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OptiMOS 3M Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 10

Filtros aplicados:

Serie = OptiMOS 3M

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Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 7.7A DSO-8 OptiMOS 3M

BSO220N03MDGXUMA1
Infineon Technologies
1: S/4.99
62,857En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
BSO220N03MDGXUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSO220N03MDGXUMA

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 7.7A DSO-8 OptiMOS 3M

Hoja de datos

62,857En existencias

Cinta cortada

S/4.99

S/2.27

S/1.65

S/1.38

Envase tipo carrete

S/1.17

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

30 V

7.7 A

21.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

7.8 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M

BSC030N03MSGATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.15
9,980En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC030N03MSGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC030N03MSGATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M

Hoja de datos

9,980En existencias

Cinta cortada

S/6.15

S/3.47

S/2.46

S/2.00

Envase tipo carrete

S/1.38

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

100 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

73 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 7.7A DSO-8 OptiMOS 3M

BSO220N03MD G
Infineon Technologies
1: S/5.25
19,448En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
BSO220N03MD G

N.º de artículo de Mouser
726-BSO220N03MDG

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 7.7A DSO-8 OptiMOS 3M

Hoja de datos

19,448En existencias

Cinta cortada

S/5.25

S/3.26

S/2.13

S/1.65

Envase tipo carrete

S/1.36

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

30 V

7.7 A

21.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

7.8 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 9.3A DSO-8 OptiMOS 3M

BSO150N03MDGXUMA1
Infineon Technologies
1: S/5.59
3,873En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
BSO150N03MDGXUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSO150N03MDGXUMA

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 9.3A DSO-8 OptiMOS 3M

Hoja de datos

3,873En existencias

Cinta cortada

S/5.59

S/3.58

S/2.36

S/2.05

Envase tipo carrete

S/1.64

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

30 V

9.3 A

14.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

12.6 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 9.3A DSO-8 OptiMOS 3M

BSO150N03MD G
Infineon Technologies
1: S/7.05
2,614En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
BSO150N03MD G

N.º de artículo de Mouser
726-BSO150N03MDG

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 9.3A DSO-8 OptiMOS 3M

Hoja de datos

2,614En existencias

Cinta cortada

S/7.05

S/4.39

S/2.86

S/2.20

Envase tipo carrete

S/1.74

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

30 V

9.3 A

14.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

12.6 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M

BSZ035N03MS G
Infineon Technologies
1: S/6.06
6,193En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ035N03MS G

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ035N03MSG

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M

Obtenga más información

Hoja de datos

6,193En existencias

Cinta cortada

S/6.06

S/3.79

S/2.52

S/1.97

S/1.67

Envase tipo carrete

S/1.51

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

113 A

3.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

56 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M

BSZ050N03MS G
Infineon Technologies
1: S/4.64
1,230En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ050N03MS G

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ050N03MSG

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M

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Hoja de datos

1,230En existencias

Cinta cortada

S/4.64

S/2.89

S/1.89

S/1.48

Ver

Envase tipo carrete

S/0.937

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

80 A

4.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

34 nC

- 55 C

+ 150 C

48 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M

BSZ100N03MS G
Infineon Technologies
1: S/4.26
1,175En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ100N03MS G

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ100N03MSG

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M

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Hoja de datos

1,175En existencias

Cinta cortada

S/4.26

S/2.63

S/1.80

S/1.41

Envase tipo carrete

S/0.925

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

40 A

7.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M

BSZ100N03MSGATMA1
Infineon Technologies
1: S/3.74
6,004En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ100N03MSGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ100N03MSGATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M

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Hoja de datos

6,004En existencias

Más información disponible

Cinta cortada

S/3.74

S/2.33

S/1.54

S/1.42

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Envase tipo carrete

S/0.912

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

40 A

7.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M

BSC030N03MS G
Infineon Technologies
1: S/6.67

N.º de artículo del Fabricante
BSC030N03MS G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC030N03MSG

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M

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Más información disponible

Cinta cortada

S/6.67

S/4.15

S/2.70

S/2.09

Envase tipo carrete

S/1.53

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

100 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

73 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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