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OptiMOS 7 Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 74

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Serie = OptiMOS 7

Tecnología

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 power MOSFET for automotive applications

IAUCN04S7N010GATMA1
Infineon Technologies
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IAUCN04S7N010GATMA1

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726-IAUCN04S7N010GAT

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 power MOSFET for automotive applications

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S/9.03

S/5.81

S/4.00

S/3.39

S/2.88

Envase tipo carrete

S/2.69

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: 5,000

SMD/SMT

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1 Channel

40 V

252 A

1.04 mOhms

20 V

3 V

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- 55 C

+ 175 C

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250 A, 40 V, Automotive Power MOSFET with OptiMOS-7 Technology

IAUMN04S7N005GAUMA1
Infineon Technologies
1: S/19.95
2,288En existencias
200En pedido
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250 A, 40 V, Automotive Power MOSFET with OptiMOS-7 Technology

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S/19.95

S/13.20

S/10.32

S/9.20

S/8.13

Envase tipo carrete

S/8.13

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OptiMOS

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IAUCN04S7N040DATMA1
Infineon Technologies
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IAUCN04S7N040DATMA1

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726-IAUCN04S7N040DAT

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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S/9.29

S/5.93

S/3.97

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MouseReel Disponible

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OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200 A, 40 V, Automotive Power MOSFET with OptiMOS-7 Technology

IAUMN04S7N006GAUMA1
Infineon Technologies
1: S/14.19
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200En pedido
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IAUMN04S7N006GAUMA1

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S/14.19

S/9.72

S/8.26

S/6.62

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 A, 40 V, Automotive Power MOSFET with OptiMOS-7 Technology

IAUMN04S7N011GAUMA1
Infineon Technologies
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S/13.89

S/9.03

S/6.62

S/5.55

S/5.16

Envase tipo carrete

S/4.82

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUCN08S7L024ATMA1
Infineon Technologies
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IAUCN08S7L024ATMA1

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726-IAUCN08S7L024ATM

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S/13.85

S/8.17

S/6.19

S/4.99

S/4.64

Envase tipo carrete

S/4.22

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OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUCN10S7L040ATMA1
Infineon Technologies
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IAUCN10S7L040ATMA1

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726-IAUCN10S7L040ATM

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S/8.56

S/6.49

S/5.25

S/4.95

Envase tipo carrete

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

IQEH64NE2LM7UCGSCATMA1
Infineon Technologies
1: S/14.10
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IQEH64NE2LM7UCGSCATMA1

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726-IQEH64NE2LM7UCGS

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S/14.10

S/8.39

S/6.32

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S/4.73

Envase tipo carrete

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUCN04S7N054HATMA1
Infineon Technologies
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IAUCN04S7N054HATMA1

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726-IAUCN04S7N054HAT

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S/8.64

S/5.42

S/3.18

S/2.51

S/2.27

Envase tipo carrete

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62 A

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3 V

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+ 175 C

40 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200 A, 40 V, Automotive Power MOSFET with OptiMOS-7 Technology

IAUMN04S7N009GAUMA1
Infineon Technologies
1: S/15.31
5En existencias
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IAUMN04S7N009GAUMA1

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726-IAUMN04S7N009GAU

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200 A, 40 V, Automotive Power MOSFET with OptiMOS-7 Technology

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S/15.31

S/9.98

S/7.83

S/6.58

S/6.06

Envase tipo carrete

S/5.68

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OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

IQEH50NE2LM7ZCGATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.95
4,478En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
IQEH50NE2LM7ZCGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQEH50NE2LM7ZCGA

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

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S/11.95

S/8.21

S/6.06

S/5.20

S/5.07

Envase tipo carrete

S/4.77

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N-Channel

1 Channel

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1.7 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

IQEH54NE2LM7UCGATMA1
Infineon Technologies
1: S/13.46
4,453En existencias
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IQEH54NE2LM7UCGATMA1

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726-IQEH54NE2LM7UCGA

Nuevo producto

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

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S/13.46

S/8.73

S/6.06

S/5.07

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Envase tipo carrete

S/4.56

Min.: 1
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N-Channel

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406 A

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16 V

2 V

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150 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUCN08S7L013ATMA1
Infineon Technologies
1: S/18.92
2,860En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUCN08S7L013ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN08S7L013ATM

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

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Cinta cortada

S/18.92

S/12.51

S/8.82

S/7.83

Ver

Envase tipo carrete

S/7.31

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

293 A

1.26 mOhms

20 V

2 V

120 nC

- 55 C

+ 175 C

219 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUCN08S7L018ATMA1
Infineon Technologies
1: S/14.92
3,783En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUCN08S7L018ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN08S7L018ATM

