Power MOS 7 Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado

Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS7 500 V 14 Ohm TO-247
Hoja de datos
520En existencias
74En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 35 A 140 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 72 nC - 55 C + 150 C 403 W Enhancement Power MOS 7 Tube
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS7 800 V 20 Ohm TO-247 MAX
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 30
Mult.: 1

Si Through Hole T-MAX-3 N-Channel 1 Channel 800 V 38 A 200 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 195 nC - 55 C + 150 C 694 W Enhancement Power MOS 7 Tube