.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

STMicroelectronics Transistores

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 90 mOhm typ., 28 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

STWA30N65DM6AG
STMicroelectronics
1: S/31.26
340En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STWA30N65DM6AG

N.º de artículo de Mouser
511-STWA30N65DM6AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 90 mOhm typ., 28 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

Hoja de datos

340En existencias

S/31.26

S/18.75

S/14.84

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 46 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea

STWA65N60DM6
STMicroelectronics
1: S/31.00
585En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STWA65N60DM6

N.º de artículo de Mouser
511-STWA65N60DM6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 46 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea

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Hoja de datos

585En existencias

S/31.00

S/22.92

S/18.53

S/16.13

S/16.08

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 36 mOhm typ., 68 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea

STWA70N65DM6
STMicroelectronics
1: S/55.86
596En existencias
599En pedido

N.º de artículo del Fabricante
STWA70N65DM6

N.º de artículo de Mouser
511-STWA70N65DM6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 36 mOhm typ., 68 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea

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596En existencias

599En pedido

S/55.86

S/47.52

S/41.11

S/36.34

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.246 ohm 12 A MDmesh II

STB14NM50N
STMicroelectronics
1: S/21.03
589En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB14NM50N

N.º de artículo de Mouser
511-STB14NM50N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.246 ohm 12 A MDmesh II

Hoja de datos

589En existencias

Cinta cortada

S/21.03

S/13.98

S/9.93

S/9.37

Envase tipo carrete

S/8.77

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 4 Amp Zener SuperMESH

STB4NK60ZT4
STMicroelectronics
1: S/11.22
1,535En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB4NK60ZT4

N.º de artículo de Mouser
511-STB4NK60Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 4 Amp Zener SuperMESH

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1,535En existencias

Cinta cortada

S/11.22

S/5.16

S/4.05

S/3.74

Envase tipo carrete

S/3.74

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 420 mOhm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP package

STF12N65M2
STMicroelectronics
1: S/10.06
1,048En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF12N65M2

N.º de artículo de Mouser
511-STF12N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 420 mOhm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP package

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1,048En existencias

S/10.06

S/5.29

S/4.39

S/3.65

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 0.68 Ohm 10A SuperMESH3

STF13N95K3
STMicroelectronics
1: S/31.26
966En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF13N95K3

N.º de artículo de Mouser
511-STF13N95K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 0.68 Ohm 10A SuperMESH3

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966En existencias

S/31.26

S/15.95

S/15.18

S/14.84

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP ultra

STFU18N65M2
STMicroelectronics
1: S/13.50
978En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STFU18N65M2

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511-STFU18N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP ultra

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978En existencias

S/13.50

S/6.75

S/6.11

S/4.95

S/4.82

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

IGBTs N-channel MOSFET

STGB10NC60KDT4
STMicroelectronics
1: S/8.56
2,372En existencias

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STGB10NC60KDT4

N.º de artículo de Mouser
511-STGB10NC60KDT4

STMicroelectronics

IGBTs N-channel MOSFET

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2,372En existencias

Más información disponible

Cinta cortada

S/8.56

S/5.46

S/3.69

S/2.93

Envase tipo carrete

S/2.61

S/2.57

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

IGBT Transistors

SMD/SMT

D2PAK-3

IGBTs PowerMESH" IGBT

STGP14NC60KD
STMicroelectronics
1: S/7.18
1,989En existencias
1,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
STGP14NC60KD

N.º de artículo de Mouser
511-STGP14NC60KD

STMicroelectronics

IGBTs PowerMESH&#34 IGBT

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1,989En existencias

1,000En pedido

S/7.18

S/3.62

S/2.90

S/2.62

Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors

Through Hole

TO-220-3

IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 40 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long

STGWA40H65DFB2
STMicroelectronics
1: S/16.73
550En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGWA40H65DFB2

N.º de artículo de Mouser
511-STGWA40H65DFB2

STMicroelectronics

IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 40 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long

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550En existencias

S/16.73

S/9.20

S/6.45

Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.325 Ohm typ., 7.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6

STL16N65M2
STMicroelectronics
1: S/13.03
1,440En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL16N65M2

N.º de artículo de Mouser
511-STL16N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.325 Ohm typ., 7.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6

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1,440En existencias

Cinta cortada

S/13.03

S/8.47

S/5.85

S/4.90

S/4.86

Envase tipo carrete

S/4.47

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-HV-8

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 72 mOhm typ., 45 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 H

STL52N60DM6
STMicroelectronics
1: S/30.53
1,501En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL52N60DM6

N.º de artículo de Mouser
511-STL52N60DM6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 72 mOhm typ., 45 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 H

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1,501En existencias

Cinta cortada

S/30.53

S/21.72

S/16.51

S/14.62

S/13.55

Envase tipo carrete

S/12.90

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-5

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh M2

STP10N60M2
STMicroelectronics
1: S/6.88
1,774En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP10N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STP10N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh M2

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Hoja de datos

1,774En existencias

S/6.88

S/3.98

S/3.75

S/2.65

S/2.57

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 162 mOhm typ., 17 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package

