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STMicroelectronics Transistores

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh M2

STP10N60M2
STMicroelectronics
1: S/6.88
1,774En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP10N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STP10N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh M2

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1,774En existencias

S/6.88

S/3.98

S/3.75

S/2.65

S/2.57

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 162 mOhm typ., 17 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package

STP24N60M6
STMicroelectronics
1: S/12.00
792En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP24N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STP24N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 162 mOhm typ., 17 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package

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Hoja de datos

792En existencias

S/12.00

S/6.88

S/6.24

S/5.03

S/4.95

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-channel 40 V, 0.0125 Ohm typ., 10 A STripFET F6 Power MOSFET in a SO-8 package

STS10P4LLF6
STMicroelectronics
1: S/7.05
2,650En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STS10P4LLF6

N.º de artículo de Mouser
511-STS10P4LLF6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-channel 40 V, 0.0125 Ohm typ., 10 A STripFET F6 Power MOSFET in a SO-8 package

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2,650En existencias

Cinta cortada

S/7.05

S/4.47

S/2.99

S/2.35

S/2.15

Envase tipo carrete

S/1.97

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-247 package

STW28N65M2
STMicroelectronics
1: S/20.98
709En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW28N65M2

N.º de artículo de Mouser
511-STW28N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-247 package

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Hoja de datos

709En existencias

S/20.98

S/11.74

S/8.56

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 33 mOhm typ., 75 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea

STWA75N65DM6
STMicroelectronics
1: S/60.63
398En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STWA75N65DM6

N.º de artículo de Mouser
511-STWA75N65DM6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 33 mOhm typ., 75 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea

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Hoja de datos

398En existencias

S/60.63

S/48.72

S/38.57

S/37.58

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

N-Channel

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Gen Pur Switch

MJD3055T4
STMicroelectronics
1: S/6.92
2,236En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MJD3055T4

N.º de artículo de Mouser
511-MJD3055

STMicroelectronics

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Gen Pur Switch

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2,236En existencias

Cinta cortada

S/6.92

S/4.39

S/2.93

S/2.30

Envase tipo carrete

S/1.88

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

BJTs - Bipolar Transistors

SMD/SMT

TO-252-3

NPN

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) LO VLT NPN PWR TRANS

MJD31CT4-A
STMicroelectronics
1: S/3.01
7,163En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MJD31CT4-A

N.º de artículo de Mouser
511-MJD31CT4-A

STMicroelectronics

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) LO VLT NPN PWR TRANS

Hoja de datos

7,163En existencias

Cinta cortada

S/3.01

S/1.87

S/1.21

S/0.929

Envase tipo carrete

S/0.714

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

BJTs - Bipolar Transistors

SMD/SMT

TO-252-3

NPN

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER transistor LDMOST family N-Chan

PD54003-E
STMicroelectronics
1: S/51.39
115En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD54003-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD54003-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER transistor LDMOST family N-Chan

Hoja de datos

115En existencias

S/51.39

S/29.03

Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.0068 Ohm typ. 80A STripFET

STB100N10F7
STMicroelectronics
1: S/13.12
1,146En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB100N10F7

N.º de artículo de Mouser
511-STB100N10F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.0068 Ohm typ. 80A STripFET

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1,146En existencias

Cinta cortada

S/13.12

S/8.51

S/5.89

S/4.95

Envase tipo carrete

S/4.64

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 230 mOhm typ., 13 A MDmesh M6 Power MOSFET in a D2PAK package

STB18N60M6
STMicroelectronics
1: S/13.12
883En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB18N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STB18N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 230 mOhm typ., 13 A MDmesh M6 Power MOSFET in a D2PAK package

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883En existencias

Cinta cortada

S/13.12

S/8.08

S/6.06

S/5.12

Envase tipo carrete

S/4.73

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 800V-1.5ohms Zener SuperMESH 5.2A

STB7NK80Z-1
STMicroelectronics
1: S/18.28
600En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB7NK80Z-1

N.º de artículo de Mouser
511-STB7NK80Z-1

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 800V-1.5ohms Zener SuperMESH 5.2A

Hoja de datos

600En existencias

S/18.28

S/12.00

S/8.99

S/8.00

S/7.05

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-262-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 6.4Ohm 1.2A SuperMESH3 FET

STD1HN60K3
STMicroelectronics
1: S/9.07
1,444En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD1HN60K3

N.º de artículo de Mouser
511-STD1HN60K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 6.4Ohm 1.2A SuperMESH3 FET

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1,444En existencias

Cinta cortada

S/9.07

S/5.85

S/3.96

S/3.16

S/2.90

Envase tipo carrete

S/2.76

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.55 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package

STF10LN80K5
STMicroelectronics
1: S/15.91
645En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF10LN80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STF10LN80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.55 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package

