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STMicroelectronics Transistores

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N.° de pieza

Módulos MOSFET SLLIMM 2nd series IPM, 3-phase inverter 0.15 Ohm typ., 15 A, 600 V Power MOSFET

STIB1560DM2-Z
STMicroelectronics
1: S/74.95
157En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
STIB1560DM2-Z

N.º de artículo de Mouser
511-STIB1560DM2-Z

Nuevo producto

STMicroelectronics

Módulos MOSFET SLLIMM 2nd series IPM, 3-phase inverter 0.15 Ohm typ., 15 A, 600 V Power MOSFET

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Hoja de datos

157En existencias

S/74.95

S/55.60

S/55.56

S/49.92

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFET Modules

Press Fit

SDIP2B-26

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-Channel 40V, 2.6mOhm max, 154A STripFET F8 Power MOSFET

STL165N4F8AG
STMicroelectronics
1: S/8.77
3,047En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
STL165N4F8AG

N.º de artículo de Mouser
511-STL165N4F8AG

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-Channel 40V, 2.6mOhm max, 154A STripFET F8 Power MOSFET

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3,047En existencias

Cinta cortada

S/8.77

S/5.63

S/3.79

S/3.01

S/2.79

Envase tipo carrete

S/2.66

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-4

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Enhancement Mode 40V, 1.1mohm max, 290 STripFET F8 Power MOSFET

STL300N4F8
STMicroelectronics
1: S/11.14
5,946En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
STL300N4F8

N.º de artículo de Mouser
511-STL300N4F8

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Enhancement Mode 40V, 1.1mohm max, 290 STripFET F8 Power MOSFET

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5,946En existencias

Cinta cortada

S/11.14

S/7.18

S/4.95

S/3.95

S/3.83

Envase tipo carrete

S/3.68

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

MOSFETs

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 0.85 mOhm max., 545 A STripFET F7 Power MOSFET

STO450N6F7
STMicroelectronics
1: S/24.90
1,795En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
STO450N6F7

N.º de artículo de Mouser
511-STO450N6F7

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 0.85 mOhm max., 545 A STripFET F7 Power MOSFET

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Hoja de datos

1,795En existencias

Cinta cortada

S/24.90

S/18.23

S/13.20

S/13.16

S/12.30

Envase tipo carrete

S/12.30

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,800

MOSFETs

SMD/SMT

TO-LL-8

N-Channel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 400 W, 50 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor

RF5L08350CB4
STMicroelectronics
1: S/741.75
110En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
RF5L08350CB4

N.º de artículo de Mouser
511-RF5L08350CB4

NRND

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 400 W, 50 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor

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110En existencias

Cinta cortada

S/741.75

S/629.86

Envase tipo carrete

S/597.06

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 120

RF MOSFET Transistors

SMD/SMT

B4E-5

N-Channel

Módulos MOSFET Automotive-grade ACEPACK DMT-32 power module, fourpack topology, 1200V 47.5 mOhm

M1F45M12W2-1LA
STMicroelectronics
1: S/211.78
519En existencias
528En pedido

N.º de artículo del Fabricante
M1F45M12W2-1LA

N.º de artículo de Mouser
511-M1F45M12W2-1LA

STMicroelectronics

Módulos MOSFET Automotive-grade ACEPACK DMT-32 power module, fourpack topology, 1200V 47.5 mOhm

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519En existencias

528En pedido

S/211.78

S/172.00

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFET Modules

SiC

SMD/SMT

N-Channel

Módulos IGBT ACEPACK 2 converter inverter brake, 1200 V, 25 A trench gate field-stop IGBT M s

A2C25S12M3
STMicroelectronics
1: S/235.64
33En existencias

N.º de artículo del Fabricante
A2C25S12M3

N.º de artículo de Mouser
511-A2C25S12M3

STMicroelectronics

Módulos IGBT ACEPACK 2 converter inverter brake, 1200 V, 25 A trench gate field-stop IGBT M s

