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IXYS X-Class Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 36

Filtros aplicados:

Fabricante = IXYS Serie = X-Class

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Nombre comercial

Restablecer todos

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En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET

IXFH20N85X
IXYS
1: S/47.04
287En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH20N85X

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH20N85X

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

287En existencias

S/47.04

S/28.04

S/25.80

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

850 V

20 A

330 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

63 nC

- 55 C

+ 150 C

540 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET

IXFK50N85X
IXYS
1: S/82.99
371En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFK50N85X

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK50N85X

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

371En existencias

S/82.99

S/53.06

S/53.02

S/46.40

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

850 V

50 A

105 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

152 nC

- 55 C

+ 150 C

890 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1000V 32A TO-268HV Power MOSFET

IXFT32N100XHV
IXYS
1: S/90.95
257En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFT32N100XHV

N.º de artículo de Mouser
747-IXFT32N100XHV

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1000V 32A TO-268HV Power MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

257En existencias

S/90.95

S/79.16

S/73.62

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D3PAK-3 (TO-268-3)

N-Channel

1 Channel

1 kV

32 A

220 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

130 nC

- 55 C

+ 150 C

890 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/9A Power MOSFET

IXTH20N65X
IXYS
1: S/49.06
265En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTH20N65X

N.º de artículo de Mouser
747-IXTH20N65X

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/9A Power MOSFET

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Hoja de datos

265En existencias

S/49.06

S/37.20

S/30.96

S/27.61

S/26.19

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

20 A

210 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

35 nC

- 55 C

+ 150 C

320 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/64A Power MOSFET

IXTH64N65X
IXYS
1: S/70.52
3En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTH64N65X

N.º de artículo de Mouser
747-IXTH64N65X

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/64A Power MOSFET

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Hoja de datos

3En existencias

S/70.52

S/54.57

S/47.17

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

64 A

51 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

143 nC

- 55 C

+ 150 C

890 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 850V 14A N-CH X3CLASS

IXFH14N85X
IXYS
1: S/41.58
219En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH14N85X

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH14N85X

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 850V 14A N-CH X3CLASS

Obtenga más información

Hoja de datos

219En existencias

S/41.58

S/28.08

S/22.45

S/21.46

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET

IXFP20N85X
IXYS
1: S/41.54
238En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFP20N85X

N.º de artículo de Mouser
747-IXFP20N85X

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

238En existencias

S/41.54

S/26.19

S/22.79

S/21.16

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

850 V

20 A

330 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

63 nC

- 55 C

+ 150 C

540 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1000V 52A PLUS247 Power MOSFET

IXFX52N100X
IXYS
1: S/155.06
194En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFX52N100X

N.º de artículo de Mouser
747-IXFX52N100X

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1000V 52A PLUS247 Power MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

194En existencias

S/155.06

S/115.11

S/111.37

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-PLUS-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

52 A

125 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

245 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 mW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1000V 26A TO-268HV Power MOSFET

IXFT26N100XHV
IXYS
1: S/89.61
140En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFT26N100XHV

N.º de artículo de Mouser
747-IXFT26N100XHV

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1000V 26A TO-268HV Power MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

140En existencias

S/89.61

S/59.43

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

TO-268-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

8 A

320 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

113 nC

- 55 C

+ 150 C

860 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1000V 32A TO-247 Power MOSFET

IXFH32N100X
IXYS
1: S/100.79
494En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH32N100X

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH32N100X

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1000V 32A TO-247 Power MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

494En existencias

S/100.79

S/64.24

S/59.51

S/59.47

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

32 A

220 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

130 nC

- 55 C

+ 150 C

890 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET

IXFA20N85XHV
IXYS
1: S/41.11
30En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFA20N85XHV

N.º de artículo de Mouser
747-IXFA20N85XHV

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

30En existencias

S/41.11

S/22.75

S/20.90

S/18.62

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

850 V

20 A

330 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

63 nC

- 55 C

+ 150 C

540 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 850V/14A UlJun XCl

IXFP14N85XM
IXYS
1: S/32.55
19En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFP14N85XM

N.º de artículo de Mouser
747-IXFP14N85XM

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 850V/14A UlJun XCl

Obtenga más información

Hoja de datos

19En existencias

S/32.55

S/17.76

S/16.25

S/13.80

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

850 V

14 A

550 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

30 nC

- 55 C

+ 150 C

460 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET

IXFT50N85XHV
IXYS
1: S/74.52

N.º de artículo del Fabricante
IXFT50N85XHV

N.º de artículo de Mouser
747-IXFT50N85XHV

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

Más información disponible

S/74.52

S/54.27

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D3PAK-3 (TO-268-3)

