5115 Transistor de unión de efecto de campo (JFET)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Configuración
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Vds - Tensión disruptiva entre puerta y fuente
Voltaje de corte puerta-fuente
Corriente de la fuente de drenaje en VGS = 0
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Dp - Disipación de potencia
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Serie
Empaquetado
Microchip Technology Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET
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51En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-18-3 P-Channel Single 30 V 30 V 3 V to 6 V - 60 mA to - 15 mA 100 Ohms 500 mW - 65 C + 200 C Bulk
InterFET Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET P-Channel 30V Low Noise
Hoja de datos
143En existencias
Más información disponible
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel Single - 15 V 30 V 6 V - 60 mA 100 Ohms Bulk
InterFET Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET P-Channel 30V Low Noise
Hoja de datos
8En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-18-3 P-Channel Single - 15 V 30 V 6 V - 60 mA - 15 mA 100 Ohms 500 mW (1/2 W) 2N51 Bulk
Microchip Technology Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 100
Mult.: 1
Si Through Hole TO-18-3 P-Channel Single 30 V 30 V 6 V 7 mA 100 Ohms 500 mW - 65 C + 200 C
Microchip Technology Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 100
Mult.: 1
Si Through Hole TO-18-3 P-Channel Single 30 V 30 V 6 V 7 mA 100 Ohms 500 mW - 65 C + 200 C
Microchip Technology Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 100
Mult.: 1
Si SMD/SMT UB-4 P-Channel - 800 mV 30 V 6 V - 60 mA 100 Ohms 500 mW - 65 C + 200 C
Microchip Technology Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 100
Mult.: 1
Si SMD/SMT UB-4 P-Channel - 800 mV 30 V 6 V - 60 mA 100 Ohms 500 mW - 65 C + 200 C
Microchip Technology Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 100
Mult.: 1
Si SMD/SMT UB-4 P-Channel - 800 mV 30 V 6 V - 60 mA 100 Ohms 500 mW - 65 C + 200 C
Microchip Technology Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 100
Mult.: 1
Si SMD/SMT UB-4 P-Channel - 800 mV 30 V 6 V - 60 mA 100 Ohms 500 mW - 65 C + 200 C
Microchip Technology Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 100
Mult.: 1
Si SMD/SMT UB-4 P-Channel - 800 mV 30 V 6 V - 60 mA 100 Ohms 500 mW - 65 C + 200 C
Microchip Technology Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET
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No en existencias
Min.: 100
Mult.: 1
No
Si Through Hole TO-18 P-Channel Single 30 V 30 V 6 V - 60 mA - 1 nA 100 Ohms 500 mW - 65 C + 200 C Bulk
Microchip Technology Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET
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Min.: 100
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Si SMD/SMT P-Channel Single 30 V 30 V 6 V 100 Ohms 500 mW - 65 C + 200 C
InterFET Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET P-Channel 30V Low Noise
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Mult.: 1,000
: 1,000

Reel
Microchip Technology Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET
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No
Si Through Hole TO-18-3 Bulk
Microchip Technology 2N5115UB/TR
Microchip Technology Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET
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Mult.: 1

Bulk
Microchip Technology 2N5115UB
Microchip Technology Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET
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No
Si Waffle