Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PHB47NQ10T/SOT404/D2PAK 4,900En existencias
Min.: 1
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: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 47 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 66 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7S1R2-40H/SOT1235/LFPAK88 1,910En existencias
Min.: 1
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: 2,000

Si SMD/SMT LFPAK-88-4 N-Channel 1 Channel 43 V 300 A 2.6 mOhms - 20 V, 20 V 4.3 V 80 nC - 55 C + 175 C 294 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1235 N-CH 40V 140A 9,095En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000

Si SMD/SMT LFPAK-88-4 N-Channel 1 Channel 40 V 140 A 2.5 mOhms - 10 V, 20 V 4.3 V 38 nC - 55 C + 175 C 135 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PHB21N06LT/SOT404/D2PAK 4,790En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 55 V 19 A 70 mOhms - 15 V, 15 V 1 V 9.4 nC - 55 C + 175 C 56 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK764R4-60E/SOT404/D2PAK 4,632En existencias
4,000En pedido
Min.: 1
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: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 82 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 N-CH 40V 95A 4,417En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 40 V 95 A 4.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.15 V 14 nC - 55 C + 175 C 90 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK765R0-100E/SOT404/D2PAK 4,873En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 120 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 180 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 120A 5,988En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 53 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 25V 300A 4,092En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-56-4 N-Channel 1 Channel 25 V 300 A 700 uOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 43 nC - 55 C + 175 C 268 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1205 100V 13A 6,095En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 100 V 13 A 61 mOhms, 61 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 13.6 nC - 55 C + 175 C 38 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 120A 2,980En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-56-5 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 1.07 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 90.5 nC - 55 C + 175 C 217 W Enhancement Trench 9 Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 60V 110A 7,104En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 60 V 110 A 5.6 mOhms - 10 V, 10 V 2.1 V 88 nC - 55 C + 175 C 194 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 N-CH 30V 70A 16,392En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 30 V 70 A 5.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 29.3 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN4R5-40BS/SOT404/D2PAK 2,947En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 42.3 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMGD280UN/SOT363/SC-88 170,187En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT TSSOP-6 N-Channel 2 Channel 20 V 870 mA 340 mOhms - 8 V, 8 V 450 mV 890 pC - 55 C + 150 C 400 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y14-80E/SOT669/LFPAK 1,087En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 80 V 62 A 12.2 mOhms - 15 V, 15 V 1.7 V 28.9 nC - 55 C + 175 C 147 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMV240ENEA/SOT23/TO-236AB 482En existencias
6,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 850 mA 320 mOhms - 20 V, 20 V 2.6 V 610 pC - 55 C + 175 C 390 mW Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 30V 265A 158En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 30 V 265 A 1.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 46 nC - 55 C + 175 C 192 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 5.7 mOhm, logic level Trench MOSFET in MLPAK33 25En existencias
Min.: 1
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Máx.: 30
: 3,000

Si SMD/SMT MLPAK33-8 N-Channel 1 Channel 60 V 83 A 5.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 16.5 nC - 55 C + 150 C 79 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 60V 17A 1,252En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-56-5 N-Channel 1 Channel 60 V 17 A 38.2 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 7.8 nC - 55 C + 175 C 37 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK763R9-60E/SOT404/D2PAK 60En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 8.5 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 103 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN4R0-25YLC/SOT669/LFPAK 1,328En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 25 V 84 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.53 V 22.8 nC - 55 C + 175 C 61 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Q4R6-40H/SOT8002/MLPAK33 18En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT MLPAK33-8 N-Channel 1 Channel 40 V 90 A 4.6 mOhms 20 V 2.05 V 38 nC - 55 C + 175 C 84 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NX3020NAK-Q/SOT23/TO-236AB 738En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 250 mA 3 Ohms 20 V 1.5 V 210 pC - 55 C + 175 C 390 mW Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NX3020NAKW-Q/SOT323/SC-70 2,971En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SC-70-3 N-Channel 1 Channel 30 V 220 mA 3 Ohms 20 V 1.5 V 210 pC - 55 C + 175 C 310 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel