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STMicroelectronics STripFET F8 Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Fabricante = STMicroelectronics Serie = STripFET F8

Tecnología

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel enhancement mode logic level 40V 0.8mOhm 360A STripFET F8 Power MOSFET

STL320N4LF8
STMicroelectronics
1: S/12.81
4,580En existencias

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STL320N4LF8

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511-STL320N4LF8

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel enhancement mode logic level 40V 0.8mOhm 360A STripFET F8 Power MOSFET

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S/12.81

S/8.08

S/6.02

S/5.12

S/4.47

Envase tipo carrete

S/4.43

MouseReel Disponible

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: 3,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

40 V

360 A

800 uOhms

- 20 V, 20 V

2 V

43 nC

- 55 C

+ 175 C

188 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-Channel 40V, 2.6mOhm max, 154A STripFET F8 Power MOSFET

STL165N4F8AG
STMicroelectronics
1: S/8.77
3,047En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
STL165N4F8AG

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511-STL165N4F8AG

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-Channel 40V, 2.6mOhm max, 154A STripFET F8 Power MOSFET

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3,047En existencias

Cinta cortada

S/8.77

S/5.63

S/3.79

S/3.01

S/2.79

Envase tipo carrete

S/2.66

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-4

N-Channel

1 Channel

40 V

154 A

2.6 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

28 nC

- 55 C

+ 175 C

111 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Enhancement Mode 40V, 1.1mohm max, 290 STripFET F8 Power MOSFET

STL300N4F8
STMicroelectronics
1: S/11.14
5,946En existencias
Nuevo producto

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STL300N4F8

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511-STL300N4F8

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Enhancement Mode 40V, 1.1mohm max, 290 STripFET F8 Power MOSFET

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Cinta cortada

S/11.14

S/7.18

S/4.95

S/3.95

S/3.83

Envase tipo carrete

S/3.68

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 3,000

N-Channel

290 A

1.1 mOhms

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel 40 V, 0.48 mOhm max., 672 A STripFET F8 Power MOSFET

STK615N4F8AG
STMicroelectronics
1: S/20.77
496En existencias
Nuevo producto

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STK615N4F8AG

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511-STK615N4F8AG

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel 40 V, 0.48 mOhm max., 672 A STripFET F8 Power MOSFET

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Cinta cortada

S/20.77

S/13.80

S/9.80

S/9.25

S/8.73

Envase tipo carrete

S/8.60

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Enhancement Mode Standard Level 100V, 4.6mohm max, 125A STripFET F8

STL120N10F8
STMicroelectronics
1: S/11.14
4,620En existencias
3,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
STL120N10F8

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511-STL120N10F8

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Enhancement Mode Standard Level 100V, 4.6mohm max, 125A STripFET F8

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3,000En pedido

Cinta cortada

S/11.14

S/7.18

S/4.95

S/3.96

S/3.95

Envase tipo carrete

S/3.69

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

1 Channel

100 V

125 A

4.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

56 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Enhancement Mode 100V, 3.2mOhm max, 158A STripFET F8 Power MOSFET

STL160N10F8
STMicroelectronics
1: S/14.02
2,835En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL160N10F8

N.º de artículo de Mouser
511-STL160N10F8

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Enhancement Mode 100V, 3.2mOhm max, 158A STripFET F8 Power MOSFET

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Cinta cortada

S/14.02

S/9.12

S/7.01

S/5.85

S/5.07

Envase tipo carrete

S/5.07

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-4

N-Channel

1 Channel

100 V

158 A

3.2 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

90 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel 100 V, 3.2 mOhm max., 154 A STripFET F8 Power MOSFET

STL165N10F8AG
STMicroelectronics
1: S/17.42
1,774En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL165N10F8AG

N.º de artículo de Mouser
511-STL165N10F8AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel 100 V, 3.2 mOhm max., 154 A STripFET F8 Power MOSFET

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1,774En existencias

Cinta cortada

S/17.42

S/10.66

S/9.37

S/8.69

S/8.26

Envase tipo carrete

S/5.59

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-4

N-Channel

1 Channel

100 V

158 A

3.2 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

90 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel logic level 40 V, 1.0 mOhm max., 304 A, STripFET F8 Power MOSFET

