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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 10.5A Zener SuperMESH

STB12NK80ZT4
STMicroelectronics
1: S/25.03
816En existencias

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STB12NK80ZT4

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511-STB12NK80Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 10.5A Zener SuperMESH

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S/25.03

S/16.81

S/12.08

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S/11.14

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V 0.37Ohm 12A MDmesh K5

STB13N80K5
STMicroelectronics
1: S/22.58
1,526En existencias

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STB13N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STB13N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V 0.37Ohm 12A MDmesh K5

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S/22.58

S/15.05

S/10.75

Envase tipo carrete

S/9.63

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: 1,000

MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 280 mOhm typ., 15 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package

STB16N90K5
STMicroelectronics
1: S/25.41
1,348En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB16N90K5

N.º de artículo de Mouser
511-STB16N90K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 280 mOhm typ., 15 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package

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S/25.41

S/18.06

S/13.76

S/13.20

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S/12.21

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh M5

STB18N65M5
STMicroelectronics
1: S/15.65
1,453En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB18N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STB18N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh M5

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S/15.65

S/10.28

S/7.18

S/6.32

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 0.275 Ohm 17.5A MDmesh K5

STB20N95K5
STMicroelectronics
1: S/36.34
1,199En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB20N95K5

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511-STB20N95K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 0.275 Ohm 17.5A MDmesh K5

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S/36.34

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D2PAK-3 (TO-263-3)

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5

STB21N90K5
STMicroelectronics
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STB21N90K5

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511-STB21N90K5

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5

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S/32.08

S/22.02

S/16.73

S/16.68

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S/15.57

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package

STB24N60DM2
STMicroelectronics
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STB24N60DM2

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511-STB24N60DM2

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package

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S/16.08

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.19 Ohm 19.5A MDmesh K5

STB25N80K5
STMicroelectronics
1: S/25.24
1,435En existencias

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STB25N80K5

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511-STB25N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.19 Ohm 19.5A MDmesh K5

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D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 40V Pwr Mosfet

STB270N4F3
STMicroelectronics
1: S/19.91
1,697En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
STB270N4F3

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511-STB270N4F3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 40V Pwr Mosfet

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S/19.91

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S/9.33

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S/7.14

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D2PAK-3 (TO-263-3)

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.135 21A MDmesh II

STB28NM50N
STMicroelectronics
1: S/33.45
922En existencias

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STB28NM50N

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511-STB28NM50N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.135 21A MDmesh II

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S/22.83

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S/16.34

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D2PAK-3 (TO-263-3)

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.108 Ohm typ., 26 A MDmesh M2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in D2PAK package

STB33N60M2
STMicroelectronics
1: S/20.60
1,387En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB33N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STB33N60M2

STMicroelectronics

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S/20.60

S/13.63

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S/9.63

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power MOSFET i

STB37N60DM2AG
STMicroelectronics
1: S/33.02
2,045En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB37N60DM2AG

N.º de artículo de Mouser
511-STB37N60DM2AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power MOSFET i

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S/33.02

S/22.49

S/17.20

Envase tipo carrete

S/16.04

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: 1,000

MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch 650 Volt 33Amp

STB42N65M5
STMicroelectronics
1: S/48.07
745En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB42N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STB42N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch 650 Volt 33Amp

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S/48.07

S/34.19

S/30.79

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S/27.05

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 0.058 Ohm typ., 42 A MDmesh M5 Power MOSFET in

STB43N65M5
STMicroelectronics
1: S/40.59
2,082En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB43N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STB43N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 0.058 Ohm typ., 42 A MDmesh M5 Power MOSFET in

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S/40.59

S/27.86

S/22.49

Envase tipo carrete

S/20.98

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Min.: 1
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: 1,000

MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 300 V, 37 mOhm typ., 53 A MDmesh M5 Power MOSFET in a D2PAK Package

STB45N30M5
STMicroelectronics
1: S/32.55
1,644En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB45N30M5

N.º de artículo de Mouser
511-STB45N30M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 300 V, 37 mOhm typ., 53 A MDmesh M5 Power MOSFET in a D2PAK Package

Hoja de datos

1,644En existencias

Cinta cortada

S/32.55

S/22.27

S/16.94

Envase tipo carrete

S/15.82

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: 1,000

MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 500 V, 0.07 Ohm typ., 35 A MDmesh DM2 Power MOSFET in

