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OptiMOS 2 Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 10

Filtros aplicados:

Serie = OptiMOS 2

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 71A TDSON-8 OptiMOS 2

BSC118N10NS G
Infineon Technologies
1: S/8.56
4,333En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
BSC118N10NS G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC118N10NSG

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 71A TDSON-8 OptiMOS 2

Obtenga más información

Hoja de datos

4,333En existencias

Cinta cortada

S/8.56

S/5.55

S/3.68

S/2.92

Ver

Envase tipo carrete

S/2.23

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

11 A

11.8 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

56 nC

- 55 C

+ 150 C

114 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPD25CN10NGATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.48
14,033En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD25CN10NGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD25CN10NGATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

Hoja de datos

14,033En existencias

Cinta cortada

S/7.48

S/4.77

S/3.18

S/2.51

Envase tipo carrete

S/1.94

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

35 A

19 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

71 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TDSON-8 OptiMOS 2

BSC252N10NSFGATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.31
23,977En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC252N10NSFGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC252N10NSFGATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TDSON-8 OptiMOS 2

Hoja de datos

23,977En existencias

Cinta cortada

S/7.31

S/4.69

S/3.11

S/2.46

Ver

Envase tipo carrete

S/1.81

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

40 A

19.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

78 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPD33CN10NGATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.67
2,143En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD33CN10NGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD33CN10NGATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

Hoja de datos

2,143En existencias

Cinta cortada

S/6.67

S/2.50

S/1.84

S/1.65

Envase tipo carrete

S/1.64

S/1.58

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

27 A

25 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

18 nC

- 55 C

+ 175 C

58 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TDSON-8 OptiMOS 2

BSC265N10LSF G
Infineon Technologies
1: S/6.45
2,155En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
BSC265N10LSF G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC265N10LSFG

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TDSON-8 OptiMOS 2

Obtenga más información

Hoja de datos

2,155En existencias

Cinta cortada

S/6.45

S/4.07

S/2.70

S/2.13

Ver

Envase tipo carrete

S/1.69

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

40 A

20 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

21 nC

- 55 C

+ 150 C

78 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPD78CN10NGATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.20
6,764En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD78CN10NGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD78CN10NGATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

Hoja de datos

6,764En existencias

Cinta cortada

S/5.20

S/2.85

S/1.92

S/1.67

Envase tipo carrete

S/1.26

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

13 A

78 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

8 nC

- 55 C

+ 175 C

31 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 2

BSC100N10NSF G
Infineon Technologies
1: S/11.78
10,685En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC100N10NSF G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC100N10NSFG

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 2

Hoja de datos

10,685En existencias

Cinta cortada

S/11.78

S/7.61

S/5.25

S/4.20

Ver

Envase tipo carrete

S/3.76

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

90 A

10 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TDSON-8 OptiMOS 2

BSC265N10LSFGATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.58
4,632En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
BSC265N10LSFGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC265N10LSFGATM

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TDSON-8 OptiMOS 2

Hoja de datos

4,632En existencias

Cinta cortada

S/6.58

S/4.04

S/2.76

S/2.16

Ver

Envase tipo carrete

S/1.69

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

40 A

20 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

21 nC

- 55 C

+ 150 C

78 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TDSON-8 OptiMOS 2

BSC252N10NSF G
Infineon Technologies
1: S/7.53
349En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC252N10NSF G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC252N10NSFG

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TDSON-8 OptiMOS 2

Obtenga más información

Hoja de datos

349En existencias

Cinta cortada

S/7.53

S/4.77

S/3.18

S/2.61

Ver

Envase tipo carrete

S/2.07

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

40 A

19.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

78 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 29A DPAK-2

IPD350N06L G
Infineon Technologies
1: S/4.43
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD350N06L G

N.º de artículo de Mouser
726-IPD350N06LG

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 29A DPAK-2

Hoja de datos

Más información disponible

Cinta cortada

S/4.43

S/2.83

S/1.92

S/1.46

Envase tipo carrete

S/1.17

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

29 A

35 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

10 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

OptiMOS 2 Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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