.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

OptiMOS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 794

Filtros aplicados:

Nombre comercial = OptiMOS

Tecnología

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Empaquetado

Restablecer todos

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En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Descargar tabla (.CSV)

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 50A DPAK-2 OptiMOS 3

IPD050N03LGATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.11
4,968En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD050N03LGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD050N03LGATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 50A DPAK-2 OptiMOS 3

Hoja de datos

4,968En existencias

Cinta cortada

S/6.11

S/2.90

S/2.22

S/1.88

S/1.61

Envase tipo carrete

S/1.60

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

30 V

50 A

4.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

31 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 83A TO220-3 OptiMOS 3

IPP111N15N3 G
Infineon Technologies
1: S/19.65
864En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP111N15N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPP111N15N3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 83A TO220-3 OptiMOS 3

Obtenga más información

Hoja de datos

864En existencias

S/19.65

S/13.12

S/10.11

S/8.82

S/7.96

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

150 V

83 A

9.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

55 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

OptiMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 40A TISON-8

BSC0911NDATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.89
6,108En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC0911NDATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-SP000934746

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 40A TISON-8

Hoja de datos

6,108En existencias

Cinta cortada

S/9.89

S/6.32

S/4.34

S/3.44

Ver

Envase tipo carrete

S/3.12

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TISON-8

N-Channel

2 Channel

25 V

40 A

3.7 mOhms, 1.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1.6 V

3 nC, 8.8 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

BSC034N06NSATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.05
12,929En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC034N06NSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC034N06NSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

Obtenga más información

Hoja de datos

12,929En existencias

Cinta cortada

S/11.05

S/7.14

S/4.90

S/3.92

Ver

Envase tipo carrete

S/3.65

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

100 A

3.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

33 nC

- 55 C

+ 150 C

74 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 85A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC050N04LS G
Infineon Technologies
1: S/5.98
5,126En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC050N04LS G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC050N04LSG

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 85A TDSON-8 OptiMOS 3

Obtenga más información

Hoja de datos

5,126En existencias

Cinta cortada

S/5.98

S/3.67

S/2.42

S/1.90

Envase tipo carrete

S/1.27

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

85 A

4.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

47 nC

- 55 C

+ 150 C

57 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TDSON-8 OptiMOS 2

BSC252N10NSFGATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.31
23,987En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC252N10NSFGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC252N10NSFGATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TDSON-8 OptiMOS 2

Hoja de datos

23,987En existencias

Cinta cortada

S/7.31

S/4.69

S/3.11

S/2.46

Ver

Envase tipo carrete

S/2.07

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

40 A

19.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

78 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

BSZ031NE2LS5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.11
7,013En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ031NE2LS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ031NE2LS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

Obtenga más información

Hoja de datos

7,013En existencias

Cinta cortada

S/6.11

S/3.83

S/2.55

S/2.00

Ver

Envase tipo carrete

S/1.60

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

25 V

40 A

3.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

13.6 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 18A TSDSON-8 OptiMOS 3

BSZ440N10NS3 G
Infineon Technologies
1: S/5.03
77,299En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ440N10NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ440N10NS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 18A TSDSON-8 OptiMOS 3

Obtenga más información

Hoja de datos

77,299En existencias

Cinta cortada

S/5.03

S/3.15

S/2.07

S/1.64

Envase tipo carrete

S/1.34

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

18 A

38 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

9.1 nC

- 55 C

+ 150 C

29 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2

IPB031N08N5
Infineon Technologies
1: S/16.60
1,305En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB031N08N5

N.º de artículo de Mouser
726-IPB031N08N5

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2

Hoja de datos

1,305En existencias

Cinta cortada

S/16.60

S/10.88

S/8.00

S/7.27

Envase tipo carrete

S/6.32

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

80 V

120 A

2.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

87 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPD122N10N3GATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.21
19,519En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD122N10N3GATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD122N10N3GATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

Obtenga más información

Hoja de datos

19,519En existencias

Cinta cortada

S/8.21

S/4.47

S/3.49

S/2.86

S/2.78

Envase tipo carrete

S/2.78

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

59 A

12.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

26 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

IQE006NE2LM5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.74
14,309En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQE006NE2LM5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE006NE2LM5ATM1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