STP24N60M6
STMicroelectronics
1: S/12.00
792En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP24N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STP24N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 162 mOhm typ., 17 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package

Obtenga más información

Hoja de datos

792En existencias

S/12.00

S/6.88

S/6.24

S/5.03

S/4.95

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-channel 40 V, 0.0125 Ohm typ., 10 A STripFET F6 Power MOSFET in a SO-8 package

STS10P4LLF6
STMicroelectronics
1: S/7.05
2,650En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STS10P4LLF6

N.º de artículo de Mouser
511-STS10P4LLF6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-channel 40 V, 0.0125 Ohm typ., 10 A STripFET F6 Power MOSFET in a SO-8 package

Hoja de datos

2,650En existencias

Cinta cortada

S/7.05

S/4.47

S/2.99

S/2.35

S/2.15

Envase tipo carrete

S/1.97

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-247 package

STW28N65M2
STMicroelectronics
1: S/20.98
709En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW28N65M2

N.º de artículo de Mouser
511-STW28N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-247 package

Obtenga más información

Hoja de datos

709En existencias

S/20.98

S/11.74

S/8.56

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 33 mOhm typ., 75 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea

STWA75N65DM6
STMicroelectronics
1: S/60.63
398En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STWA75N65DM6

N.º de artículo de Mouser
511-STWA75N65DM6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 33 mOhm typ., 75 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea

Obtenga más información

Hoja de datos

398En existencias

S/60.63

S/48.72

S/38.57

S/37.58

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

N-Channel

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Gen Pur Switch

MJD3055T4
STMicroelectronics
1: S/6.92
2,236En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MJD3055T4

N.º de artículo de Mouser
511-MJD3055

STMicroelectronics

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Gen Pur Switch

Obtenga más información

Hoja de datos

2,236En existencias

Cinta cortada

S/6.92

S/4.39

S/2.93

S/2.30

Envase tipo carrete

S/1.88

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

BJTs - Bipolar Transistors

SMD/SMT

TO-252-3

NPN

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) LO VLT NPN PWR TRANS

MJD31CT4-A
STMicroelectronics
1: S/3.01
7,163En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MJD31CT4-A

N.º de artículo de Mouser
511-MJD31CT4-A

STMicroelectronics

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) LO VLT NPN PWR TRANS

Hoja de datos

7,163En existencias

Cinta cortada

S/3.01

S/1.87

S/1.21

S/0.929

Envase tipo carrete

S/0.714

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

BJTs - Bipolar Transistors

SMD/SMT

TO-252-3

NPN

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER transistor LDMOST family N-Chan

PD54003-E
STMicroelectronics
1: S/51.39
115En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD54003-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD54003-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER transistor LDMOST family N-Chan

Hoja de datos

115En existencias

S/51.39

S/29.03

Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.0068 Ohm typ. 80A STripFET

STB100N10F7
STMicroelectronics
1: S/13.12
1,146En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB100N10F7

N.º de artículo de Mouser
511-STB100N10F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.0068 Ohm typ. 80A STripFET

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Hoja de datos

1,146En existencias

Cinta cortada

S/13.12

S/8.51

S/5.89

S/4.95

Envase tipo carrete

S/4.64

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 230 mOhm typ., 13 A MDmesh M6 Power MOSFET in a D2PAK package

STB18N60M6
STMicroelectronics
1: S/13.12
883En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB18N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STB18N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 230 mOhm typ., 13 A MDmesh M6 Power MOSFET in a D2PAK package

Obtenga más información

Hoja de datos

883En existencias

Cinta cortada

S/13.12

S/8.08

S/6.06

S/5.12

Envase tipo carrete

S/4.73

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 800V-1.5ohms Zener SuperMESH 5.2A

STB7NK80Z-1
STMicroelectronics
1: S/18.28
600En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB7NK80Z-1

N.º de artículo de Mouser
511-STB7NK80Z-1

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 800V-1.5ohms Zener SuperMESH 5.2A

Hoja de datos

600En existencias

S/18.28

S/12.00

S/8.99

S/8.00

S/7.05

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-262-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 6.4Ohm 1.2A SuperMESH3 FET

STD1HN60K3
STMicroelectronics
1: S/9.07
1,444En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD1HN60K3

N.º de artículo de Mouser
511-STD1HN60K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 6.4Ohm 1.2A SuperMESH3 FET

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Hoja de datos

1,444En existencias

Cinta cortada

S/9.07

S/5.85

S/3.96

S/3.16

S/2.90

Envase tipo carrete

S/2.76

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

STMicroelectronics Transistores

Tipos de Transistores

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

56.7 mm x 48 mm
A2-3
ACEPACK
ACEPACK DMT-32
ACEPACK SMIT-9
ACEPACK-1
ACEPACK-1-35
ACEPACK-2-35
ACEPACK-5
ACEPACK-9
ACEPACK1
ACEPACK2
B2-3
B4E-5
D2PAK
D2PAK-3
D2PAK-3 (TO-263-3)
DPAK
DPAK-3
DPAK-3 (TO-252-3)