STL300N4LF8
STMicroelectronics
1: S/11.09
2,767En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL300N4LF8

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511-STL300N4LF8

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel logic level 40 V, 1.0 mOhm max., 304 A, STripFET F8 Power MOSFET

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S/11.09

S/7.48

S/5.12

S/4.24

S/4.01

Envase tipo carrete

S/3.67

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-8

N-Channel

1 Channel

40 V

304 A

1 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

70 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-Channel 40 V, 0.85 mOhm max., 350A STripFET F8 Power MOSFET

STL325N4F8AG
STMicroelectronics
1: S/14.02
2,534En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL325N4F8AG

N.º de artículo de Mouser
511-STL325N4F8AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-Channel 40 V, 0.85 mOhm max., 350A STripFET F8 Power MOSFET

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2,534En existencias

Cinta cortada

S/14.02

S/9.12

S/6.36

S/5.42

S/5.20

Envase tipo carrete

S/5.07

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-4

N-Channel

1 Channel

40 V

373 A

1.1 mOhms

- 16 V, 16 V

2 V

95 nC

- 55 C

+ 175 C

188 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V Logic Level, 0.55 mOhm STripFET F8 Power MOSFET

STL325N4LF8AG
STMicroelectronics
1: S/11.31
3,968En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL325N4LF8AG

N.º de artículo de Mouser
511-STL325N4LF8AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V Logic Level, 0.55 mOhm STripFET F8 Power MOSFET

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3,968En existencias

Cinta cortada

S/11.31

S/7.87

S/5.98

S/5.29

S/5.16

Envase tipo carrete

S/5.16

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

N-Channel

AEC-Q101

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-Channel Enhancement Mode Logic Level 40V, 1mOhm, 305A STripFET F8

STL305N4LF8AG
STMicroelectronics
1: S/12.73
401En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL305N4LF8AG

N.º de artículo de Mouser
511-STL305N4LF8AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-Channel Enhancement Mode Logic Level 40V, 1mOhm, 305A STripFET F8

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Hoja de datos

401En existencias

Cinta cortada

S/12.73

S/8.26

S/5.72

S/4.73

S/4.56

Envase tipo carrete

S/4.43

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-8

N-Channel

1 Channel

40 V

304 A

1 mOhms

- 16 V, 16 V

2 V

70 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel 100 V, 4.6 mOhms max., 125 A STripFET F8 Power MOSFET

STL125N10F8AG
STMicroelectronics
1: S/12.60
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
STL125N10F8AG

N.º de artículo de Mouser
511-STL125N10F8AG

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel 100 V, 4.6 mOhms max., 125 A STripFET F8 Power MOSFET

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Cinta cortada

S/12.60

S/8.17

S/5.68

S/4.69

S/4.52

Envase tipo carrete

S/4.39

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-8

N-Channel

1 Channel

100 V

125 A

4.6 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

56 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

AEC-Q101

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Enhancement Mode 40V, 1.1mohm 290A Automotive STripFET F8 Power MOSFET

STL305N4F8AG
STMicroelectronics
1: S/12.26
3,000En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
STL305N4F8AG

N.º de artículo de Mouser
511-STL305N4F8AG

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Enhancement Mode 40V, 1.1mohm 290A Automotive STripFET F8 Power MOSFET

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3,000En pedido

Cinta cortada

S/12.26

S/7.96

S/5.50

S/4.52

Envase tipo carrete

S/4.21

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-8

N-Channel

290 A

1.1 mOhms

Enhancement

AEC-Q101

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel logic level 40 V, 2.7 mOhm max., 103 A STripFET F8 Power MOSFET

STL100N4LF8
STMicroelectronics
1: S/5.68
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
STL100N4LF8

N.º de artículo de Mouser
511-STL100N4LF8

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel logic level 40 V, 2.7 mOhm max., 103 A STripFET F8 Power MOSFET

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Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

Cinta cortada

S/5.68

S/3.83

S/3.05

S/2.73

S/2.59

Envase tipo carrete

S/1.66

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel logic level 40 V, 2.3 mOhm max., 124 A STripFET F8 Power MOSFET