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33En existencias

S/235.64

Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Modules

Through Hole

ACEPACK2

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0.190 ohm 16A Mdmesh

STB22NM60N
STMicroelectronics
1: S/13.89
1,019En existencias
Verificar estado con la fábrica

N.º de artículo del Fabricante
STB22NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STB22NM60N

Verificar estado con la fábrica

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0.190 ohm 16A Mdmesh

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1,019En existencias

Cinta cortada

S/13.89

Envase tipo carrete

S/13.89

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 Volt 5 Amp

STB8NM60T4
STMicroelectronics
1: S/18.10
919En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB8NM60T4

N.º de artículo de Mouser
511-STB8NM60

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 Volt 5 Amp

Hoja de datos

919En existencias

Cinta cortada

S/18.10

S/7.14

Envase tipo carrete

S/7.14

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 5 Amp

STD5NM60-1
STMicroelectronics
1: S/14.66
1,997En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD5NM60-1

N.º de artículo de Mouser
511-STD5NM60-1

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 5 Amp

Hoja de datos

1,997En existencias

S/14.66

S/6.97

S/6.41

S/5.50

S/5.38

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 2.8Ohm typ 2.5A Zener-protecte

STU3N80K5
STMicroelectronics
1: S/8.04
2,731En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STU3N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STU3N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 2.8Ohm typ 2.5A Zener-protecte

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Hoja de datos

2,731En existencias

S/8.04

S/3.60

S/3.28

S/2.74

S/2.35

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

Transistores Darlington Seven darlington 3V SUPPLY

ULQ2001A
STMicroelectronics
1: S/6.06
2,608En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ULQ2001A

N.º de artículo de Mouser
511-ULQ2001A

STMicroelectronics

Transistores Darlington Seven darlington 3V SUPPLY

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Hoja de datos

2,608En existencias

S/6.06

S/2.37

S/1.71

S/1.61

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Darlington Transistors

Through Hole

PDIP-16

NPN

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.63 6.5A MDmesh II Power MO

STD9NM60N
STMicroelectronics
1: S/11.48
2,141En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD9NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STD9NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.63 6.5A MDmesh II Power MO

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Hoja de datos

2,141En existencias

Cinta cortada

S/11.48

S/5.98

S/4.82

Envase tipo carrete

S/4.82

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

Transistores Darlington Eight NPN Array

ULQ2801A
STMicroelectronics
1: S/17.76
754En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ULQ2801A

N.º de artículo de Mouser
511-ULQ2801A

STMicroelectronics

Transistores Darlington Eight NPN Array

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Hoja de datos

754En existencias

S/17.76

S/12.38

S/10.62

S/10.28

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Darlington Transistors

Through Hole

PDIP-18

NPN

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.246 Ohm 12A Mdmesh 2 PWR MO

STF14NM50N
STMicroelectronics
1: S/19.82
1,605En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF14NM50N

N.º de artículo de Mouser
511-STF14NM50N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.246 Ohm 12A Mdmesh 2 PWR MO

Hoja de datos

1,605En existencias

S/19.82

S/9.25

S/8.73

S/8.08

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Mdmesh 650V .19 Ohms 1mm TO-220 17A (ID)

STL21N65M5
STMicroelectronics
1: S/18.62
2,692En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL21N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STL21N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Mdmesh 650V .19 Ohms 1mm TO-220 17A (ID)

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Hoja de datos

2,692En existencias

Cinta cortada

S/18.62

S/14.62

S/12.38

S/11.52

Envase tipo carrete

S/11.52

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-8x8-HV-5

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 620V-2.2ohms 2.7A

STU3N62K3
STMicroelectronics
1: S/8.43
2,988En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STU3N62K3

N.º de artículo de Mouser
511-STU3N62K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 620V-2.2ohms 2.7A

Obtenga más información

Hoja de datos

2,988En existencias

S/8.43

S/3.95

S/3.59

S/3.03

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 500V 13A

STW19NM50N
STMicroelectronics
1: S/30.79
428En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW19NM50N

