8006 Transistores

Resultados: 8
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Tipo de producto Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 800V 6A N-CH MOSFET 1,402En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

MOSFETs Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel
MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-8.0GHz, 60 Watt
60En existencias
Min.: 10
Mult.: 10

GaN FETs GaN SMD/SMT Die N-Channel
Diodes Incorporated Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K 1,697En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT PowerVDFN-8 PNP
Diodes Incorporated Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K 3,662En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT PowerVDFN-8 NPN
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 6A N-CH MOSFET 378En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Nch Dual Cool Power Trench MOSFET
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT Dual Cool 88-8 N-Channel
IXYS Módulos IGBT 80 Amps 600V No en existencias
Min.: 10
Mult.: 10

IGBT Modules Si
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW 25En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-4 N-Channel