1047 Transistores

Resultados: 10
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Tipo de producto Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor
Diodes Incorporated Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN High Gain & Crnt 1,203En existencias
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: 1,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-223-4 NPN
Diodes Incorporated Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Low Saturation 1,571En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-89-3 NPN

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 90mA SOT-89-3 5,388En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-89-3 N-Channel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 240V 260mA SOT-89-3 4,218En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-89-3 N-Channel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 90mA SOT-89-3 4,136En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-89-3 N-Channel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -250V -190mA SOT-89-3 1,848En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-89-3 P-Channel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 240V 260mA SOT-89-3 853En existencias
3,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-89-3 N-Channel
Infineon Technologies Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) NPN Silicon RF TRANSISTOR 428En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

RF Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-23 NPN
Infineon Technologies Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) NPN Silicon RF TRANSISTOR 743En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

RF Bipolar Transistors Si SOT-23-3

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -250V -190mA SOT-89-3
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-89-3 P-Channel