STL130N4LF8
STMicroelectronics
1: S/7.61
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
STL130N4LF8

N.º de artículo de Mouser
511-STL130N4LF8

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel logic level 40 V, 2.3 mOhm max., 124 A STripFET F8 Power MOSFET

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

Cinta cortada

S/7.61

S/4.77

S/3.13

S/2.49

S/2.21

Envase tipo carrete

S/1.87

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel logic level 40 V, 2.6 mOhm max, 144 A STripFET F8 Power MOSFET

STL140N4LF8
STMicroelectronics
3,000: S/2.06
Plazo de entrega no en existencias 21 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
STL140N4LF8

N.º de artículo de Mouser
511-STL140N4LF8

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel logic level 40 V, 2.6 mOhm max, 144 A STripFET F8 Power MOSFET

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 21 Semanas

Envase tipo carrete

S/2.06

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

: 3,000

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 40V, 2.6 mOhm max., 154 A STripFET F8 Power MOSFET

STL160N4F8
STMicroelectronics
3,000: S/2.24
Plazo de entrega no en existencias 21 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
STL160N4F8

N.º de artículo de Mouser
511-STL160N4F8

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 40V, 2.6 mOhm max., 154 A STripFET F8 Power MOSFET

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 21 Semanas

Envase tipo carrete

S/2.24

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

: 3,000

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Enhancement Mode 40V Logic level 2.2mOhm 167A STripFET F8 Power MOSFET

STL170N4LF8
STMicroelectronics
3,000: S/2.26
Plazo de entrega no en existencias 21 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STL170N4LF8

N.º de artículo de Mouser
511-STL170N4LF8

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Enhancement Mode 40V Logic level 2.2mOhm 167A STripFET F8 Power MOSFET

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Plazo de entrega no en existencias 21 Semanas

Envase tipo carrete

S/2.26

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-4

N-Channel

1 Channel

40 V

167 A

3.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

34.5 nC

- 55 C

+ 175 C

111 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel logic level 40V 2.2 mOhm 167A STripFET F8 PowerMOSFET

STL175N4LF8AG
STMicroelectronics
3,000: S/2.70
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STL175N4LF8AG

N.º de artículo de Mouser
511-STL175N4LF8AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel logic level 40V 2.2 mOhm 167A STripFET F8 PowerMOSFET

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

Envase tipo carrete

S/2.70

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-8

N-Channel

1 Channel

40 V

167 A

3.2 mOhms

- 16 V, 16 V

2 V

34.5 nC

- 55 C

+ 175 C

111 W

Enhancement

AEC-Q101

STripFET

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N- channel 40 V, 1.7 mOhm max., 203 A STripFET F8 Power MOSFET

STL220N4F8
STMicroelectronics
1: S/9.89
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
STL220N4F8

N.º de artículo de Mouser
511-STL220N4F8

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N- channel 40 V, 1.7 mOhm max., 203 A STripFET F8 Power MOSFET

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Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

Cinta cortada

S/9.89

S/6.02

S/4.39

S/3.78

S/3.33

Envase tipo carrete

S/2.69

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 40 V, 0.85 mOhm max., 350 A STripFET F8 Power MOSFET

STL320N4F8
STMicroelectronics
1: S/13.07
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STL320N4F8

N.º de artículo de Mouser
511-STL320N4F8

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 40 V, 0.85 mOhm max., 350 A STripFET F8 Power MOSFET

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

Cinta cortada

S/13.07

S/8.43

S/6.02

S/5.07

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

PowerFLAT-4

N-Channel

1 Channel

40 V

360 A

1.15 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

96 nC

- 55 C

+ 175 C

188 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel logic level 40 V, 2.6 mOhm 141 A STripFET F8 Power MOSFET

STL145N4LF8AG
STMicroelectronics
1: S/9.72
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
STL145N4LF8AG

N.º de artículo de Mouser
511-STL145N4LF8AG

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel logic level 40 V, 2.6 mOhm 141 A STripFET F8 Power MOSFET

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

Cinta cortada

S/9.72

S/6.19

S/4.11

S/3.36

S/2.98

Envase tipo carrete

S/2.67

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

STMicroelectronics STripFET F8 Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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