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STMicroelectronics Transistores

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N.° de pieza

IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 1200 V 40 A low-loss MS series IGBT in a

GWA40MS120DF4AG
STMicroelectronics
1: S/28.64
557En existencias

N.º de artículo del Fabricante
GWA40MS120DF4AG

N.º de artículo de Mouser
511-GWA40MS120DF4AG

STMicroelectronics

IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 1200 V 40 A low-loss MS series IGBT in a

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Hoja de datos

557En existencias

S/28.64

S/14.23

S/14.19

S/14.10

S/13.50

Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors

Through Hole

TO-247-3

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package

SCT012H90G3AG
STMicroelectronics
1: S/88.37
127En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT012H90G3AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT012H90G3AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package

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127En existencias

Más información disponible

Cinta cortada

S/88.37

S/63.47

S/61.66

Envase tipo carrete

S/57.58

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SiC MOSFETS

SiC

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

SCT018H65G3AG
STMicroelectronics
1: S/66.56
169En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT018H65G3AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT018H65G3AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

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Hoja de datos

169En existencias

Cinta cortada

S/66.56

S/47.00

S/45.24

S/42.83

Envase tipo carrete

S/39.99

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SiC MOSFETS

SiC

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package

SCT018W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: S/67.17
527En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT018W65G3-4AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT018W65G3-4AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package

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527En existencias

S/67.17

S/47.43

S/40.42

Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS

SiC

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package

SCT020W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: S/81.27
478En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT020W120G3-4AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT020W120G3-4AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package

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Hoja de datos

478En existencias

S/81.27

S/51.69

Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS

SiC

Through Hole

Hip247-4

N-Channel

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package

SCT025W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: S/87.20
590En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT025W120G3-4AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT025W120G3-4AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package

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590En existencias

Más información disponible

S/87.20

S/55.60

S/50.44

S/47.86

Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS

SiC

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package

SCT025W120G3AG
STMicroelectronics
1: S/77.70
462En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT025W120G3AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT025W120G3AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package

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Hoja de datos

462En existencias

S/77.70

S/56.85

S/49.92

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS

SiC

Through Hole

HiP247-3

N-Channel

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A

SCT027W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: S/70.00
338En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT027W65G3-4AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT027W65G3-4AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A

Obtenga más información

Hoja de datos

338En existencias

S/70.00

S/31.69

Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS

SiC

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A

SCT040W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: S/56.55
598En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT040W120G3-4AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT040W120G3-4AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A

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Hoja de datos

598En existencias

S/56.55

S/39.52

S/32.34

Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS

SiC

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package

SCT040W120G3AG
STMicroelectronics
1: S/56.12
587En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT040W120G3AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT040W120G3AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package

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587En existencias

S/56.12

S/39.22

S/32.04

Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS

SiC

Through Hole

HiP-247-3

N-Channel

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

SCT040W65G3-4
STMicroelectronics
1: S/45.49
537En existencias
600En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SCT040W65G3-4

N.º de artículo de Mouser
511-SCT040W65G3-4

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

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Hoja de datos

537En existencias

600En pedido

S/45.49

S/27.86

S/26.49

S/25.24

Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS

SiC

Through Hole

HiP247-4

N-Channel

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

SCT040W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: S/53.92
638En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT040W65G3-4AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT040W65G3-4AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

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Hoja de datos

638En existencias

S/53.92

S/39.35

S/31.95

S/31.91

S/30.40

Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS

SiC

Through Hole

HiP247-4

N-Channel

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

SCT070W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: S/54.35
303En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT070W120G3-4AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT070W120G3-4AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

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Hoja de datos

303En existencias

Más información disponible

S/54.35

S/44.76

S/34.36

S/30.70

Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS

SiC

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650V, 56 mOhm typ., 53 A MDmesh DM6 Power MOSFET

SH63N65DM6AG
STMicroelectronics
1: S/107.93
184En existencias
200En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SH63N65DM6AG

N.º de artículo de Mouser
511-SH63N65DM6AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650V, 56 mOhm typ., 53 A MDmesh DM6 Power MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

184En existencias

200En pedido

Cinta cortada

S/107.93

S/82.95

S/54.18

Envase tipo carrete

S/54.18

S/51.60

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 200

MOSFETs

SMD/SMT

ACEPACK SMIT-9

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive grade N-channel 650V 35 mOhm 64A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET

SH68N65DM6AG
STMicroelectronics
1: S/81.96
185En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SH68N65DM6AG

N.º de artículo de Mouser
511-SH68N65DM6AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive grade N-channel 650V 35 mOhm 64A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

185En existencias

Cinta cortada

S/81.96

S/58.57

S/52.25

Envase tipo carrete

S/52.25

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 200

MOSFETs

N-Channel

Módulos IGBT SLLIMM high power IPM, 3-phase inverter, 10 A, 1200 V short-circuit rugged IGBT

STGIK10M120T
STMicroelectronics
1: S/184.38
63En existencias
44En pedido

N.º de artículo del Fabricante
STGIK10M120T

N.º de artículo de Mouser
511-STGIK10M120T

STMicroelectronics

Módulos IGBT SLLIMM high power IPM, 3-phase inverter, 10 A, 1200 V short-circuit rugged IGBT