Obtenga más información

Hoja de datos

14,309En existencias

Cinta cortada

S/11.74

S/7.57

S/5.20

S/3.95

Envase tipo carrete

S/3.95

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSON-8-4

N-Channel

1 Channel

25 V

298 A

650 uOhms

- 16 V, 16 V

2 V

28.5 nC

- 55 C

+ 150 C

89 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 30A DPAK-2 OptiMOS-T

IPD30N10S3L-34
Infineon Technologies
1: S/8.56
3,124En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD30N10S3L-34

N.º de artículo de Mouser
726-IPD30N10S3L34

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 30A DPAK-2 OptiMOS-T

Obtenga más información

Hoja de datos

3,124En existencias

Cinta cortada

S/8.56

S/5.46

S/3.78

S/3.20

S/2.77

Envase tipo carrete

S/2.55

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

30 A

31 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

24 nC

- 55 C

+ 175 C

57 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC018N04LS G
Infineon Technologies
1: S/8.04
9,890En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC018N04LS G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC018N04LSG

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3

Hoja de datos

9,890En existencias

Cinta cortada

S/8.04

S/3.80

S/2.84

S/2.41

S/2.36

Envase tipo carrete

S/2.36

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

1.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

150 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS

BSC018NE2LS
Infineon Technologies
1: S/6.97
5,050En existencias
5,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSC018NE2LS

N.º de artículo de Mouser
726-BSC018NE2LS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS

Obtenga más información

Hoja de datos

5,050En existencias

5,000En pedido

Cinta cortada

S/6.97

S/4.43

S/1.91

Envase tipo carrete

S/1.91

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

25 V

100 A

1.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

19 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

BSZ099N06LS5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.89
25,911En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ099N06LS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ099N06LS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

Obtenga más información

Hoja de datos

25,911En existencias

Cinta cortada

S/5.89

S/3.78

S/2.45

S/1.97

S/1.63

Envase tipo carrete

S/1.52

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

40 A

9.9 mOhms

- 20 V, 20 V

1.1 V

6.9 nC

- 55 C

+ 150 C

36 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 120A TO220-3 OptiMOS 3

IPP041N12N3 G
Infineon Technologies
1: S/22.58
996En existencias
1,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPP041N12N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPP041N12N3GXK

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 120A TO220-3 OptiMOS 3

Obtenga más información

Hoja de datos

996En existencias

1,000En pedido

S/22.58

S/15.01

S/12.17

S/10.75

S/9.55

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

120 V

120 A

3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

211 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

OptiMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 56A TO220-3 OptiMOS 3

IPP147N12N3 G
Infineon Technologies
1: S/8.69
2,719En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP147N12N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPP147N12N3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 56A TO220-3 OptiMOS 3

Hoja de datos

2,719En existencias

S/8.69

S/4.20

S/3.76

S/2.73

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

120 V

56 A

14.7 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

37 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

OptiMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC067N06LS3GATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.69
7,696En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC067N06LS3GATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC067N06LS3GATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3

Hoja de datos

7,696En existencias

Cinta cortada

S/8.69

S/5.55

S/3.73

S/2.96

Ver

Envase tipo carrete

S/2.52

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

50 A

6.7 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

67 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

BSC0500NSIATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.30
4,702En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC0500NSIATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC0500NSIATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

Obtenga más información

Hoja de datos

4,702En existencias

Cinta cortada

S/8.30

S/5.63

S/3.81

S/3.03

Ver

Envase tipo carrete

S/2.67

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

100 A

1.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

52 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 160A D2PAK-6 OptiMOS 3

IPB039N10N3GATMA1
Infineon Technologies
1: S/16.81
1,925En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB039N10N3GATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB039N10N3GATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 160A D2PAK-6 OptiMOS 3

Hoja de datos

1,925En existencias

Cinta cortada

S/16.81

S/11.05

S/7.78

S/6.92

Envase tipo carrete

S/6.49

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

100 V

160 A

3.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

117 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL_55/60V

IPG20N06S4L11AATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.23
2,710En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPG20N06S4L11AATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPG20N06S4L11AAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL_55/60V

