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STMicroelectronics Transistores

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.55 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package

STF10LN80K5
STMicroelectronics
1: S/15.91
645En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF10LN80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STF10LN80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.55 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package

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645En existencias

S/15.91

S/8.13

S/7.35

S/6.32

S/5.46

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 950V 0.41Ohm typ. 12A MDmesh K5

STF15N95K5
STMicroelectronics
1: S/20.98
669En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF15N95K5

N.º de artículo de Mouser
511-STF15N95K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 950V 0.41Ohm typ. 12A MDmesh K5

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669En existencias

S/20.98

S/9.76

S/9.25

S/8.56

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in TO-220FP packa

STF35N60DM2
STMicroelectronics
1: S/23.74
538En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF35N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STF35N60DM2

STMicroelectronics

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538En existencias

S/23.74

S/13.12

S/12.00

S/10.75

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2

STF6N60M2
STMicroelectronics
1: S/8.00
1,724En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF6N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STF6N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2

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1,724En existencias

S/8.00

S/4.08

S/3.65

S/2.89

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Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 910 mOhms typ. 6 A MDmesh K5 Power

STF6N90K5
STMicroelectronics
1: S/12.04
983En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF6N90K5

N.º de artículo de Mouser
511-STF6N90K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 910 mOhms typ. 6 A MDmesh K5 Power

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983En existencias

S/12.04

S/5.98

S/4.69

S/4.12

S/4.09

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.470 Ohm typ., 9 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP ultra

STFU10N80K5
STMicroelectronics
1: S/16.21
976En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STFU10N80K5

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511-STFU10N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.470 Ohm typ., 9 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP ultra

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976En existencias

S/16.21

S/10.58

S/8.30

S/6.97

S/6.02

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss

STGP30M65DF2
STMicroelectronics
1: S/13.67
977En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGP30M65DF2

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511-STGP30M65DF2

STMicroelectronics

IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss

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977En existencias

S/13.67

S/5.72

S/5.38

S/4.90

Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors

Through Hole

IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speed

STGWA15H120DF2
STMicroelectronics
1: S/19.82
501En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGWA15H120DF2

N.º de artículo de Mouser
511-STGWA15H120DF2

STMicroelectronics

IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speed

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501En existencias

S/19.82

S/13.12

S/9.33

S/8.08

Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors

Through Hole

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-channel 30 V, 0.024 Ohm typ., 30 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET i

STL30P3LLH6
STMicroelectronics
1: S/6.28
3,349En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL30P3LLH6

N.º de artículo de Mouser
511-STL30P3LLH6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-channel 30 V, 0.024 Ohm typ., 30 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET i

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3,349En existencias

Cinta cortada

S/6.28

S/3.94

S/2.62

S/2.11

Envase tipo carrete

S/1.54

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

P-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 650V 0.09Ohm 22.5A Mdmesh M5

STL38N65M5
STMicroelectronics
1: S/27.31
2,750En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL38N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STL38N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 650V 0.09Ohm 22.5A Mdmesh M5

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2,750En existencias

Cinta cortada

S/27.31

S/19.39

S/14.28

S/14.23

S/13.33

Envase tipo carrete

S/13.33

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-8x8-HV-5

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.062 Ohm typ., 4 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 2x2

STL3N10F7
STMicroelectronics
1: S/3.70
7,437En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL3N10F7

N.º de artículo de Mouser
511-STL3N10F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.062 Ohm typ., 4 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 2x2

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Cinta cortada

S/3.70

S/2.28

S/1.53

S/1.17

Envase tipo carrete

S/0.783

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-2x2-6

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 25 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8

STL45N60DM6
STMicroelectronics
1: S/31.26
2,682En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL45N60DM6

N.º de artículo de Mouser
511-STL45N60DM6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 25 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8

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Cinta cortada

S/31.26

S/21.24

S/16.04

S/15.95

S/14.84

Envase tipo carrete

S/14.84

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-8x8-5

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 2.7mOhm 150A STripFET VI

STP105N3LL
STMicroelectronics
1: S/7.05
2,461En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP105N3LL

N.º de artículo de Mouser
511-STP105N3LL

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 2.7mOhm 150A STripFET VI

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2,461En existencias

S/7.05

S/3.35

S/2.99

S/2.36

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Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 6 Amp Zener SuperMESH

STP6NK60Z
STMicroelectronics
1: S/8.51
1,234En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP6NK60Z

N.º de artículo de Mouser
511-STP6NK60Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 6 Amp Zener SuperMESH