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Hoja de datos

645En existencias

S/15.91

S/8.13

S/7.35

S/6.32

S/5.46

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 950V 0.41Ohm typ. 12A MDmesh K5

STF15N95K5
STMicroelectronics
1: S/20.98
669En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF15N95K5

N.º de artículo de Mouser
511-STF15N95K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 950V 0.41Ohm typ. 12A MDmesh K5

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Hoja de datos

669En existencias

S/20.98

S/9.76

S/9.25

S/8.56

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in TO-220FP packa

STF35N60DM2
STMicroelectronics
1: S/23.74
538En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF35N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STF35N60DM2

STMicroelectronics

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Hoja de datos

538En existencias

S/23.74

S/13.12

S/12.00

S/10.75

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2

STF6N60M2
STMicroelectronics
1: S/8.00
1,724En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF6N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STF6N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2

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Hoja de datos

1,724En existencias

S/8.00

S/4.08

S/3.65

S/2.89

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 910 mOhms typ. 6 A MDmesh K5 Power

STF6N90K5
STMicroelectronics
1: S/12.04
983En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF6N90K5

N.º de artículo de Mouser
511-STF6N90K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 910 mOhms typ. 6 A MDmesh K5 Power

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Hoja de datos

983En existencias

S/12.04

S/5.98

S/4.69

S/4.12

S/4.09

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.470 Ohm typ., 9 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP ultra

STFU10N80K5
STMicroelectronics
1: S/16.21
976En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STFU10N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STFU10N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.470 Ohm typ., 9 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP ultra

Hoja de datos

976En existencias

S/16.21

S/10.58

S/8.30

S/6.97

S/6.02

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss

STGP30M65DF2
STMicroelectronics
1: S/13.67
977En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGP30M65DF2

N.º de artículo de Mouser
511-STGP30M65DF2

STMicroelectronics

IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss

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Hoja de datos

977En existencias

S/13.67

S/5.72

S/5.38

S/4.90

Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors

Through Hole

IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speed

STGWA15H120DF2
STMicroelectronics
1: S/19.82
501En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGWA15H120DF2

N.º de artículo de Mouser
511-STGWA15H120DF2

STMicroelectronics

IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speed

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Hoja de datos

501En existencias

S/19.82

S/13.12

S/9.33

S/8.08

Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors

Through Hole

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-channel 30 V, 0.024 Ohm typ., 30 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET i

STL30P3LLH6
STMicroelectronics
1: S/6.28
3,349En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL30P3LLH6

N.º de artículo de Mouser
511-STL30P3LLH6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-channel 30 V, 0.024 Ohm typ., 30 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET i

Hoja de datos

3,349En existencias

Cinta cortada

S/6.28

S/3.94

S/2.62

S/2.11

Envase tipo carrete

S/1.54

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

P-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 650V 0.09Ohm 22.5A Mdmesh M5

STL38N65M5
STMicroelectronics
1: S/27.31
2,750En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL38N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STL38N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 650V 0.09Ohm 22.5A Mdmesh M5

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Hoja de datos

2,750En existencias

Cinta cortada

S/27.31

S/19.39

S/14.28

S/14.23

S/13.33

Envase tipo carrete

S/13.33

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-8x8-HV-5

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.062 Ohm typ., 4 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 2x2

STL3N10F7
STMicroelectronics
1: S/3.70
7,437En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL3N10F7

N.º de artículo de Mouser
511-STL3N10F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.062 Ohm typ., 4 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 2x2

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Hoja de datos

7,437En existencias

Cinta cortada

S/3.70

S/2.28

S/1.54

S/1.18

Envase tipo carrete

S/0.834

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-2x2-6

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 25 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8

STL45N60DM6
STMicroelectronics
1: S/31.26
2,682En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL45N60DM6

N.º de artículo de Mouser
511-STL45N60DM6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 25 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8

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Hoja de datos

2,682En existencias

Cinta cortada

S/31.26

S/21.24

S/16.04

S/15.95

S/14.84

Envase tipo carrete

S/14.84

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-8x8-5

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 2.7mOhm 150A STripFET VI

STP105N3LL
STMicroelectronics
1: S/7.05
2,461En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP105N3LL

N.º de artículo de Mouser
511-STP105N3LL

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 2.7mOhm 150A STripFET VI

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2,461En existencias

S/7.05

S/3.35

S/2.99

S/2.36

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Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

STMicroelectronics Transistores

Tipos de Transistores

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

56.7 mm x 48 mm
A2-3
ACEPACK
ACEPACK DMT-32
ACEPACK SMIT-9
ACEPACK-1
ACEPACK-1-35
ACEPACK-2-35
ACEPACK-5
ACEPACK-9
ACEPACK1
ACEPACK2
B2-3
B4E-5
D2PAK
D2PAK-3
D2PAK-3 (TO-263-3)
DPAK
DPAK-3
DPAK-3 (TO-252-3)