Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-channel 40 V, 0.0125 Ohm typ., 10 A STripFET F6 Power MOSFET in a SO-8 package
STS10P4LLF6
STMicroelectronics
1:
S/7.05
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511-STS10P4LLF6
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-channel 40 V, 0.0125 Ohm typ., 10 A STripFET F6 Power MOSFET in a SO-8 package
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1
S/7.05
10
S/4.47
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
SOIC-8
P-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-247 package
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STW28N65M2
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511-STW28N65M2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-247 package
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S/20.98
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 33 mOhm typ., 75 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea
STWA75N65DM6
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S/60.63
398 En existencias
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511-STWA75N65DM6
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 33 mOhm typ., 75 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea
398 En existencias
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S/60.63
10
S/48.72
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S/38.57
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S/37.58
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MOSFETs
Si
Through Hole
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 7 Amp Zener SuperMESH
STB9NK60ZT4
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511-STB9NK60Z
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 7 Amp Zener SuperMESH
695 En existencias
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S/13.59
10
S/8.94
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S/6.92
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S/6.92
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 V 0.308 Ohm 11A MDmesh M5
STD15N65M5
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511-STD15N65M5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 V 0.308 Ohm 11A MDmesh M5
989 En existencias
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S/12.77
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S/8.30
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S/4.73
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S/4.39
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package
STD6N60DM2
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511-STD6N60DM2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package
2,116 En existencias
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S/8.82
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S/5.59
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S/2.67
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 40 Amp
STE40NC60
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1:
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511-STE40NC60
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 40 Amp
146 En existencias
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
ISOTOP-4
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.400 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP packa
STF14N80K5
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S/16.38
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511-STF14N80K5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.400 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP packa
784 En existencias
1
S/16.38
10
S/10.66
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S/7.57
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S/6.19
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S/6.06
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 500V
STF19NM50N
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1:
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546 En existencias
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511-STF19NM50N
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 500V
546 En existencias
1
S/21.20
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S/10.92
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S/9.89
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 2.1 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package
STF4LN80K5
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1:
S/9.85
1,852 En existencias
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511-STF4LN80K5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 2.1 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package
1,852 En existencias
1
S/9.85
10
S/4.82
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S/4.34
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S/3.44
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
IGBTs N Ch 55V 6.5mohm 80A Pwr MOSFET
STGD8NC60KDT4
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S/7.70
2,384 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STGD8NC60KDT4
STMicroelectronics
IGBTs N Ch 55V 6.5mohm 80A Pwr MOSFET
2,384 En existencias
1
S/7.70
10
S/4.90
100
S/3.29
500
S/2.60
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S/2.37
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S/2.22
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IGBT Transistors
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
Módulos IGBT SLLIMM nano IPM, 3 A, 600 V, 3-phase inverter IGBT
STGIPNS3H60T-H
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1:
S/37.28
340 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STGIPNS3H60T-H
STMicroelectronics
Módulos IGBT SLLIMM nano IPM, 3 A, 600 V, 3-phase inverter IGBT
340 En existencias
1
S/37.28
10
S/28.34
100
S/21.03
400
S/16.13