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Hoja de datos

63En existencias

44En pedido

S/184.38

S/162.58

S/145.04

Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Modules

Through Hole

SDIPHP-30

IGBTs Automotive ACEPACK SMIT half-bridge 650 V, 80 A HB series IGBT with diode

STGSH80HB65DAG
STMicroelectronics
1: S/83.46
189En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGSH80HB65DAG

N.º de artículo de Mouser
511-STGSH80HB65DAG

STMicroelectronics

IGBTs Automotive ACEPACK SMIT half-bridge 650 V, 80 A HB series IGBT with diode

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189En existencias

Cinta cortada

S/83.46

S/59.68

S/53.45

Envase tipo carrete

S/53.45

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 200

IGBT Transistors

SMD/SMT

ACEPACK-5

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 1200 V, 1.45 Ohm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET

STH12N120K5-2AG
STMicroelectronics
1: S/51.64
441En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STH12N120K5-2AG

N.º de artículo de Mouser
511-STH12N120K5-2AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 1200 V, 1.45 Ohm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET

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441En existencias

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Cinta cortada

S/51.64

S/41.84

S/34.87

S/31.69

Envase tipo carrete

S/29.03

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

MOSFETs

SMD/SMT

H2PAK-2

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 76 mOhm typ., 27 A MDmesh DM9 Power MOSFET

STH60N099DM9-2AG
STMicroelectronics
1: S/25.07
1,142En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STH60N099DM9-2AG

N.º de artículo de Mouser
511-STH60N099DM9-2AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 76 mOhm typ., 27 A MDmesh DM9 Power MOSFET

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1,142En existencias

Cinta cortada

S/25.07

S/16.81

S/12.13

S/11.91

Envase tipo carrete

S/11.09

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

MOSFETs

SMD/SMT

H2PAK-2

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Enhancement Mode Standard Level 100V, 4.6mohm max, 125A STripFET F8

STL120N10F8
STMicroelectronics
1: S/11.14
4,620En existencias
3,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
STL120N10F8

N.º de artículo de Mouser
511-STL120N10F8

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Enhancement Mode Standard Level 100V, 4.6mohm max, 125A STripFET F8

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Hoja de datos

4,620En existencias

3,000En pedido

Cinta cortada

S/11.14

S/7.18

S/4.95

S/3.96

S/3.95

Envase tipo carrete

S/3.69

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Enhancement Mode 100V, 3.2mOhm max, 158A STripFET F8 Power MOSFET

STL160N10F8
STMicroelectronics
1: S/14.02
2,835En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL160N10F8

N.º de artículo de Mouser
511-STL160N10F8

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Enhancement Mode 100V, 3.2mOhm max, 158A STripFET F8 Power MOSFET

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Hoja de datos

2,835En existencias

Cinta cortada

S/14.02

S/9.12

S/7.01

S/5.85

S/5.07

Envase tipo carrete

S/5.07

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-4

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel 100 V, 3.2 mOhm max., 154 A STripFET F8 Power MOSFET

STL165N10F8AG
STMicroelectronics
1: S/17.42
1,774En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL165N10F8AG

N.º de artículo de Mouser
511-STL165N10F8AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel 100 V, 3.2 mOhm max., 154 A STripFET F8 Power MOSFET

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Hoja de datos

1,774En existencias

Cinta cortada

S/17.42

S/10.66

S/9.37

S/8.69

S/8.26

Envase tipo carrete

S/5.59

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-4

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel logic level 40 V, 1.0 mOhm max., 304 A, STripFET F8 Power MOSFET

STL300N4LF8
STMicroelectronics
1: S/11.09
2,767En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL300N4LF8

N.º de artículo de Mouser
511-STL300N4LF8

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel logic level 40 V, 1.0 mOhm max., 304 A, STripFET F8 Power MOSFET

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Hoja de datos

2,767En existencias

Cinta cortada

S/11.09

S/7.48

S/5.12

S/4.24

S/4.01

Envase tipo carrete

S/3.67

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-8

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-Channel 40 V, 0.85 mOhm max., 350A STripFET F8 Power MOSFET

STL325N4F8AG
STMicroelectronics
1: S/14.02
2,534En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL325N4F8AG

N.º de artículo de Mouser
511-STL325N4F8AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-Channel 40 V, 0.85 mOhm max., 350A STripFET F8 Power MOSFET

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Hoja de datos

2,534En existencias

Cinta cortada

S/14.02

S/9.12

S/6.36

S/5.42

S/5.20

Envase tipo carrete

S/5.07

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-4

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V Logic Level, 0.55 mOhm STripFET F8 Power MOSFET

STL325N4LF8AG
STMicroelectronics
1: S/11.31
3,968En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL325N4LF8AG

N.º de artículo de Mouser
511-STL325N4LF8AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V Logic Level, 0.55 mOhm STripFET F8 Power MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

3,968En existencias

Cinta cortada

S/11.31

S/7.87

S/5.98

S/5.29

S/5.16

Envase tipo carrete

S/5.16

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

MOSFETs

N-Channel

STMicroelectronics Transistores

Tipos de Transistores

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

56.7 mm x 48 mm
A2-3
ACEPACK
ACEPACK DMT-32
ACEPACK SMIT-9
ACEPACK-1
ACEPACK-1-35
ACEPACK-2-35
ACEPACK-5
ACEPACK-9
ACEPACK1
ACEPACK2
B2-3
B4E-5
D2PAK
D2PAK-3
D2PAK-3 (TO-263-3)
DPAK
DPAK-3
DPAK-3 (TO-252-3)