.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 942

Filtros aplicados:

Fabricante = Panjit

Tecnología

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Descargar tabla (.CSV)

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 580mohm Super Junction Easy versio

PJMF580N60E1_T0_00201
Panjit
1: S/ 10.23
1,993En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJMF580N60E1_T0_00201

N.º de artículo de Mouser
241-PJMF580N60E1T201

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 580mohm Super Junction Easy versio

Obtenga más información

Hoja de datos

1,993En existencias

S/ 10.23

S/ 6.54

S/ 4.56

S/ 3.84

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

600 V

8 A

580 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

28 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET, 50 V, 350 mA

PJE138KTB89_R1_00701
Panjit
1: S/ 1.68
3,765En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
PJE138KTB89_R1_00701

N.º de artículo de Mouser
241-PJE138KTB89R1701

Nuevo producto

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET, 50 V, 350 mA

Obtenga más información

Hoja de datos

3,765En existencias

Cinta cortada

S/ 1.68

S/ 1.04

S/ 0.658

S/ 0.49

Envase tipo carrete

S/ 0.314

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

SC-89-3

N-Channel

1 Channel

50 V

350 mA

2.5 Ohms

20 V

1.5 V

630 pC

- 55 C

+ 150 C

223 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJQ4407P_R2_00001
Panjit
1: S/ 3.78
3,960En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
PJQ4407P_R2_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJQ4407PR200001

NRND

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

3,960En existencias

Cinta cortada

S/ 3.78

S/ 2.34

S/ 1.60

S/ 1.26

Envase tipo carrete

S/ 0.821

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

30 V

30 A

20 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

11 nC

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJD50N04-AU_L2_000A1
Panjit
1: S/ 5.76
2,894En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
PJD50N04-AU_L2_000A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJD50N04AUL2000A

NRND

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

2,894En existencias

Cinta cortada

S/ 5.76

S/ 3.64

S/ 2.40

S/ 1.88

S/ 1.71

Envase tipo carrete

S/ 1.49

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TO-252AA-3

N-Channel

1 Channel

40 V

50 A

14 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

22 nC

- 55 C

+ 175 C

64.9 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJD45N15S-AU_L2_006A1
Panjit
1: S/ 12.64
2,925En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
PJD45N15S-AU_L2_006A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJD45N15SAUL26A1

Nuevo producto

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

2,925En existencias

Cinta cortada

S/ 12.64

S/ 8.21

S/ 5.68

S/ 4.73

S/ 4.52

Envase tipo carrete

S/ 4.43

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TO-252AA-2

N-Channel

1 Channel

150 V

40 A

25 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

36 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V/ 280mohms / 13.8A/ Easy to driver SJ MOSFET

PJMD280N60E1_L2_00601
Panjit
1: S/ 8.30
2,985En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
PJMD280N60E1_L2_00601

N.º de artículo de Mouser
241-PJMD280N60E1L206

Nuevo producto

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V/ 280mohms / 13.8A/ Easy to driver SJ MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

2,985En existencias

Cinta cortada

S/ 8.30

S/ 5.29

S/ 3.57

S/ 2.83

S/ 2.58

Envase tipo carrete

S/ 2.46

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Through Hole

TO-252AA-3

N-Channel

1 Channel

600 V

13.8 A

280 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

27 nC

- 55 C

+ 150 C

122.7 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V/ 105mOhms / 35A/ SJ MOSFET with Fast Recovery Qrr/trr / Ruggednss

PJMF105N60FRC_T0_00601
Panjit
1: S/ 26.40
2,000En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
PJMF105N60FRC_T0_00601

N.º de artículo de Mouser
241-PJMF105N60FRCT06

Nuevo producto

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V/ 105mOhms / 35A/ SJ MOSFET with Fast Recovery Qrr/trr / Ruggednss

Obtenga más información

Hoja de datos

2,000En existencias

S/ 26.40

S/ 14.88

S/ 13.59

S/ 12.81

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

ITO-220AB-3

N-Channel

1 Channel

600 V

35 A

105 mOhms

- 30 V, 30 V

5.8 V

60 nC

- 55 C

+ 150 C

34 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V/ 99mohms / 39A/ Easy to driver SJ MOSFET

PJMH099N60EC_T0_00601
Panjit
1: S/ 26.06
830En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
PJMH099N60EC_T0_00601

N.º de artículo de Mouser
241-PJMH099N60ECT006

Nuevo producto

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V/ 99mohms / 39A/ Easy to driver SJ MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

830En existencias

S/ 26.06

S/ 15.01

S/ 14.49

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247AD-3

N-Channel

1 Channel

600 V

39 A

99 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

60 nC

- 55 C

+ 150 C

308 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V/ 105mOhms / 35A/ SJ MOSFET with Fast Recovery Qrr/trr / Ruggednss

PJMP105N60FRC_T0_00601
Panjit
1: S/ 26.40
2,000En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
PJMP105N60FRC_T0_00601

N.º de artículo de Mouser
241-PJMP105N60FRCT06

Nuevo producto

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V/ 105mOhms / 35A/ SJ MOSFET with Fast Recovery Qrr/trr / Ruggednss

