Linear Integrated Systems 2N/PN/SST4391 Serie Transistor de unión de efecto de campo (JFET)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Configuración
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Vds - Tensión disruptiva entre puerta y fuente
Voltaje de corte puerta-fuente
Corriente de la fuente de drenaje en VGS = 0
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Dp - Disipación de potencia
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Serie
Empaquetado
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) SINGLE, LOW NOISE, N-CHANNEL JFET SWITCH
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-92-3 N-Channel Single 20 V - 40 V - 5 V 150 mA 1 nA 60 mOhms 350 mW - 55 C + 150 C 2N/PN/SST4391 Bulk
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) SINGLE, LOW NOISE, N-CHANNEL JFET SWITCH
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1,000
Mult.: 1,000

Si Through Hole TO-92-3 N-Channel Single 20 V - 40 V - 3 V 125 mA 1 nA 100 Ohms 350 mW - 55 C + 150 C 2N/PN/SST4391 Bulk