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

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Cinta cortada

S/14.92

S/9.72

S/7.05

S/5.72

S/5.50

Envase tipo carrete

S/5.12

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

210 A

1.8 mOhms

20 V

2 V

79.9 nC

- 55 C

+ 175 C

169 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUCN08S7L033ATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.61
3,497En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUCN08S7L033ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN08S7L033ATM

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

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Cinta cortada

S/11.61

S/6.79

S/5.07

S/4.06

S/3.62

Envase tipo carrete

S/3.32

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

130 A

3.3 mOhms

16 V

2 V

44.3 nC

- 55 C

+ 175 C

118 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 1.63 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T, OptiMOS 7

IAUCN08S7N016TATMA1
Infineon Technologies
1: S/21.89
1,647En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUCN08S7N016TATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN08S7N016TAT

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 1.63 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T, OptiMOS 7

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Cinta cortada

S/21.89

S/14.49

S/10.28

S/8.73

Envase tipo carrete

S/8.34

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

PG-LHDSO-10-3

N-Channel

1 Channel

80 V

262 A

1.63 mOhms

20 V

3.2 V

83 nC

- 55 C

+ 175 C

205 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 1.94 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T, OptiMOS 7

IAUCN08S7N019TATMA1
Infineon Technologies
1: S/17.89
5,834En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUCN08S7N019TATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN08S7N019TAT

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 1.94 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T, OptiMOS 7

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5,834En existencias

Cinta cortada

S/17.89

S/11.78

S/8.26

S/7.14

S/6.88

Envase tipo carrete

S/6.62

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

PG-LHDSO-10-2

N-Channel

1 Channel

80 V

223 A

1.94 mOhms

20 V

3.2 V

68 nC

- 55 C

+ 175 C

180 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 2.44 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T

IAUCN08S7N024TATMA1
Infineon Technologies
1: S/15.70
5,567En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUCN08S7N024TATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN08S7N024TAT

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 2.44 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T

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Hoja de datos

5,567En existencias

Cinta cortada

S/15.70

S/10.28

S/7.18

S/6.06

S/5.85

Envase tipo carrete

S/5.55

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

PG-LHDSO-10-1

N-Channel

1 Channel

80 V

186 A

2.44 mOhms

20 V

3.2 V

54 nC

- 55 C

+ 175 C

157 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 4.54 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T, OptiMOS 7

IAUCN08S7N045TATMA1
Infineon Technologies
1: S/12.26
5,524En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUCN08S7N045TATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN08S7N045TAT

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 4.54 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T, OptiMOS 7

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Hoja de datos

5,524En existencias

Cinta cortada

S/12.26

S/7.91

S/5.50

S/4.47

Envase tipo carrete

S/3.88

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

PG-LHDSO-10-1

N-Channel

1 Channel

80 V

103 A

4.54 mOhms

20 V

3.2 V

27 nC

- 55 C

+ 175 C

98 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUZN04S7L012ATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.78
5,213En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUZN04S7L012ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUZN04S7L012ATM

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

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5,213En existencias

Cinta cortada

S/7.78

S/4.99

S/3.31

S/2.84

Envase tipo carrete

S/2.17

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

199 A

1.25 mOhms

16 V

1.8 V

42 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUZN04S7L025ATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.02
5,380En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUZN04S7L025ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUZN04S7L025ATM

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

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5,380En existencias

Cinta cortada

S/6.02

S/3.78

S/2.50

S/1.95

Envase tipo carrete

S/1.60

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

117 A

2.56 mOhms

16 V

1.8 V

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- 55 C

+ 175 C

65 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUZN04S7L030ATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.72
10,000En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUZN04S7L030ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUZN04S7L030ATM

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

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10,000En existencias

Cinta cortada

S/5.72

S/3.59

S/2.37

S/1.85

Envase tipo carrete

S/1.45

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OptiMOS 7 Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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35 A
62 A
65 A
76 A
77 A
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82 A
84 A
91 A
97 A
99 A
100 A
103 A
117 A
120 A
127 A
129 A
130 A
132 A

390 uOhms
420 uOhms
480 uOhms
500 uOhms
510 uOhms
520 uOhms
540 uOhms
570 uOhms
640 uOhms
650 uOhms
680 uOhms
720 uOhms
770 uOhms
800 uOhms
820 uOhms
840 uOhms
900 uOhms
1.04 mOhms
1.05 mOhms
1.15 mOhms

7.5 nC
9 nC
10.9 nC
11 nC
11.8 nC
13 nC
15 nC
16 nC
17.2 nC
18 nC
22 nC
22.2 nC
23 nC
25 nC
27 nC
27.2 nC
29 nC
30 nC
34 nC
35.2 nC

39 W
40 W
45 W
50 W
52 W
57 W
58 W
65 W
70 W
75 W
81 W
83 W
94 W
96 W
98 W
107 W
115 W
118 W
123 W
130 W