Obtenga más información

Hoja de datos

2,000En existencias

S/ 26.40

S/ 14.88

S/ 13.59

S/ 12.81

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220AB-L-3

N-Channel

1 Channel

600 V

35 A

105 mOhms

- 30 V, 30 V

5.8 V

60 nC

- 55 C

+ 150 C

329 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET, 60 V, 215 A

PJP125N06SA-AU_T0_006A1
Panjit
1: S/ 11.57
1,980En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
PJP125N06SA-AU_T0_006A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJP125N06SAAU6A1

Nuevo producto

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET, 60 V, 215 A

Obtenga más información

Hoja de datos

1,980En existencias

S/ 11.57

S/ 5.72

S/ 5.12

S/ 4.12

S/ 3.87

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220AB-3

N-Channel

1 Channel

60 V

215 A

2.6 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

82 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

AEC-Q101

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET

PJQ4524P-AU_R2_002A1
Panjit
1: S/ 5.29
4,698En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
PJQ4524P-AU_R2_002A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJQ4524PAUR22A1

Nuevo producto

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

4,698En existencias

Cinta cortada

S/ 5.29

S/ 3.32

S/ 2.19

S/ 1.70

S/ 1.41

Envase tipo carrete

S/ 1.32

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

DFN-3333-8

N-Channel

1 Channel

30 V

80 A

4.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

21 nC

- 55 C

+ 175 C

45.5 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET

PJQ4528P-AU_R2_002A1
Panjit
1: S/ 5.50
5,000En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
PJQ4528P-AU_R2_002A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJQ4528PAUR22A1

Nuevo producto

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

5,000En existencias

Cinta cortada

S/ 5.50

S/ 3.44

S/ 2.27

S/ 1.79

Ver

Envase tipo carrete

S/ 1.41

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

DFN-3333-8

N-Channel

1 Channel

30 V

55 A

6.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

10.7 nC

- 55 C

+ 175 C

32 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJQ4594P-AU_R2_002A1
Panjit
1: S/ 8.30
4,533En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
PJQ4594P-AU_R2_002A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJQ4594PAUR22A1

Nuevo producto

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

4,533En existencias

Cinta cortada

S/ 8.30

S/ 5.29

S/ 3.57

S/ 2.83

Ver

Envase tipo carrete

S/ 2.46

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

DFN-3333-8

N-Channel

1 Channel

150 V

18 A

50 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

22 nC

- 55 C

+ 175 C

50 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJQ5592-AU_R2_002A1
Panjit
1: S/ 13.03
2,579En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
PJQ5592-AU_R2_002A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJQ5592AUR2002A1

Nuevo producto

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

2,579En existencias

Cinta cortada

S/ 13.03

S/ 8.47

S/ 5.85

S/ 4.90

S/ 4.69

Envase tipo carrete

S/ 4.60

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

DFN-5060-8

N-Channel

1 Channel

150 V

42 A

21 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

36 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJQ5594-AU_R2_002A1
Panjit
1: S/ 9.16
2,824En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
PJQ5594-AU_R2_002A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJQ5594AUR2002A1

Nuevo producto

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

2,824En existencias

Cinta cortada

S/ 9.16

S/ 5.85

S/ 3.96

S/ 3.16

S/ 2.95

Envase tipo carrete

S/ 2.81

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

DFN-5060-8

N-Channel

1 Channel

150 V

25 A

49 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

22 nC

- 55 C

+ 175 C

79 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V/ 3.3mohms / TO-263AB for Industrail market

PSMB033N10NS2_R2_00201
Panjit
1: S/ 20.34
2,238En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
PSMB033N10NS2_R2_00201

N.º de artículo de Mouser
241-PSMB033N10NS2R22

Nuevo producto

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V/ 3.3mohms / TO-263AB for Industrail market

Obtenga más información

Hoja de datos

2,238En existencias

Cinta cortada

S/ 20.34

S/ 13.46

S/ 9.59

S/ 8.34

Envase tipo carrete

S/ 8.34

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

Through Hole

TO-263AB-3

N-Channel

1 Channel

100 V

219 A

3.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

65 nC

- 55 C

+ 175 C

333 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 74m ohms 53A Fast Recovery Qrr trr Ruggednss

PJMH074N60FRC
Panjit
1: S/ 39.47
1,470En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJMH074N60FRC

N.º de artículo de Mouser
241-PJMH074N60FRC

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 74m ohms 53A Fast Recovery Qrr trr Ruggednss

Obtenga más información

Hoja de datos

1,470En existencias

S/ 39.47

S/ 29.37

S/ 24.42

S/ 21.76

S/ 20.38

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247AD-3LD

N-Channel

1 Channel

600 V

53 A

74 mOhms

- 30 V, 30 V

4.5 V

84 nC

- 55 C

+ 150 C

446 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJQ44605AP-AU_R2_002A1
Panjit
1: S/ 5.16
3,470En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
PJQ44605AP-AU_R2_002A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJQ44605APAUR200

