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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 1,318

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Fabricante = STMicroelectronics

Tecnología

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.47 Ohm 9A Mdmesh II PWR MO

STF9NM60N
STMicroelectronics
1: S/11.48
1,612En existencias
1,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
STF9NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STF9NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.47 Ohm 9A Mdmesh II PWR MO

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1,612En existencias

1,000En pedido

S/11.48

S/5.03

S/4.47

S/3.92

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

6.5 A

745 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

17.4 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 550 mOhm typ., 5.5 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6

STL10N60M6
STMicroelectronics
1: S/10.15
1,767En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL10N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STL10N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 550 mOhm typ., 5.5 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6

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1,767En existencias

Cinta cortada

S/10.15

S/6.54

S/4.47

S/3.59

S/3.29

Envase tipo carrete

S/3.23

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-4

N-Channel

1 Channel

600 V

5.5 A

660 mOhms

- 25 V, 25 V

3.25 V

8.8 nC

- 55 C

+ 150 C

48 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 14 Amp Zener SuperMESH

STP14NK50Z
STMicroelectronics
1: S/22.15
671En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP14NK50Z

N.º de artículo de Mouser
511-STP14NK50Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 14 Amp Zener SuperMESH

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671En existencias

S/22.15

S/9.20

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

14 A

380 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

69 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 2,1 Ohm typ., 120 A, STripFET F7 Power MOSFET in a TO-220 packag

STP220N6F7
STMicroelectronics
1: S/12.56
1,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP220N6F7

N.º de artículo de Mouser
511-STP220N6F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 2,1 Ohm typ., 120 A, STripFET F7 Power MOSFET in a TO-220 packag

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1,000En existencias

S/12.56

S/5.89

S/5.63

S/4.56

S/4.34

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

120 A

2.4 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

100 nC

- 55 C

+ 175 C

237 W

Enhancement

STripFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.168 Ohm 18A Mdmesh M2

STP24N60M2
STMicroelectronics
1: S/14.92
1,036En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP24N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STP24N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.168 Ohm 18A Mdmesh M2

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1,036En existencias

S/14.92

S/6.41

S/6.02

S/5.50

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

168 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

29 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V 3.5Ohm typ 2A Zener-protected

STP2N80K5
STMicroelectronics
1: S/4.64
2,819En existencias
2,000Se espera el 27/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
STP2N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STP2N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V 3.5Ohm typ 2A Zener-protected

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2,819En existencias

2,000Se espera el 27/04/2026

S/4.64

S/2.73

S/2.55

S/2.27

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

2 A

3.5 Ohms

- 30 V, 30 V

4 V

3 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5

STP38N65M5
STMicroelectronics
1: S/13.72
450En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP38N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STP38N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5

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450En existencias

S/13.72

S/11.57

S/11.52

S/11.44

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

95 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

71 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PowerMESH Zener SuperMESH

STP4NK60ZFP
STMicroelectronics
1: S/10.41
1,075En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP4NK60ZFP

N.º de artículo de Mouser
511-STP4NK60ZFP

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PowerMESH Zener SuperMESH

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1,075En existencias

S/10.41

S/4.82

S/4.43

S/3.78

S/3.77

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

4 A

2 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

26 nC

- 55 C

+ 150 C

70 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 800V-3ohms Zener SuperMESH 3A

STP4NK80ZFP
STMicroelectronics
1: S/13.07
1,355En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP4NK80ZFP

N.º de artículo de Mouser
511-STP4NK80ZFP

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 800V-3ohms Zener SuperMESH 3A

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1,355En existencias

S/13.07

S/5.03

S/4.77

S/4.56

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

3 A

3.5 Ohms

- 30 V, 30 V

4.5 V

22.5 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 500V-1.22ohms Zener SuperMESH 4.4

STP5NK50ZFP
STMicroelectronics
1: S/11.57
831En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP5NK50ZFP

N.º de artículo de Mouser
511-STP5NK50ZFP

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 500V-1.22ohms Zener SuperMESH 4.4

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Hoja de datos

831En existencias

S/11.57

S/5.72

S/5.16

S/4.13

S/3.83

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

500 V

4.4 A

1.5 Ohms

- 30 V, 30 V

4.5 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.3Ohm 14A pwr MDmesh K5

STW15N80K5
STMicroelectronics
1: S/21.50
415En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW15N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STW15N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.3Ohm 14A pwr MDmesh K5

