Power MOS V Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado

Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS5 300 V 85 mOhm TO-247
Hoja de datos
563En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 40 A 85 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 130 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Power MOS V Tube
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FREDFET MOS5 200 V 22 mOhm TO-264
Hoja de datos
35En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 200 V 100 A 22 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 435 nC - 55 C + 150 C 520 W Enhancement Power MOS V Tube
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS5 200 V 38 mOhm TO-268
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 N-Channel 1 Channel 200 V 67 A 38 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 148 nC - 55 C + 150 C 370 W Enhancement Power MOS V Tube