POWER MOS 8 IGBTs

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Paquete / Cubierta
Estilo de montaje
Configuración
Máx. voltaje VCEO colector-emisor
Voltaje de saturación colector-emisor
Máximo voltaje puerta-emisor
Colector de Corriente Continua a 25 C
Dp - Disipación de potencia
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Empaquetado
Microchip Technology IGBTs IGBT PT MOS 8 Combi 600 V 80 A TO-264
Hoja de datos
Más información disponible
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-264-3 Through Hole Single 600 V 2 V - 30 V, 30 V 143 A 625 W - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology IGBTs IGBT PT MOS 8 Combi 900 V 64 A TO-264
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-264-3 Through Hole Single 900 V 2.5 V - 20 V, 20 V 117 A 500 W - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology IGBTs IGBT PT MOS 8 Single 600 V 80 A TO-247
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 2 V - 20 V, 20 V 143 A 625 W - 55 C + 150 C Tube