STB45N50DM2AG
STMicroelectronics
1: S/32.21
1,419En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB45N50DM2AG

N.º de artículo de Mouser
511-STB45N50DM2AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 500 V, 0.07 Ohm typ., 35 A MDmesh DM2 Power MOSFET in

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Cinta cortada

S/32.21

S/21.93

S/16.64

Envase tipo carrete

S/15.52

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 300 V, 63 mOhm typ., 42 A STripFET II Power MOSFET in a D2PAK package

STB46NF30
STMicroelectronics
1: S/19.95
3,569En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB46NF30

N.º de artículo de Mouser
511-STB46NF30

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 300 V, 63 mOhm typ., 42 A STripFET II Power MOSFET in a D2PAK package

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3,569En existencias

Más información disponible

Cinta cortada

S/19.95

S/13.20

S/9.37

S/8.73

Envase tipo carrete

S/8.13

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Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5

STB57N65M5
STMicroelectronics
1: S/47.17
907En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB57N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STB57N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5

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Cinta cortada

S/47.17

S/32.68

S/27.39

Envase tipo carrete

S/25.59

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: 1,000

MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 0.019 61A Mdmesh V

STB80N20M5
STMicroelectronics
1: S/25.50
2,004En existencias
1,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
STB80N20M5

N.º de artículo de Mouser
511-STB80N20M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 0.019 61A Mdmesh V

Hoja de datos

2,004En existencias

1,000En pedido

Cinta cortada

S/25.50

S/17.76

S/12.81

S/12.73

Envase tipo carrete

S/11.87

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.0068mOhm 80A STripFETVII 120

STD100N10F7
STMicroelectronics
1: S/10.75
10,254En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD100N10F7

N.º de artículo de Mouser
511-STD100N10F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.0068mOhm 80A STripFETVII 120

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10,254En existencias

Cinta cortada

S/10.75

S/7.35

S/5.63

S/4.69

Envase tipo carrete

S/4.39

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Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 6.8 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET i

STD105N10F7AG
STMicroelectronics
1: S/11.83
3,143En existencias
2,500En pedido

N.º de artículo del Fabricante
STD105N10F7AG

N.º de artículo de Mouser
511-STD105N10F7AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 6.8 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET i

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3,143En existencias

2,500En pedido

Cinta cortada

S/11.83

S/7.65

S/5.29

S/4.28

S/4.23

Envase tipo carrete

S/3.98

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 550 mOhm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package

STD10LN80K5
STMicroelectronics
1: S/15.61
2,249En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD10LN80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STD10LN80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 550 mOhm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package

Hoja de datos

2,249En existencias

Cinta cortada

S/15.61

S/10.23

S/7.14

S/6.28

S/6.15

Envase tipo carrete

S/5.85

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh M2

STD10N60M2
STMicroelectronics
1: S/7.14
10,780En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD10N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STD10N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh M2

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10,780En existencias

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S/7.14

S/4.52

S/3.01

S/2.40

S/2.19

Envase tipo carrete

S/1.90

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Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 10 Amp

STD10NF10T4
STMicroelectronics
1: S/8.17
2,881En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD10NF10T4

N.º de artículo de Mouser
511-STD10NF10

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 10 Amp

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2,881En existencias

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S/8.17

S/5.20

S/3.47

S/2.78

S/2.53

Envase tipo carrete

S/2.26

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Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 80 V, 0.0056 Ohm typ., 110 A, STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK packa

STD110N8F6
STMicroelectronics
1: S/10.45
5,659En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD110N8F6

N.º de artículo de Mouser
511-STD110N8F6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 80 V, 0.0056 Ohm typ., 110 A, STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK packa

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5,659En existencias

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S/10.45

S/6.71

S/4.60

S/3.69

S/3.45

Envase tipo carrete

S/3.04

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

STMicroelectronics Transistores

Tipos de Transistores

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

56.7 mm x 48 mm
A2-3
ACEPACK
ACEPACK DMT-32
ACEPACK SMIT-9
ACEPACK-1
ACEPACK-1-35
ACEPACK-2-35
ACEPACK-5
ACEPACK-9
ACEPACK1
ACEPACK2
B2-3
B4E-5
D2PAK
D2PAK-3
D2PAK-3 (TO-263-3)
DPAK
DPAK-3
DPAK-3 (TO-252-3)