Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
VN2460N3-G-P014
Microchip Technology
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 20Ohm
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VN2460N8-G
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 N-CH 60V 32A
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LFPAK-33-8
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
VN2460N3-G-P003
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
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MOSFETs
Si
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
PJQ2460_R1_00001
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
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Si
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
PJQ2460-AU_R1_000A1
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N.º de artículo de Mouser 241-PJQ2460AUR1000A1
Panjit
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
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MOSFETs
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Módulos IGBT 1200 V, 225 A dual IGBT module
FF225R12ME4B11BPSA2
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N.º de artículo de Mouser 726-225R12ME4B11B2
Infineon Technologies
Módulos IGBT 1200 V, 225 A dual IGBT module
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IGBT Modules
Si
Perú
