STMicroelectronics MDmesh M6 Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 85 mOhm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET
Hoja de datos
482En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,800

Si SMD/SMT TO-LL-8 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 99 mOhms - 25 V, 25 V 4.75 V 44.3 nC - 55 C + 150 C 230 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 1,800
Mult.: 1,800
: 1,800

Si SMD/SMT TO-LL-8 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 125 mOhms - 25 V, 25 V 4.75 V 33.4 nC - 55 C + 150 C 230 W Enhancement MDmesh Reel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 36 A MDmesh M6 Power MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 1,800
Mult.: 1,800
: 1,800

Si SMD/SMT TO-LL-8 N-Channel 1 Channel 600 V 36 A 80 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 52.2 nC - 55 C + 150 C 255 W Enhancement MDmesh Reel