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Hoja de datos

415En existencias

S/21.50

S/12.51

S/10.02

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

800 V

14 A

300 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

32 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.108Ohm typ. 26A MDmesh M2

STW33N60M2
STMicroelectronics
1: S/23.74
394En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW33N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STW33N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.108Ohm typ. 26A MDmesh M2

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Hoja de datos

394En existencias

S/23.74

S/13.98

S/10.88

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

26 A

108 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

45.5 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 1000 Volt 3.5 A Zener SuperMESH

STW5NK100Z
STMicroelectronics
1: S/22.75
561En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW5NK100Z

N.º de artículo de Mouser
511-STW5NK100Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 1000 Volt 3.5 A Zener SuperMESH

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Hoja de datos

561En existencias

Más información disponible

S/22.75

S/12.77

S/9.72

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

3.5 A

2.7 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30 Volt 17 Amp

STD17NF03LT4
STMicroelectronics
1: S/2.45
6,485En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD17NF03LT4

N.º de artículo de Mouser
511-STD17NF03L

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30 Volt 17 Amp

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6,485En existencias

Cinta cortada

S/2.45

S/1.77

S/1.40

S/1.18

Envase tipo carrete

S/0.937

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

30 V

17 A

50 mOhms

- 16 V, 16 V

1 V

4.8 nC

- 55 C

+ 175 C

30 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package

STD6N65M2
STMicroelectronics
1: S/6.41
3,192En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD6N65M2

N.º de artículo de Mouser
511-STD6N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package

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Hoja de datos

3,192En existencias

Cinta cortada

S/6.41

S/4.05

S/2.70

S/2.12

S/1.93

Envase tipo carrete

S/1.72

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

4 A

1.35 Ohms

- 25 V, 25 V

3 V

9.8 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 550 mOhm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package

STD8N60DM2
STMicroelectronics
1: S/7.87
1,754En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD8N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STD8N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 550 mOhm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package

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Hoja de datos

1,754En existencias

Cinta cortada

S/7.87

S/5.03

S/3.33

S/2.66

S/2.40

Envase tipo carrete

S/2.17

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

8 A

570 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

4 nC

- 55 C

+ 150 C

85 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 1 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in TO-220FP package

STF10N105K5
STMicroelectronics
1: S/15.44
1,020En existencias
1,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
STF10N105K5

N.º de artículo de Mouser
511-STF10N105K5

STMicroelectronics

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Hoja de datos

1,020En existencias

1,000En pedido

S/15.44

S/7.31

S/6.54

S/5.76

S/5.72

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

1.05 kV

6 A

1 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

21.5 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V Mdmesh 8A

STF10NM60N
STMicroelectronics
1: S/15.27
768En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF10NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STF10NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V Mdmesh 8A

Obtenga más información

Hoja de datos

768En existencias

S/15.27

S/7.83

S/7.35

S/6.71

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

10 A

550 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

19 nC

- 55 C

+ 150 C

70 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 950 V, 1 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a H2PAK-2 package

STH6N95K5-2
STMicroelectronics
1: S/14.71
889En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STH6N95K5-2

N.º de artículo de Mouser
511-STH6N95K5-2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 950 V, 1 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a H2PAK-2 package

Hoja de datos

889En existencias

Cinta cortada

S/14.71

S/9.63

S/6.71

S/5.81

Envase tipo carrete

S/5.42

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-2

N-Channel

1 Channel

950 V

6 A

1.25 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

13 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.027 Ohm typ., 7 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3

STL7N10F7
STMicroelectronics
1: S/6.54
3,133En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL7N10F7

N.º de artículo de Mouser
511-STL7N10F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.027 Ohm typ., 7 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3

Obtenga más información

Hoja de datos

3,133En existencias

Cinta cortada

S/6.54

S/3.92

S/2.75

S/2.15

S/1.97

Envase tipo carrete

S/1.76

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-3.3x3.3-8

N-Channel

1 Channel

100 V

7 A

35 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

14 nC

- 55 C

+ 150 C

2.9 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 1.00 Ohm typ., 5.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a SOT223-2 packa