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Hoja de datos

1,234En existencias

S/8.51

S/4.64

S/4.52

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 4 Ohm 0.6A SuperMESH3 FET TO92

STQ2LN60K3-AP
STMicroelectronics
1: S/3.87
3,913En existencias
4,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
STQ2LN60K3-AP

N.º de artículo de Mouser
511-STQ2LN60K3AP

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 4 Ohm 0.6A SuperMESH3 FET TO92

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3,913En existencias

4,000En pedido

S/3.87

S/2.40

S/1.56

S/1.20

Envase tipo carrete

S/0.907

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

MOSFETs

Through Hole

TO-92-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 10.5 A Zener SuperMESH

STW12NK80Z
STMicroelectronics
1: S/22.15
368En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW12NK80Z

N.º de artículo de Mouser
511-STW12NK80Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 10.5 A Zener SuperMESH

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368En existencias

S/22.15

S/15.57

S/13.50

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.37 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-247 package

STW13N80K5
STMicroelectronics
1: S/21.29
503En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW13N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STW13N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.37 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-247 package

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503En existencias

S/21.29

S/11.27

S/9.46

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Medium Power +30VCEO +5VBEO

2SD882
STMicroelectronics
1: S/5.50
3,488En existencias

N.º de artículo del Fabricante
2SD882

N.º de artículo de Mouser
511-2SD882

STMicroelectronics

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Medium Power +30VCEO +5VBEO

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Hoja de datos

3,488En existencias

S/5.50

S/2.58

S/1.80

S/1.54

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

BJTs - Bipolar Transistors

Through Hole

SOT-32-3

NPN

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch, 12.5V 15W3 Transistor, LDMOST

PD55015TR-E
STMicroelectronics
1: S/93.53
576En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD55015TR-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD55015TR-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch, 12.5V 15W3 Transistor, LDMOST

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576En existencias

Cinta cortada

S/93.53

S/70.18

S/65.58

Envase tipo carrete

S/64.46

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 600

RF MOSFET Transistors

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MDmesh II N-Ch 500V 17A ID <0.19 RDS(on)

STB23NM50N
STMicroelectronics
1: S/20.77
476En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB23NM50N

N.º de artículo de Mouser
511-STB23NM50N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MDmesh II N-Ch 500V 17A ID <0.19 RDS(on)

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476En existencias

Cinta cortada

S/20.77

S/16.21

S/11.61

S/11.31

Envase tipo carrete

S/10.58

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 440 mOhm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package

STD10N60DM2
STMicroelectronics
1: S/8.43
2,122En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD10N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STD10N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 440 mOhm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package

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2,122En existencias

Cinta cortada

S/8.43

S/5.42

S/3.63

S/2.88

S/2.64

Envase tipo carrete

S/2.52

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 1.28 Ohm SuperMESH3 4.3A

STD5N62K3
STMicroelectronics
1: S/7.61
1,691En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD5N62K3

N.º de artículo de Mouser
511-STD5N62K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 1.28 Ohm SuperMESH3 4.3A

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Hoja de datos

1,691En existencias

Cinta cortada

S/7.61

S/4.86

S/3.25

S/2.57

S/2.35

Envase tipo carrete

S/2.15

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.150 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP pa

STF27N60M2-EP
STMicroelectronics
1: S/15.31
707En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF27N60M2-EP

N.º de artículo de Mouser
511-STF27N60M2-EP

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.150 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP pa

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Hoja de datos

707En existencias

S/15.31

S/7.74

S/7.01

S/5.72

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 1.1 Ohm 5.4A SuperMESH3

STF6N65K3
STMicroelectronics
1: S/4.86
795En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF6N65K3

N.º de artículo de Mouser
511-STF6N65K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 1.1 Ohm 5.4A SuperMESH3

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Hoja de datos

795En existencias

S/4.86

S/4.77

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2

STF7N60M2
STMicroelectronics
1: S/7.35
1,929En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF7N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STF7N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2

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Hoja de datos

1,929En existencias

S/7.35

S/3.51

S/3.13

S/2.47

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

STMicroelectronics Transistores

Tipos de Transistores

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

56.7 mm x 48 mm
A2-3
ACEPACK
ACEPACK DMT-32
ACEPACK SMIT-9
ACEPACK-1
ACEPACK-1-35
ACEPACK-2-35
ACEPACK-5
ACEPACK-9
ACEPACK1
ACEPACK2
B2-3
B4E-5
D2PAK
D2PAK-3
D2PAK-3 (TO-263-3)
DPAK
DPAK-3
DPAK-3 (TO-252-3)