STP15N60M2-EP

NRND

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.340 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220 pack

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1,962En existencias

S/11.27

S/5.85

S/4.77

S/4.29

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

11 A

378 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 340 mOhm typ., 11 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a DPAK package

STD15N60M2-EP
STMicroelectronics
1: S/9.98
2,461En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
STD15N60M2-EP

N.º de artículo de Mouser
511-STD15N60M2-EP

NRND

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 340 mOhm typ., 11 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a DPAK package

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2,461En existencias

Cinta cortada

S/9.98

S/5.50

S/4.18

S/3.74

S/3.12

Envase tipo carrete

S/2.97

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

11 A

378 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 2.4 mOhm typ., 120 A STripFET F6 Power MOSFET i

STLD125N4F6AG
STMicroelectronics
1: S/13.80
2,487En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
STLD125N4F6AG

N.º de artículo de Mouser
511-STLD125N4F6AG

NRND

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 2.4 mOhm typ., 120 A STripFET F6 Power MOSFET i

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2,487En existencias

Cinta cortada

S/13.80

S/9.03

S/6.36

S/5.42

S/4.99

Envase tipo carrete

S/4.99

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

2.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

91 nC

- 55 C

+ 175 C

130 W

Enhancement

AEC-Q101

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A Mdmesh II

STB24NM60N
STMicroelectronics
1: S/30.70
223En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB24NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STB24NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A Mdmesh II

Obtenga más información

Hoja de datos

223En existencias

Cinta cortada

S/30.70

S/20.73

S/15.52

Envase tipo carrete

S/14.23

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

17 A

168 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

46 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.28Ohm 11A Mdmesh II I2PAK

STI13NM60N
STMicroelectronics
1: S/11.61
913En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STI13NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STI13NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.28Ohm 11A Mdmesh II I2PAK

Hoja de datos

913En existencias

S/11.61

S/7.44

S/5.07

S/4.21

S/3.65

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-262-3

N-Channel

1 Channel

600 V

11 A

360 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

30 nC

- 55 C

+ 150 C

90 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 140 mOhm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP ultra

STFU26N60M2
STMicroelectronics
1: S/15.27
922En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STFU26N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STFU26N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 140 mOhm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP ultra

Hoja de datos

922En existencias

S/15.27

S/9.93

S/7.61

S/6.36

S/5.55

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

20 A

165 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

34 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 51 mOhm typ., 39 A MDmesh DM9 Power MOSFET

ST8L60N065DM9
STMicroelectronics
1: S/27.86
234En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ST8L60N065DM9

N.º de artículo de Mouser
511-ST8L60N065DM9

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 51 mOhm typ., 39 A MDmesh DM9 Power MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

234En existencias

Cinta cortada

S/27.86

S/19.09

S/13.98

Envase tipo carrete

S/13.20

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-5

N-Channel

600 V

39 A

65 mOhms

- 30 V, 30 V

4.5 V

66 nC

- 55 C

+ 150 C

202 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 36 mOhm typ., 58 A MDmesh M9 Power MOSFET

ST8L65N044M9
STMicroelectronics
1: S/33.11
225En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ST8L65N044M9

N.º de artículo de Mouser
511-ST8L65N044M9

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 36 mOhm typ., 58 A MDmesh M9 Power MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

225En existencias

Cinta cortada

S/33.11

S/22.58

S/17.24

Envase tipo carrete

S/16.30

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-5

N-Channel

1 Channel

650 V

58 A

44 mOhms

30 V

4.2 V

110 nC

- 55 C

+ 150 C

166 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET

STF80N240K6
STMicroelectronics
1: S/25.54
1,017En existencias
1,000En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
STF80N240K6

N.º de artículo de Mouser
511-STF80N240K6

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

1,017En existencias

1,000En pedido

S/25.54

S/19.31

S/15.57

S/13.85

S/12.26

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

800 V

16 A

220 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

25.9 nC

- 55 C

+ 150 C

27 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP ultra na

STFU28N65M2
STMicroelectronics
1: S/16.60
1,634En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STFU28N65M2

N.º de artículo de Mouser
511-STFU28N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP ultra na

Hoja de datos

1,634En existencias

S/16.60

S/7.65

S/7.10

S/6.41

S/6.36

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

20 A

180 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

35 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 400 Volt 5.4 A Zener SuperMESH

STP7NK40Z
STMicroelectronics
1: S/10.06
2,316En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP7NK40Z

N.º de artículo de Mouser
511-STP7NK40Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 400 Volt 5.4 A Zener SuperMESH

Obtenga más información

Hoja de datos

2,316En existencias

S/10.06

S/3.64

S/3.43

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

400 V

5.4 A

1 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

26 nC

- 55 C

+ 150 C

70 W

Enhancement

SuperMESH

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 51 A MDmesh DM9 Power MOSFET

STH65N050DM9-7AG
STMicroelectronics
1: S/38.70
995En existencias
1,000En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
STH65N050DM9-7AG

N.º de artículo de Mouser
511-STH65N050DM9-7AG

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 51 A MDmesh DM9 Power MOSFET

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Hoja de datos

995En existencias

1,000En pedido

Cinta cortada

S/38.70

S/26.53

S/21.11

Envase tipo carrete

S/19.74

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

650 V

51 A

50 mOhms

30 V

4.5 V

100 nC

- 50 C

+ 150 C

266 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-Channel 40V, 2.6mOhm max, 154A STripFET F8 Power MOSFET