N-Channel

1 Channel

850 V

50 A

105 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

152 nC

- 55 C

+ 150 C

890 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 850V 3.5A N-CH XCLASS

IXFA4N85X
IXYS
1: S/22.06
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXFA4N85X

N.º de artículo de Mouser
747-IXFA4N85X

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 850V 3.5A N-CH XCLASS

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

S/22.06

S/12.08

S/10.97

S/9.85

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 850V/8A U-Junc X-Cla ss Power MOSFET

IXFA8N85XHV
IXYS
300: S/20.64
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXFA8N85XHV

N.º de artículo de Mouser
747-IXFA8N85XHV

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 850V/8A U-Junc X-Cla ss Power MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

S/20.64

S/20.08

Min.: 300
Mult.: 50

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

850 V

8 A

850 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

200 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1000V 70A PLUS264 Power MOSFET

IXFB70N100X
IXYS
1: S/215.65
Plazo de entrega 26 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXFB70N100X

N.º de artículo de Mouser
747-IXFB70N100X

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1000V 70A PLUS264 Power MOSFET

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Hoja de datos

Plazo de entrega 26 Semanas

S/215.65

S/153.94

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PLUS-264-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

70 A

89 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

350 nC

- 55 C

+ 150 C

1.785 mW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 850V/90A Ultra Junction X-Class

IXFB90N85X
IXYS
300: S/132.61
Plazo de entrega no en existencias 41 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXFB90N85X

N.º de artículo de Mouser
747-IXFB90N85X

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 850V/90A Ultra Junction X-Class

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 41 Semanas

S/132.61

Min.: 300
Mult.: 25

Through Hole

PLUS-264-3

N-Channel

1 Channel

850 V

90 A

41 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

340 nC

- 55 C

+ 150 C

1.785 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1000V 26A TO-247 Power MOSFET

IXFH26N100X
IXYS
1: S/84.84
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXFH26N100X

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH26N100X

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1000V 26A TO-247 Power MOSFET

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

S/84.84

S/53.28

S/47.73

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

8 A

320 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

113 nC

- 55 C

+ 150 C

860 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 850V 30A N-CH XCLASS

IXFH30N85X
IXYS
300: S/32.29
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXFH30N85X

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH30N85X

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 850V 30A N-CH XCLASS

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

S/32.29

Min.: 300
Mult.: 30

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

850 V

30 A

220 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

68 nC

- 55 C

+ 150 C

695 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 850V 9.5A N-CH XCLASS

IXFJ20N85X
IXYS
300: S/34.74
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXFJ20N85X

N.º de artículo de Mouser
747-IXFJ20N85X

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 850V 9.5A N-CH XCLASS

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

S/34.74

S/34.14

Min.: 300
Mult.: 30

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

850 V

9.5 A

360 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

63 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 52A 1000V POWER MOSFET

IXFK52N100X
IXYS
1: S/147.75
Plazo de entrega no en existencias 36 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXFK52N100X

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK52N100X

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 52A 1000V POWER MOSFET

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 36 Semanas

S/147.75

S/110.04

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

52 A

125 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

245 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET

IXFK66N85X
IXYS
300: S/85.31
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXFK66N85X

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK66N85X

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

S/85.31

Min.: 300
Mult.: 25

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

850 V

66 A

65 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

230 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 850V 14A N-CH XCLASS

IXFP14N85X
IXYS
300: S/16.25
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXFP14N85X

N.º de artículo de Mouser
747-IXFP14N85X

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 850V 14A N-CH XCLASS

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

S/16.25

S/15.78

Min.: 300
Mult.: 50

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

850 V

14 A

550 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

30 nC

- 55 C

+ 150 C

460 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 850V 4A N-CH XCLASS

IXFP4N85X
IXYS
1: S/21.76
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXFP4N85X

N.º de artículo de Mouser
747-IXFP4N85X

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 850V 4A N-CH XCLASS

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

S/21.76

S/11.35

S/10.28

S/9.25

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

850 V

3.5 A

2.5 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

7 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 850V/3.5A UlJun XCl HiPerFET Pwr MOSFET

IXFP4N85XM
IXYS
1: S/18.45
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXFP4N85XM

N.º de artículo de Mouser
747-IXFP4N85XM

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 850V/3.5A UlJun XCl HiPerFET Pwr MOSFET

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

S/18.45

S/9.46

S/8.56

S/7.05

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

850 V

3.5 A

2.5 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

7 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

IXYS X-Class Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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