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4404 Transistores

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

IPB017N06N3GATMA1
Infineon Technologies
1: S/ 16.64
5,482En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB017N06N3GATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB017N06N3GATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

Hoja de datos

5,482En existencias

Cinta cortada

S/ 16.64

S/ 10.88

S/ 8.51

S/ 7.14

Envase tipo carrete

S/ 6.92

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

MOSFETs

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJQ4404P-AU_R2_000A1
Panjit
5,000: S/ 0.89
Plazo de entrega no en existencias 36 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
PJQ4404P-AU_R2_000A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJQ4404PAUR2000A

NRND

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 36 Semanas

Envase tipo carrete

S/ 0.89

Min.: 5,000
Mult.: 5,000

: 5,000

MOSFETs

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJQ4404P_R2_00001
Panjit
5,000: S/ 0.821
Plazo de entrega no en existencias 36 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
PJQ4404P_R2_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJQ4404PR200001

NRND

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 36 Semanas

Envase tipo carrete

S/ 0.821

Min.: 5,000
Mult.: 5,000

: 5,000

MOSFETs

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

IPB017N06N3 G
Infineon Technologies
1: S/ 19.74
192En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB017N06N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB017N06N3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

Obtenga más información

Hoja de datos

192En existencias

Cinta cortada

S/ 19.74

S/ 13.20

S/ 10.15

S/ 9.03

Envase tipo carrete

S/ 7.96

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

MOSFETs

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

Transistores digitales PDTA114TU/SOT323/SC-70

PDTA114TU,115
Nexperia
1: S/ 0.731
516En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PDTA114TU,115

N.º de artículo de Mouser
771-PDTA114TU115

Nexperia

Transistores digitales PDTA114TU/SOT323/SC-70

Obtenga más información

Hoja de datos

516En existencias

Más información disponible

Cinta cortada

S/ 0.731

S/ 0.43

S/ 0.284

S/ 0.194

S/ 0.168

Envase tipo carrete

S/ 0.116

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Digital Transistors

SMD/SMT

SOT-323-3

PNP

Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) RF BIP TRANSISTOR

BFR193WH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/ 1.33
80En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
BFR193WH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BFR193WH6327XTSA

NRND

Infineon Technologies

Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) RF BIP TRANSISTOR

Obtenga más información

Hoja de datos

80En existencias

Más información disponible

Cinta cortada

S/ 1.33

S/ 0.804

S/ 0.641

S/ 0.606

Envase tipo carrete

S/ 0.546

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

RF Bipolar Transistors

SOT-323-3

Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) RF BIP TRANSISTOR

BFR 193W H6327
Infineon Technologies
1: S/ 2.92
1,306En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
BFR 193W H6327

N.º de artículo de Mouser
726-BFR193WH6327

NRND

Infineon Technologies

Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) RF BIP TRANSISTOR

Obtenga más información

Hoja de datos

1,306En existencias

Cinta cortada

S/ 2.92

S/ 1.79

S/ 1.21

S/ 0.74

Envase tipo carrete

S/ 0.581

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

RF Bipolar Transistors

SMD/SMT

SOT-323

NPN

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

IPB017N06N3GXT
Infineon Technologies
1,000: S/ 6.58
Plazo de entrega no en existencias 11 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPB017N06N3GXT

N.º de artículo de Mouser
726-IPB017N06N3GXT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 11 Semanas

Envase tipo carrete

S/ 6.58

S/ 6.19

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

: 1,000

MOSFETs

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

BSC0580NSATMA1
Infineon Technologies
5,000: S/ 2.78
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
BSC0580NSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC0580NSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

Envase tipo carrete

S/ 2.78

Min.: 5,000
Mult.: 5,000

: 5,000

MOSFETs

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

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