STL165N4F8AG
STMicroelectronics
1: S/8.77
3,047En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
STL165N4F8AG

N.º de artículo de Mouser
511-STL165N4F8AG

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-Channel 40V, 2.6mOhm max, 154A STripFET F8 Power MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

3,047En existencias

Cinta cortada

S/8.77

S/5.63

S/3.79

S/3.01

S/2.79

Envase tipo carrete

S/2.66

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-4

N-Channel

1 Channel

40 V

154 A

2.6 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

28 nC

- 55 C

+ 175 C

111 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Enhancement Mode 40V, 1.1mohm max, 290 STripFET F8 Power MOSFET

STL300N4F8
STMicroelectronics
1: S/11.14
5,946En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
STL300N4F8

N.º de artículo de Mouser
511-STL300N4F8

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Enhancement Mode 40V, 1.1mohm max, 290 STripFET F8 Power MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

5,946En existencias

Cinta cortada

S/11.14

S/7.18

S/4.95

S/3.95

S/3.83

Envase tipo carrete

S/3.68

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

N-Channel

290 A

1.1 mOhms

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 0.85 mOhm max., 545 A STripFET F7 Power MOSFET

STO450N6F7
STMicroelectronics
1: S/24.90
1,795En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
STO450N6F7

N.º de artículo de Mouser
511-STO450N6F7

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 0.85 mOhm max., 545 A STripFET F7 Power MOSFET

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Hoja de datos

1,795En existencias

Cinta cortada

S/24.90

S/18.23

S/13.20

S/13.16

S/12.30

Envase tipo carrete

S/12.30

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,800

SMD/SMT

TO-LL-8

N-Channel

1 Channel

60 V

545 A

850 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

300 nC

- 55 C

+ 175 C

454 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.160 Ohm 19A HV Mdmesh II

STL26NM60N
STMicroelectronics
1: S/21.59
2,119En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL26NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STL26NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.160 Ohm 19A HV Mdmesh II

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2,119En existencias

Cinta cortada

S/21.59

S/17.29

S/12.51

S/12.38

S/11.09

Envase tipo carrete

S/11.01

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-8x8-HV-5

N-Channel

1 Channel

600 V

19 A

160 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

60 nC

- 55 C

+ 150 C

3 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.246 Ohm 12A Mdmesh 2 PWR MO

STF14NM50N
STMicroelectronics
1: S/19.82
1,605En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF14NM50N

N.º de artículo de Mouser
511-STF14NM50N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.246 Ohm 12A Mdmesh 2 PWR MO

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1,605En existencias

S/19.82

S/9.25

S/8.73

S/8.08

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

12 A

320 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

27 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Mdmesh 650V .19 Ohms 1mm TO-220 17A (ID)

STL21N65M5
STMicroelectronics
1: S/18.62
2,712En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL21N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STL21N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Mdmesh 650V .19 Ohms 1mm TO-220 17A (ID)

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2,712En existencias

Cinta cortada

S/18.62

S/14.62

S/12.38

S/11.52

Envase tipo carrete

S/11.52

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-8x8-HV-5

N-Channel

1 Channel

650 V

17 A

175 mOhms

- 25 V, 25 V

5 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

3 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

ACEPACK SMIT-9
D2PAK-3 (TO-263-3)
DPAK-3 (TO-252-3)
H2PAK-2
H2PAK-3
H2PAK-6
H2PAK-7
HU3PAK-7
I2PAK-3
IPAK-3
ISOTOP-4
Max247-3
PowerFLAT-2x2-6
PowerFLAT-3.3x3.3-8
PowerFLAT-3.3x3.3-HV-8
PowerFLAT-4
PowerFLAT-5
PowerFLAT-5x5-12
PowerFLAT-5x6-4
PowerFLAT5x6-8

20 V
24 V
30 V
33 V
40 V
45 V
55 V
60 V
65 V
68 V
70 V
75 V
80 V
100 V
120 V
200 V
250 V
300 V
330 V
400 V

250 mA
300 mA
400 mA
430 mA
500 mA
600 mA
1 A
1.2 A
1.4 A
1.5 A
1.8 A
1.85 A
2 A
2.1 A
2.2 A
2.3 A
2.4 A
2.5 A
2.6 A
2.7 A

800 uOhms
1 mOhms
1.1 mOhms
1.15 mOhms
1.2 mOhms
1.27 mOhms
1.3 mOhms
1.6 mOhms
1.68 mOhms
1.7 mOhms
2 mOhms
2.1 mOhms
2.15 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.7 mOhms
2.9 mOhms

700 mV
800 mV
1 V
1.5 V
1.7 V
2 V
2.25 V
2.3 V
2.5 V
3 V
3.2 V
3.25 V
3.5 V
3.75 V
3.8 V
4 V
4.2 V
4.5 V
4.75 V
5 V

900 pC
2.63 nC
3 nC
3.4 nC
3.6 nC
3.7 nC
4 nC
4.5 nC
4.6 nC
4.8 nC
4.9 nC
5 nC
5.3 nC
5.4 nC
5.7 nC
6 nC
6.2 nC
6.4 nC
6.5 nC
6.9 nC

321 mW
350 mW
1.6 W
2 W
2.4 W
2.5 W
2.6 W
2.7 W
2.8 W
2.9 W
3 W
3.1 W
3.2 W
3.3 W
4.8 W
5 W
6 W
20 W
21 W
22 W