N.º de artículo de Mouser
511-STW19NM50N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 500V 13A

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Hoja de datos

428En existencias

S/30.79

S/17.20

S/14.53

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

Módulos MOSFET ACEPACK 2 power module, 3-level topology, 1200 V, 13 mOhm typ. SiC Power MOSFET

A2U12M12W2-F2
STMicroelectronics
1: S/921.45
41En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
A2U12M12W2-F2

N.º de artículo de Mouser
511-A2U12M12W2-F2

NRND

STMicroelectronics

Módulos MOSFET ACEPACK 2 power module, 3-level topology, 1200 V, 13 mOhm typ. SiC Power MOSFET

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Hoja de datos

41En existencias

S/921.45

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFET Modules

SiC

Press Fit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.160 Ohm 19A HV Mdmesh II

STL26NM60N
STMicroelectronics
1: S/21.59
2,119En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL26NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STL26NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.160 Ohm 19A HV Mdmesh II

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Hoja de datos

2,119En existencias

Cinta cortada

S/21.59

S/17.29

S/12.51

S/12.38

S/11.09

Envase tipo carrete

S/11.01

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-8x8-HV-5

N-Channel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 180 W, 28 V, 1.3 to 1.6 GHz RF power LDMOS transistor

RF2L16180CB4
STMicroelectronics
1: S/741.66
20En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
RF2L16180CB4

N.º de artículo de Mouser
511-RF2L16180CB4

NRND

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 180 W, 28 V, 1.3 to 1.6 GHz RF power LDMOS transistor

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Hoja de datos

20En existencias

Cinta cortada

S/741.66

S/602.26

Envase tipo carrete

S/594.65

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 120

RF MOSFET Transistors

SMD/SMT

B4E-5

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 620V-1.1ohms 5.5A

STF6N62K3
STMicroelectronics
1: S/10.97
1,671En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF6N62K3

N.º de artículo de Mouser
511-STF6N62K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 620V-1.1ohms 5.5A

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Hoja de datos

1,671En existencias

S/10.97

S/4.20

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0.3 20 Ohm 10A MDmesh II

STL13NM60N
STMicroelectronics
1: S/14.62
2,200En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL13NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STL13NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0.3 20 Ohm 10A MDmesh II

Obtenga más información

Hoja de datos

2,200En existencias

Cinta cortada

S/14.62

S/9.55

S/7.31

S/6.11

S/5.29

Envase tipo carrete

S/5.29

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-8x8-5

N-Channel

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package

SCT040TO65G3
STMicroelectronics
1: S/41.11
37En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SCT040TO65G3

N.º de artículo de Mouser
511-SCT040TO65G3

Nuevo producto

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package

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Hoja de datos

37En existencias

Más información disponible

Cinta cortada

S/41.11

S/31.05

S/23.05

S/21.50

Envase tipo carrete

S/21.50

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,800

SiC MOSFETS

SiC

SMD/SMT

TOLL-8

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.0 Ohm typ., 5 A MDmesh K6 Power MOSFET

STF80N1K1K6
STMicroelectronics
1: S/10.36
1,003En existencias
1,000En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
STF80N1K1K6

N.º de artículo de Mouser
511-STF80N1K1K6

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.0 Ohm typ., 5 A MDmesh K6 Power MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

1,003En existencias

1,000En pedido

S/10.36

S/5.07

S/4.52

S/3.63

S/3.33

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

STMicroelectronics Transistores

Tipos de Transistores

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

56.7 mm x 48 mm
A2-3
ACEPACK
ACEPACK DMT-32
ACEPACK SMIT-9
ACEPACK-1
ACEPACK-1-35
ACEPACK-2-35
ACEPACK-5
ACEPACK-9
ACEPACK1
ACEPACK2
B2-3
B4E-5
D2PAK
D2PAK-3
D2PAK-3 (TO-263-3)
DPAK
DPAK-3
DPAK-3 (TO-252-3)