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iDEAL Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Fabricante = iDEAL Semiconductor

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

iS20M028S1C-7SR
iDEAL Semiconductor
1: S/ 15.74
119En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
iS20M028S1C-7SR

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25-IS20M028S1C-7SR

Nuevo producto

iDEAL Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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119En existencias

Cinta cortada

S/ 15.74

S/ 10.28

Envase tipo carrete

S/ 8.00

S/ 6.71

S/ 5.85

Min.: 1
Mult.: 1

: 100

SMD/SMT

PDFN-8

N-Channel

1 Channel

200 V

45 A

25 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

27.5 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

SuperQ

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 Volt N-Channel Power MOSFET 6.4 mOhm PDFN 5x6mm

IS15M7R1S1C
iDEAL Semiconductor
1: S/ 21.29
4,169En existencias
5,000En pedido
Nuevo producto

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IS15M7R1S1C

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25-IS15M7R1S1C

Nuevo producto

iDEAL Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 Volt N-Channel Power MOSFET 6.4 mOhm PDFN 5x6mm

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4,169En existencias

5,000En pedido

Cinta cortada

S/ 21.29

S/ 15.82

S/ 12.30

Envase tipo carrete

S/ 10.45

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

PDFN-8

N-Channel

1 Channel

150 V

133 A

6.4 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

48 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

iDEAL Semiconductor

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperQ power MOSFET 200 V, 25m? max, normal threshold level in TO-220 package

iS20M028S1P
iDEAL Semiconductor
1: S/ 18.96
1,892En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
iS20M028S1P

N.º de artículo de Mouser
25-IS20M028S1P

Nuevo producto

iDEAL Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperQ power MOSFET 200 V, 25m? max, normal threshold level in TO-220 package

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1,892En existencias

S/ 18.96

S/ 12.38

S/ 9.63

S/ 8.08

S/ 7.35

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

40 A

25 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

26.5 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

SuperQ

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperQ MOSFET 200 V, 5.5m max, normal threshold level in TOLL package

iS20M5R5S1T-13
iDEAL Semiconductor
1: S/ 37.80
1,375En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
iS20M5R5S1T-13

N.º de artículo de Mouser
25-IS20M5R5S1T-13

Nuevo producto

iDEAL Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperQ MOSFET 200 V, 5.5m max, normal threshold level in TOLL package

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1,375En existencias

Cinta cortada

S/ 37.80

S/ 27.52

S/ 22.92

S/ 20.55

Envase tipo carrete

S/ 19.09

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

TOLL-8

N-Channel

1 Channel

200 V

151 A

5.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

112 nC

- 55 C

+ 175 C

314 W

Enhancement

SuperQ

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 200V 172A TO-220

iS20M6R3S1P
iDEAL Semiconductor
1: S/ 31.69
1,000En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
iS20M6R3S1P

N.º de artículo de Mouser
25-IS20M6R3S1P

Nuevo producto

iDEAL Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 200V 172A TO-220

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1,000En existencias

S/ 31.69

S/ 17.07

S/ 15.65

S/ 13.20

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

172 A

6.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

105 nC

- 55 C

+ 175 C

428 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 Volt N-Channel Power MOSFET 6.4mOhm PDFN 5x6mm

IS15M7R1S1C-7SR
iDEAL Semiconductor
1: S/ 21.67
341En existencias
300En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IS15M7R1S1C-7SR

N.º de artículo de Mouser
25-IS15M7R1S1C-7SR

Nuevo producto

iDEAL Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 Volt N-Channel Power MOSFET 6.4mOhm PDFN 5x6mm

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341En existencias

300En pedido

S/ 21.67

S/ 17.37

S/ 14.02

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

PDFN-8

N-Channel

1 Channel

150 V

133 A

6.4 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

48 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

iDEAL Semiconductor

Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperQ MOSFET 200 V, 5.5m max, normal threshold level in TOLL package

iS20M5R5S1T-100B
iDEAL Semiconductor
1: S/ 40.94
200En existencias
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iS20M5R5S1T-100B

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25-IS20M5R5S1T-100B

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iDEAL Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperQ MOSFET 200 V, 5.5m max, normal threshold level in TOLL package

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S/ 40.94

S/ 31.05

S/ 25.80

S/ 23.01

S/ 21.50

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

TOLL-8

N-Channel

1 Channel

200 V

151 A

5.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

112 nC

- 55 C

+ 175 C

314 W

Enhancement

SuperQ

Bulk

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 200V 128A TO-220

IS20M8R0S1P
iDEAL Semiconductor
1: S/ 25.37
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IS20M8R0S1P

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25-IS20M8R0S1P

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 200V 128A TO-220

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Más información disponible

S/ 25.37

S/ 16.60

S/ 12.21

S/ 10.88

S/ 9.59

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

128 A

8.3 mOhms

20 V

4.1 V

73 nC

- 55 C

+ 175 C

333 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 150V 233A TOLL

iS15M2R5S1T-100B
iDEAL Semiconductor
1: S/ 33.50
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iS15M2R5S1T-100B

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25-IS15M2R5S1T-100B

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S/ 21.67

S/ 19.26

S/ 17.03

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SMD/SMT

TOLL

N-Channel

1 Channel

150 V

233 A

2.5 mOhms

20 V

3.3 V

123 nC

- 55 C

+ 175 C

314 W

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SuperQ

Bulk

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 150V 233A TOLL

iS15M2R5S1T-13
iDEAL Semiconductor
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iS15M2R5S1T-13

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: 5,000

SMD/SMT

TOLL

N-Channel

1 Channel

150 V

233 A

2.5 mOhms

20 V

3.3 V

123 nC

- 55 C

+ 175 C

314 W

Enhancement

SuperQ

Reel

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iS20M028S1C
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1 Channel

200 V

45 A

25 mOhms

- 20 V, 20 V

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27.5 nC

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