Obtenga más información

Hoja de datos

2,710En existencias

Cinta cortada

S/10.23

S/6.58

S/4.52

S/3.58

Ver

Envase tipo carrete

S/3.27

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

2 Channel

60 V

20 A

11.2 mOhms

- 16 V, 16 V

1.2 V

53 nC

- 55 C

+ 175 C

65 W

Enhancement

AEC-Q101

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TO220-3

IPP037N08N3GXKSA1
Infineon Technologies
1: S/15.61
3,159En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP037N08N3GXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP037N08N3GXKSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TO220-3

Hoja de datos

3,159En existencias

S/15.61

S/7.91

S/7.18

S/6.11

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

80 V

100 A

3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

117 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

OptiMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPT020N10N3
Infineon Technologies
1: S/21.97
1,993En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPT020N10N3

N.º de artículo de Mouser
726-IPT020N10N3

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

Hoja de datos

1,993En existencias

Cinta cortada

S/21.97

S/14.62

S/11.83

S/10.49

S/10.19

Envase tipo carrete

S/9.29

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

100 V

300 A

2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

156 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS

BSC009NE2LS
Infineon Technologies
1: S/9.72
4,971En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC009NE2LS

N.º de artículo de Mouser
726-BSC009NE2LS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS

Hoja de datos

4,971En existencias

Cinta cortada

S/9.72

S/6.19

S/2.86

Envase tipo carrete

S/2.67

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

25 V

100 A

1 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

168 nC

- 55 C

+ 150 C

96 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 93A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC042N03LS G
Infineon Technologies
1: S/6.06
6,621En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC042N03LS G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC042N03LSG

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 93A TDSON-8 OptiMOS 3

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Hoja de datos

6,621En existencias

Cinta cortada

S/6.06

S/3.81

S/2.53

S/1.98

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Envase tipo carrete

S/1.59

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

93 A

4.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

OptiMOS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

D2PAK-3 (TO-263-3)
DirectFET-SB
DPAK-3 (TO-252-3)
DSO-8
HDSOP-16
HSOF-5
HSOF-5-1
HSOF-5-2
HSOF-5-5
HSOF-8
HSOG-8
LHDSO-10
PG-HDSOP-16-1
PG-HSOF-8
PG-HSOF-8-1
PG-HSOG-8-1
PG-LHDSO-10-1
PG-LHDSO-10-2
PG-LHDSO-10-3
PG-TDSON-8

178 mA
4.7 A
5 A
7 A
7.7 A
7.8 A, 7.9 A
7.9 A
8.1 A, 8.4 A
8.8 A, 10.2 A
8.8 A, 9.6 A
9.3 A
9.6 A
10.9 A
11 A
11.3 A
13 A
15.2 A
18 A
18.5 A
20 A

290 uOhms
350 uOhms
360 uOhms
390 uOhms
400 uOhms
420 uOhms
450 uOhms
470 uOhms
480 uOhms
490 uOhms
500 uOhms
510 uOhms
520 uOhms
540 uOhms
550 uOhms
570 uOhms
600 uOhms
640 uOhms
650 uOhms
680 uOhms

700 mV
900 mV
1 V
1.1 V
1.2 V
1.3 V
1.5 V
1.6 V
1.7 V
1.8 V
1.9 V
2 V
2.1 V
2.2 V
2.3 V
2.4 V
2.5 V
2.6 V
2.7 V
2.8 V

3 nC, 8.8 nC
3.6 nC
5 nC, 23 nC
5.5 nC
5.6 nC
5.6 nC, 15 nC
5.6 nC, 16 nC
5.6 nC, 20 nC
6.4 nC
6.6 nC, 30.6 nC
6.8 nC
6.9 nC
7 nC
7.5 nC
7.8 nC
7.9 nC
7.9 nC, 8.1 nC
8 nC
8.3 nC
8.7 nC

125 mW
2 W
2.5 W
2.5 W, 6.25 W
25 W
26 W
27 W
28 W
29 W
30 W
31 W
32 W
33 W
33.8 W
34 W
35 W
36 W
37 W
37.5 W
38 W