STN6N60M2
STMicroelectronics
1: S/4.30
3,421En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STN6N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STN6N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 1.00 Ohm typ., 5.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a SOT223-2 packa

Obtenga más información

Hoja de datos

3,421En existencias

Cinta cortada

S/4.30

S/2.58

S/1.75

S/1.35

Ver

Envase tipo carrete

S/0.985

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

600 V

5.5 A

1.2 Ohms

- 25 V, 25 V

4 V

6.2 nC

- 55 C

+ 150 C

6 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 400 Volt 9 Amp Zener SuperMESH

STP11NK40Z
STMicroelectronics
1: S/10.92
1,313En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP11NK40Z

N.º de artículo de Mouser
511-STP11NK40Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 400 Volt 9 Amp Zener SuperMESH

Obtenga más información

Hoja de datos

1,313En existencias

S/10.92

S/3.99

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

400 V

9 A

550 mOhms

- 30 V, 30 V

4.5 V

32 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 400V-0.49ohms Zener SuperMESH 9A

STP11NK40ZFP
STMicroelectronics
1: S/13.55
1,232En existencias

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STP11NK40ZFP

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511-STP11NK40ZFP

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 400V-0.49ohms Zener SuperMESH 9A

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S/6.79

S/6.11

S/4.99

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

400 V

9 A

550 mOhms

- 30 V, 30 V

4.5 V

32 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0.190ohm 16A Mdmesh

STP22NM60N
STMicroelectronics
1: S/20.77
609En existencias

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STP22NM60N

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511-STP22NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0.190ohm 16A Mdmesh

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S/9.59

S/9.07

S/8.47

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

16 A

200 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A Mdmesh II

STP24NM60N
STMicroelectronics
1: S/18.40
631En existencias

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STP24NM60N

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511-STP24NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A Mdmesh II

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S/8.08

S/7.61

S/6.92

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

17 A

168 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

46 nC

- 55 C

+ 150 C

120 W

Enhancement

MDmesh

Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Recursos

Soporte

ACEPACK SMIT-9
D2PAK-3 (TO-263-3)
DPAK-3 (TO-252-3)
H2PAK-2
H2PAK-3
H2PAK-6
H2PAK-7
HU3PAK-7
I2PAK-3
IPAK-3
ISOTOP-4
Max247-3
PowerFLAT-2x2-6
PowerFLAT-3.3x3.3-8
PowerFLAT-3.3x3.3-HV-8
PowerFLAT-4
PowerFLAT-5
PowerFLAT-5x5-12
PowerFLAT-5x6-4
PowerFLAT5x6-8

20 V
24 V
30 V
33 V
40 V
45 V
55 V
60 V
65 V
68 V
70 V
75 V
80 V
100 V
120 V
200 V
250 V
300 V
330 V
400 V

250 mA
300 mA
400 mA
430 mA
500 mA
600 mA
1 A
1.2 A
1.4 A
1.5 A
1.8 A
1.85 A
2 A
2.1 A
2.2 A
2.3 A
2.4 A
2.5 A
2.6 A
2.7 A

800 uOhms
1 mOhms
1.1 mOhms
1.15 mOhms
1.2 mOhms
1.27 mOhms
1.3 mOhms
1.6 mOhms
1.68 mOhms
1.7 mOhms
2 mOhms
2.1 mOhms
2.15 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.7 mOhms
2.9 mOhms

700 mV
800 mV
1 V
1.5 V
1.7 V
2 V
2.25 V
2.3 V
2.5 V
3 V
3.2 V
3.25 V
3.5 V
3.75 V
3.8 V
4 V
4.2 V
4.5 V
4.75 V
5 V

900 pC
2.63 nC
3 nC
3.4 nC
3.6 nC
3.7 nC
4 nC
4.5 nC
4.6 nC
4.8 nC
4.9 nC
5 nC
5.3 nC
5.4 nC
5.7 nC
6 nC
6.2 nC
6.4 nC
6.5 nC
6.9 nC

321 mW
350 mW
1.6 W
2 W
2.4 W
2.5 W
2.6 W
2.7 W
2.8 W
2.9 W
3 W
3.1 W
3.2 W
3.3 W
4.8 W
5 W
6 W
20 W
21 W
22 W