Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V 2.0A 3.1W 215mohm @ 4.5V
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SI4829DY-T1-E3
Vishay / Siliconix
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S/5.03
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N.º de artículo de Mouser 781-SI4829DY-E3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V 2.0A 3.1W 215mohm @ 4.5V
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1
S/5.03
10
S/3.58
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S/2.23
500
S/1.54
2,500
S/1.12
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S/0.92
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
SOIC-8
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V, 20 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
IMZA120R020M1HXKSA1
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S/83.94
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N.º de artículo de Mouser 726-IMZA120R020M1HXK
Infineon Technologies
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V, 20 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
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SiC MOSFETS
SiC
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
IGBTs 650 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
IKW75N65ET7XKSA1
Infineon Technologies
1:
S/27.26
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N.º de artículo de Mouser 726-IKW75N65ET7XKSA1
Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
705 En existencias
1
S/27.26
10
S/16.08
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S/13.72
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IGBT Transistors
Si
Through Hole
TO-247-3
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V, 20 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
IMW120R020M1HXKSA1
Infineon Technologies
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S/88.32
170 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IMW120R020M1HXKS
Infineon Technologies
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V, 20 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
170 En existencias
1
S/88.32
10
S/55.77
100
S/55.73
480
S/52.20
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SiC MOSFETS
SiC
Through Hole
N-Channel
IGBTs 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
IKW50N65ET7XKSA1
Infineon Technologies
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S/21.50
557 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IKW50N65ET7XKSA1
Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
557 En existencias
1
S/21.50
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S/13.72
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IGBT Transistors
Si
Through Hole
TO-247-3
Módulos IGBT LOW POWER ECONO
Infineon Technologies IFS150B12N3E4PB50BPSA1
IFS150B12N3E4PB50BPSA1
Infineon Technologies
6:
S/760.37
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
N.º de artículo de Mouser 726-IFS150B12N3E4PB5
Infineon Technologies
Módulos IGBT LOW POWER ECONO
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
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IGBT Modules
Si
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