HiPerFET Serie Transistores

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IXFA3N120 TRL
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IXFA3N120 TRR
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 200V 50A N-CH X3CLASS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
Mult.: 50
MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NChUltrJnctn X3Class TO-263D2
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
Mult.: 50

MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IXFA72N30X3 TRL
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 200V 90A N-CH X3CLASS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
Mult.: 50

MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NChUltrJnctn X3Class TO-263D2
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 800
Mult.: 800
: 800
MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HiPerRF Power Mosfet 1000V 6A
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180 Amps 70V 0.006 Rds
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 25
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 27 Amps 800V 0.32 Rds
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 36A
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIODE Id48 BVdass500
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 37 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3 N-Channel
IXYS Módulos MOSFET 200V 180A
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 48 Semanas
Min.: 300
Mult.: 10

MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel
IXYS Módulos MOSFET 1KV 36A
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
Mult.: 10

MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel
IXYS Módulos MOSFET 40 Amps 1100V 0.2600 Rds
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
Mult.: 10

MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227B-4
IXYS Módulos MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/37A
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
Mult.: 10

MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel
IXYS Módulos MOSFET 55 Amps 500V 0.08 Rds
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 30 Semanas
Min.: 300
Mult.: 10

MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 200V 36A N-CH X3CLASS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 1KV 5A N-CH POLAR
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO3P 200V 72A N-CH X3CLASS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180 Amps 70V 0.006 Rds
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 38A
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 39 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V 34A
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 44A
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1KV 10A
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel