Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh M2
STF10N60M2
STMicroelectronics
1:
S/7.87
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N.º de artículo de Mouser
511-STF10N60M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh M2
3,740 En existencias
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S/7.87
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 V 0.37 Ohm 12 A Zener-protect
STF13N80K5
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511-STF13N80K5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 V 0.37 Ohm 12 A Zener-protect
1,945 En existencias
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S/18.79
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.135 Ohm MDmesh II Power MO
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STF28NM50N
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511-STF28NM50N
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.135 Ohm MDmesh II Power MO
992 En existencias
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S/32.25
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP pack
STF33N60DM2
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511-STF33N60DM2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP pack
975 En existencias
1
S/23.18
10
S/15.14
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S/11.83
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TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 2.5Amp Zener SuperMESH
STF3NK80Z
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511-STF3NK80Z
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 2.5Amp Zener SuperMESH
1,716 En existencias
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S/12.04
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Si
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TO-220-3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220FP packag
STF43N60DM2
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511-STF43N60DM2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220FP packag
578 En existencias
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S/23.74
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S/13.03
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S/10.88
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5
STF57N65M5
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511-STF57N65M5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5
1,976 En existencias
1
S/43.00
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S/23.87
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 1 Ohm 9A Zener MDmesh K5
STF6N95K5
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N.º de artículo de Mouser
511-STF6N95K5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 1 Ohm 9A Zener MDmesh K5
1,729 En existencias
1
S/11.52
10
S/5.38
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S/4.73
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S/3.93
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V 2.5 A PowerMESH
STFW3N150
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N.º de artículo de Mouser
511-STFW3N150
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V 2.5 A PowerMESH
1,374 En existencias
1
S/19.01
10
S/10.54
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-3PF-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V 4 A PowerMESH
STFW4N150
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1,371 En existencias
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511-STFW4N150
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V 4 A PowerMESH
1,371 En existencias
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S/28.55
10
S/16.64
100
S/13.46
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-3PF-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.037 Ohm 58A MDMesh M5 MOS
STFW69N65M5
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1:
S/62.61
338 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STFW69N65M5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.037 Ohm 58A MDMesh M5 MOS
338 En existencias
1
S/62.61
10
S/40.29
100
S/37.80
600
S/34.36
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-3PF-3
N-Channel
IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a D2PAK packa
360°
+6 imágenes
STGB50H65FB2
STMicroelectronics
1:
S/12.00
5,143 En existencias
4,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
511-STGB50H65FB2
STMicroelectronics
IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a D2PAK packa
5,143 En existencias
4,000 En pedido
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Existencias:
5,143 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
2,000 Se espera el 18/05/2026
2,000 Se espera el 6/07/2026
Plazo de entrega de fábrica:
15 Semanas
1
S/12.00
10
S/7.74
100
S/5.55
500
S/4.64
1,000
S/4.00
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Carrete :
1,000
Detalles
IGBT Transistors
IGBTs Automotive-grade 450 V internally clamped IGBT ESCIS 300 mJ
STGD20N45LZAG
STMicroelectronics
1:
S/8.39
2,779 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STGD20N45LZAG
STMicroelectronics
IGBTs Automotive-grade 450 V internally clamped IGBT ESCIS 300 mJ
2,779 En existencias
1
S/8.39
10
S/5.38
100
S/3.62
500
S/2.87
1,000
S/2.63
2,500
S/2.53
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Mult.: 1
Carrete :
2,500
Detalles
IGBT Transistors
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
IGBTs Automotive-grade 360 V internally clamped IGBT ESCIS 300 mJ
360°
+6 imágenes
STGD25N36LZAG
STMicroelectronics
1:
S/8.64
2,485 En existencias
2,490 En pedido
N.º de artículo de Mouser
511-STGD25N36LZAG
STMicroelectronics
IGBTs Automotive-grade 360 V internally clamped IGBT ESCIS 300 mJ
2,485 En existencias
2,490 En pedido
1
S/8.64
10
S/5.55
100
S/3.82
500
S/3.24
1,000
S/2.70
2,500
S/2.57
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Detalles
IGBT Transistors
IGBTs Automotive-grade 400 V internally clamped IGBT ESCIS 320 mJ
STGD25N40LZAG
STMicroelectronics
1:
S/8.39
2,789 En existencias
4,987 En pedido
N.º de artículo de Mouser
511-STGD25N40LZAG
STMicroelectronics
IGBTs Automotive-grade 400 V internally clamped IGBT ESCIS 320 mJ
2,789 En existencias
4,987 En pedido
1
S/8.39
10
S/5.38
100
S/3.62
500
S/2.87
1,000
S/2.67
2,500
S/2.43
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Detalles
IGBT Transistors
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
IGBTs N-channel 600 V, 7 A very fast IGBT
360°
+5 imágenes
STGD6NC60H-1
STMicroelectronics
1:
S/7.78
3,058 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STGD6NC60H-1
STMicroelectronics
IGBTs N-channel 600 V, 7 A very fast IGBT
3,058 En existencias
1
S/7.78
10
S/3.50
100
S/3.14
500
S/2.62
1,000
Ver
1,000
S/2.22
3,000
S/2.09
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
IGBT Transistors
Si
Through Hole
IPAK-3
IGBTs N-Ch 600 Volt 7 Amp
STGD7NB60ST4
STMicroelectronics
1:
S/12.30
1,683 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STGD7NB60ST4
STMicroelectronics
IGBTs N-Ch 600 Volt 7 Amp
1,683 En existencias
1
S/12.30
10
S/7.96
100
S/5.50
500
S/4.56
1,000
S/4.39
2,500
S/4.11
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Detalles
IGBT Transistors
Si
SMD/SMT
TO-252-3
Módulos IGBT N-Ch 600 Volt 150Amp
STGE200NB60S
STMicroelectronics
1:
S/111.71
96 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STGE200NB60S
STMicroelectronics
Módulos IGBT N-Ch 600 Volt 150Amp
96 En existencias
1
S/111.71
10
S/83.55
100
S/80.02
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
IGBT Modules
Si
Through Hole
ISOTOP-4
IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss
STGF30M65DF2
STMicroelectronics
1:
S/12.73
1,411 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STGF30M65DF2
STMicroelectronics
IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss
1,411 En existencias
1
S/12.73
10
S/6.32
100
S/5.72
500
S/4.64
1,000
S/4.43
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
IGBT Transistors
Si
Through Hole
TO-220FP-3
IGBTs N-Ch 1200 Volt 3 Amp
STGF3NC120HD
STMicroelectronics
1:
S/10.49
5,266 En existencias
1,384 En pedido
N.º de artículo de Mouser
511-STGF3NC120HD
STMicroelectronics
IGBTs N-Ch 1200 Volt 3 Amp
5,266 En existencias
1,384 En pedido
1
S/10.49
10
S/5.16
100
S/4.64
500
S/3.69
1,000
S/3.44
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
IGBT Transistors
Si
Through Hole
TO-220-3 FP
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 7 A high speed
360°
+6 imágenes
STGF7H60DF
STMicroelectronics
1:
S/8.00
4,862 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STGF7H60DF
STMicroelectronics
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 7 A high speed
4,862 En existencias
1
S/8.00
10
S/5.07
100
S/3.38
500
S/2.77
1,000
Ver
1,000
S/2.43
2,000
S/2.20
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
IGBT Transistors
Si
Through Hole
IGBTs N-CH 7 A - 600V POWERMESH IGBT
STGF7NB60SL
STMicroelectronics
1:
S/9.37
3,004 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STGF7NB60SL
STMicroelectronics
IGBTs N-CH 7 A - 600V POWERMESH IGBT
3,004 En existencias
1
S/9.37
10
S/4.56
100
S/4.08
500
S/3.66
1,000
Ver
1,000
S/3.05
2,000
S/2.91
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
IGBT Transistors
Si
Through Hole
TO-220-3 FP
IGBTs PowerMESH TM IGBT
STGP10NC60HD
STMicroelectronics
1:
S/9.93
2,818 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STGP10NC60HD
STMicroelectronics
IGBTs PowerMESH TM IGBT
2,818 En existencias
1
S/9.93
10
S/4.95
100
S/4.47
500
S/3.55
1,000
Ver
1,000
S/3.26
2,000
S/3.19
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
IGBT Transistors
Si
Through Hole
TO-220-3
IGBTs Trench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBT
STGP30H60DFB
STMicroelectronics
1:
S/12.34
1,661 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STGP30H60DFB
STMicroelectronics
IGBTs Trench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBT
1,661 En existencias
1
S/12.34
10
S/6.11
100
S/5.50
500
S/4.47
1,000
S/4.29
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
IGBT Transistors
Si
Through Hole
TO-220-3
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed
STGP5H60DF
STMicroelectronics
1:
S/8.43
2,931 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STGP5H60DF
STMicroelectronics
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed
2,931 En existencias
1
S/8.43
10
S/4.05
100
S/3.62
500
S/2.87
1,000
Ver
1,000
S/2.63
2,000
S/2.54
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
IGBT Transistors
Si
Through Hole
TO-220-3