Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.0 Ohm typ., 5 A MDmesh K6 Power MOSFET
STF80N1K1K6
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.0 Ohm typ., 5 A MDmesh K6 Power MOSFET
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220FP-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 515 mOhm typ., 7 A MDmesh K6 Power MOSFET
STF80N600K6
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 515 mOhm typ., 7 A MDmesh K6 Power MOSFET
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220FP-3
N-Channel
IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 30 A low-loss M series IGBT
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STGHU30M65DF2AG
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IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 30 A low-loss M series IGBT
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Si
SMD/SMT
HU3PAK-7
IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 30 A low-loss M series IGBT
STGWA30M65DF2AG
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IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 30 A low-loss M series IGBT
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IGBTs
Si
Through Hole
TO-247-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel 40 V, 0.48 mOhm max., 672 A STripFET F8 Power MOSFET
STK615N4F8AG
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel 40 V, 0.48 mOhm max., 672 A STripFET F8 Power MOSFET
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MOSFETs
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel logic level 60 V, 2.5 mOhm max., 160 A, STripFET F7 Power MOSFET
STL160N6LF7
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel logic level 60 V, 2.5 mOhm max., 160 A, STripFET F7 Power MOSFET
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MOSFETs
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Rad-Hard 50 V, 0.8 A NPN transistor - Engineering model
2N2222AUB1
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S/398.09
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N.º de artículo de Mouser 511-2N2222AUB1
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Rad-Hard 50 V, 0.8 A NPN transistor - Engineering model
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No aplicable
BJTs - Bipolar Transistors
Si
SMD/SMT
UB-4
NPN
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Rad-Hard 60 V, 0.6 A PNP transistor - Engineering model
2N2907AUB1
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S/480.05
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N.º de artículo de Mouser 511-2N2907AUB1
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Rad-Hard 60 V, 0.6 A PNP transistor - Engineering model
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No aplicable
BJTs - Bipolar Transistors
Si
SMD/SMT
UB-4
PNP
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Rad-Hard 80 V, 5 A NPN transistor - Engineering model
2N5154S1
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N.º de artículo de Mouser 511-2N5154S1
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Rad-Hard 80 V, 5 A NPN transistor - Engineering model
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No aplicable
BJTs - Bipolar Transistors
Si
SMD/SMT
SMD.5
NPN
IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 1200 V 40 A low-loss MS series IGBT in a
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GWA40MS120DF4AG
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N.º de artículo de Mouser 511-GWA40MS120DF4AG
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IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 1200 V 40 A low-loss MS series IGBT in a
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S/28.64
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S/14.10
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IGBT Transistors
Si
Through Hole
TO-247-3
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package
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SCT012H90G3AG
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N.º de artículo de Mouser 511-SCT012H90G3AG
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MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package
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SiC MOSFETS
SiC
SMD/SMT
H2PAK-7
N-Channel
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package
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SCT018H65G3AG
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MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package
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S/66.56
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SiC MOSFETS
SiC
SMD/SMT
H2PAK-7
N-Channel
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package
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SCT018W65G3-4AG
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MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package
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S/67.17
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SiC MOSFETS
SiC
Through Hole
HiP-247-4
N-Channel
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package
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SCT020W120G3-4AG
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S/81.27
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N.º de artículo de Mouser 511-SCT020W120G3-4AG
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MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package
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SiC MOSFETS
SiC
Through Hole
Hip247-4
N-Channel
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package
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SCT025W120G3-4AG
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N.º de artículo de Mouser 511-SCT025W120G3-4AG
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MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package
590 En existencias
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S/87.20
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SiC MOSFETS
SiC
Through Hole
HiP-247-4
N-Channel
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package
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SCT025W120G3AG
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N.º de artículo de Mouser 511-SCT025W120G3AG
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MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package
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SiC MOSFETS
SiC
Through Hole
HiP247-3
N-Channel
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A
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SCT027W65G3-4AG
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N.º de artículo de Mouser 511-SCT027W65G3-4AG
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MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A
338 En existencias
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SiC MOSFETS
SiC
Through Hole
HiP-247-4
N-Channel
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A
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SCT040W120G3-4AG
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MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A
598 En existencias
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S/56.55
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SiC MOSFETS
SiC
Through Hole
HiP-247-4
N-Channel
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package
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SCT040W120G3AG
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N.º de artículo de Mouser 511-SCT040W120G3AG
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MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package
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S/39.22
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S/32.04
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SiC MOSFETS
SiC
Through Hole
HiP-247-3
N-Channel
MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
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SCT040W65G3-4
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N.º de artículo de Mouser 511-SCT040W65G3-4
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MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
537 En existencias
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S/45.49
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S/27.86
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S/26.49
600
S/25.24
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SiC MOSFETS
SiC
Through Hole
HiP247-4
N-Channel
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
360°
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SCT040W65G3-4AG
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1:
S/53.92
638 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-SCT040W65G3-4AG
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MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
638 En existencias
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S/53.92
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S/39.35
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S/31.95
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S/31.91
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Detalles
SiC MOSFETS
SiC
Through Hole
HiP247-4
N-Channel
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
360°
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SCT070W120G3-4AG
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1:
S/54.35
303 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-SCT070W120G3-4AG
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MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
303 En existencias
1
S/54.35
10
S/44.76
100
S/34.36
600
S/30.70
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SiC MOSFETS
SiC
Through Hole
HiP-247-4
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650V, 56 mOhm typ., 53 A MDmesh DM6 Power MOSFET
SH63N65DM6AG
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1:
S/107.93
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N.º de artículo de Mouser 511-SH63N65DM6AG
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650V, 56 mOhm typ., 53 A MDmesh DM6 Power MOSFET
184 En existencias
200 En pedido
1
S/107.93
10
S/82.95
100
S/54.18
200
S/54.18
400
S/51.60
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Carrete :200
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
ACEPACK SMIT-9
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive grade N-channel 650V 35 mOhm 64A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET
SH68N65DM6AG
STMicroelectronics
1:
S/81.96
185 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-SH68N65DM6AG
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive grade N-channel 650V 35 mOhm 64A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET
185 En existencias
1
S/81.96
10
S/58.57
100
S/52.25
200
S/52.25
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Carrete :200
Detalles
MOSFETs
Si
N-Channel
Módulos IGBT SLLIMM high power IPM, 3-phase inverter, 10 A, 1200 V short-circuit rugged IGBT
STGIK10M120T
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S/184.38
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N.º de artículo de Mouser 511-STGIK10M120T
STMicroelectronics
Módulos IGBT SLLIMM high power IPM, 3-phase inverter, 10 A, 1200 V short-circuit rugged IGBT
63 En existencias
44 En pedido
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S/184.38
10
S/162.58
72
S/145.04
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Detalles
IGBT Modules
Si
Through Hole
SDIPHP-30
Perú