Nuevo producto

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

3,470En existencias

Cinta cortada

S/ 5.16

S/ 3.24

S/ 2.13

S/ 1.66

Ver

Envase tipo carrete

S/ 1.27

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

DFN3333-8L

P-Channel

1 Channel

60 V

38 A

28 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

44 nC

- 55 C

+ 175 C

75 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJQ44607AP-AU_R2_002A1
Panjit
1: S/ 4.21
4,756En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
PJQ44607AP-AU_R2_002A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJQ44607AUR202A1

Nuevo producto

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

4,756En existencias

Cinta cortada

S/ 4.21

S/ 2.64

S/ 1.72

S/ 1.33

Envase tipo carrete

S/ 0.972

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

DFN3333-8

P-Channel

1 Channel

60 V

25 A

41 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

35 nC

- 55 C

+ 175 C

54 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJQ44611AP-AU_R2_002A1
Panjit
1: S/ 3.23
4,257En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
PJQ44611AP-AU_R2_002A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJQ4461AUR2002A1

Nuevo producto

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

4,257En existencias

Cinta cortada

S/ 3.23

S/ 1.98

S/ 1.29

S/ 0.98

Envase tipo carrete

S/ 0.701

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

DFN3333-8

P-Channel

60 V

13 A

84 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

18 nC

- 55 C

+ 175 C

31 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJD25N04V-AU_L2_002A1
Panjit
1: S/ 3.61
2,990En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJD25N04V-AU_L2_002A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJD25N04VAUL22A1

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

2,990En existencias

Cinta cortada

S/ 3.61

S/ 3.07

Envase tipo carrete

S/ 3.07

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TO-252AA-2

N-Channel

1 Channel

40 V

42 A

11.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

9.5 nC

- 55 C

+ 175 C

36 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJD30N04S-AU_L2_002A1
Panjit
1: S/ 3.61
2,890En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJD30N04S-AU_L2_002A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJD30N04SAUL22A1

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

2,890En existencias

Cinta cortada

S/ 3.61

S/ 2.76

Envase tipo carrete

S/ 2.76

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TO-252AA-2

N-Channel

1 Channel

40 V

43 A

10.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

13 nC

- 55 C

+ 175 C

36 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJD40P03E-AU_L2_006A1
Panjit
1: S/ 3.61
2,989En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJD40P03E-AU_L2_006A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJD40P03EAUL26A1

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

2,989En existencias

Cinta cortada

S/ 3.61

S/ 2.30

Envase tipo carrete

S/ 2.30

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TO-252AA-3

P-Channel

1 Channel

30 V

33 A

30.7 mOhms

- 25 V, 25 V

2.5 V

22 nC

- 55 C

+ 175 C

33 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJD50N04V-AU_L2_002A1
Panjit
1: S/ 4.47
3,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJD50N04V-AU_L2_002A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJD50N04VAUL22A1

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

3,000En existencias

Cinta cortada

S/ 4.47

S/ 3.38

Envase tipo carrete

S/ 3.38

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TO-252AA-2

N-Channel

1 Channel

40 V

80 A

5.9 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJD55N04S-AU_L2_002A1
Panjit
1: S/ 4.47
5,817En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJD55N04S-AU_L2_002A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJD55N04SAUL22A1

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

5,817En existencias

Cinta cortada

S/ 4.47

S/ 3.07

Envase tipo carrete

S/ 3.07

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TO-252AA-2

N-Channel

1 Channel

40 V

87 A

5.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

20 nC

- 55 C

+ 175 C

71 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

D2PAK-3 (TO-263-3)
DFN-1006-3
DFN2020B-6
DFN-2020B-6
DFN3333-8
DFN-3333-8
DFN3333-8L
DFN3333S-8L
DFN5060-8
DFN-5060-8
DFN5060B-8
DFN-5060B-8
DFN5060S-8L
DFN-5060X-8
DFN5060XC-8
DFN-8
DPAK-3 (TO-252-3)
ITO-220AB-3
ITO-220AB-F
ITO-220AB-F-3

19 mA
115 mA
160 mA
170 mA
200 mA
200 mA, 360 mA
250 mA
300 mA
350 mA
360 mA
400 mA
500 mA
500 mA, 500 mA
600 mA
700 mA
700 mA, 1 A
750 mA
800 mA
900 mA
1 A

640 uOhms
700 uOhms
830 uOhms
960 uOhms
1.4 mOhms
1.5 mOhms
1.52 mOhms
1.6 mOhms
1.7 mOhms
1.77 mOhms
1.8 mOhms
1.88 mOhms
1.9 mOhms
1.92 mOhms
2 mOhms
2.1 mOhms
2.2 mOhms
2.4 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms

630 pC
700 pC
800 pC
820 pC
870 pC
900 pC
920 pC
950 pC
1.1 nC
1.3 nC
1.4 nC
1.5 nC
1.6 nC
1.6 nC, 2.2 nC
1.7 nC
1.8 nC
2.2 nC
3.1 nC
3.3 nC
4.1 nC

200 mW
223 mW
236 mW
300 mW
350 mW
500 mW
700 mW
1.25 W
1.5 W
1.6 W
1.7 W
2 W
2.1 W
2.4 W
2.5 W
3 W
3.1 W
3.3 W
9.6 W
10.4 W