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400
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IGBT Modules
Si
SMD/SMT
NSDIP-26
IGBTs Trench gate H series 600V 10A HiSpd
STGP10H60DF
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1:
S/9.37
1,861 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STGP10H60DF
STMicroelectronics
IGBTs Trench gate H series 600V 10A HiSpd
1,861 En existencias
1
S/9.37
10
S/4.15
100
S/3.44
500
S/2.92
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IGBT Transistors
Si
Through Hole
TO-220-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 0.0016 Ohm 180A STripFET DG VI
STH260N6F6-2
STMicroelectronics
1:
S/16.47
683 En existencias
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511-STH260N6F6-2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 0.0016 Ohm 180A STripFET DG VI
683 En existencias
1
S/16.47
10
S/13.16
100
S/10.15
500
S/8.99
1,000
S/7.96
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1,000
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
H2PAK-2
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
STP12N60M2
STMicroelectronics
1:
S/10.06
957 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STP12N60M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
957 En existencias
1
S/10.06
10
S/5.03
100
S/4.43
500
S/3.54
1,000
Ver
1,000
S/3.21
2,000
S/3.18
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V SuperMESH3 Zener-Protected 10A
STP13N95K3
STMicroelectronics
1:
S/34.14
374 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STP13N95K3
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V SuperMESH3 Zener-Protected 10A
374 En existencias
1
S/34.14
10
S/17.67
100
S/16.81
500
S/16.60
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.60 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
STP8N90K5
STMicroelectronics
1:
S/16.21
776 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STP8N90K5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.60 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
776 En existencias
1
S/16.21
10
S/8.43
100
S/7.61
500
S/6.24
1,000
S/6.02
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Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 V 0.95 Ohm 6 A Zener-protecte
STU7N80K5
STMicroelectronics
1:
S/11.31
1,841 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STU7N80K5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 V 0.95 Ohm 6 A Zener-protecte
1,841 En existencias
1
S/11.31
10
S/5.25
100
S/4.73
500
S/4.00
1,000
S/3.59
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Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-251-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 0.058 Ohm typ., 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
+1 imagen
STW58N65DM2AG
STMicroelectronics
1:
S/43.73
454 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STW58N65DM2AG
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 0.058 Ohm typ., 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
454 En existencias
1
S/43.73
10
S/38.92
100
S/35.30
600
S/29.37
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 90 mOhm typ., 28 A MDmesh DM6 Power MOSFET in
STWA30N65DM6AG
STMicroelectronics
1:
S/31.26
340 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STWA30N65DM6AG
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 90 mOhm typ., 28 A MDmesh DM6 Power MOSFET in
340 En existencias
1
S/31.26
10
S/18.75
100
S/14.84
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 46 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea
STWA65N60DM6
STMicroelectronics
1:
S/31.00
585 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STWA65N60DM6
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 46 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea
585 En existencias
1
S/31.00
10
S/22.92
100
S/18.53
600
S/16.13
1,200
S/16.08
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 36 mOhm typ., 68 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea
STWA70N65DM6
STMicroelectronics
1:
S/55.86
596 En existencias
599 En pedido
N.º de artículo de Mouser
511-STWA70N65DM6
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 36 mOhm typ., 68 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea
596 En existencias
599 En pedido
1
S/55.86
10
S/47.52
100
S/41.11
600
S/36.34
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
Módulos MOSFET Automotive-grade ACEPACK DMT-32 power module, sixpac topology, 1200 V, 47.5 mOhm typ. SiC Power MOSFET with NTC
M2P45M12W2-1LA
STMicroelectronics
1:
S/241.96
124 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
511-M2P45M12W2-1LA
Nuevo producto
STMicroelectronics
Módulos MOSFET Automotive-grade ACEPACK DMT-32 power module, sixpac topology, 1200 V, 47.5 mOhm typ. SiC Power MOSFET with NTC
124 En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFET Modules
Press Fit
Módulos MOSFET Automotive-grade ACEPACK DMT-32 power module, 3-phase four wire PFC topology, 1200 V, 84 mOhm typ. SiC Power MOSFET with rectifier diode and NTC
M2TP80M12W2-2LA
STMicroelectronics
1:
S/211.65
127 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
511-M2TP80M12W2-2LA
Nuevo producto
STMicroelectronics
Módulos MOSFET Automotive-grade ACEPACK DMT-32 power module, 3-phase four wire PFC topology, 1200 V, 84 mOhm typ. SiC Power MOSFET with rectifier diode and NTC
127 En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFET Modules
Press Fit
GaN FETs 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor
SGT070R70HTO
STMicroelectronics
1:
S/33.54
364 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
511-SGT070R70HTO
Nuevo producto
STMicroelectronics
GaN FETs 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor
364 En existencias
1
S/33.54
10
S/24.04
100
S/20.98
500
S/20.38
1,800
S/19.48
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1,800
Detalles
GaN FETs
GaN
SMD/SMT
TO-LL-11