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STMicroelectronics Transistores

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N.° de pieza

IGBTs Trench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBT

STGWT30H60DFB
STMicroelectronics
1: S/12.43
712En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGWT30H60DFB

N.º de artículo de Mouser
511-STGWT30H60DFB

STMicroelectronics

IGBTs Trench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBT

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Hoja de datos

712En existencias

S/12.43

S/6.84

S/6.19

Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors

Through Hole

TO-3P

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 950 V, 1 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a H2PAK-2 package

STH6N95K5-2
STMicroelectronics
1: S/14.71
889En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STH6N95K5-2

N.º de artículo de Mouser
511-STH6N95K5-2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 950 V, 1 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a H2PAK-2 package

Hoja de datos

889En existencias

Cinta cortada

S/14.71

S/9.63

S/6.71

S/5.81

Envase tipo carrete

S/5.42

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

MOSFETs

SMD/SMT

H2PAK-2

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.027 Ohm typ., 7 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3

STL7N10F7
STMicroelectronics
1: S/6.54
3,133En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL7N10F7

N.º de artículo de Mouser
511-STL7N10F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.027 Ohm typ., 7 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3

Obtenga más información

Hoja de datos

3,133En existencias

Cinta cortada

S/6.54

S/3.92

S/2.75

S/2.15

S/1.97

Envase tipo carrete

S/1.76

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-3.3x3.3-8

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 1.00 Ohm typ., 5.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a SOT223-2 packa

STN6N60M2
STMicroelectronics
1: S/4.30
3,421En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STN6N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STN6N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 1.00 Ohm typ., 5.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a SOT223-2 packa

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Hoja de datos

3,421En existencias

Cinta cortada

S/4.30

S/2.58

S/1.75

S/1.35

Ver

Envase tipo carrete

S/0.985

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

MOSFETs

SMD/SMT

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 400 Volt 9 Amp Zener SuperMESH

STP11NK40Z
STMicroelectronics
1: S/10.92
1,313En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP11NK40Z

N.º de artículo de Mouser
511-STP11NK40Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 400 Volt 9 Amp Zener SuperMESH

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Hoja de datos

1,313En existencias

S/10.92

S/3.99

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 400V-0.49ohms Zener SuperMESH 9A

STP11NK40ZFP
STMicroelectronics
1: S/13.55
1,232En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP11NK40ZFP

N.º de artículo de Mouser
511-STP11NK40ZFP

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 400V-0.49ohms Zener SuperMESH 9A

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Hoja de datos

1,232En existencias

S/13.55

S/6.79

S/6.11

S/4.99

S/4.82

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0.190ohm 16A Mdmesh

STP22NM60N
STMicroelectronics
1: S/20.77
609En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP22NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STP22NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0.190ohm 16A Mdmesh

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Hoja de datos

609En existencias

S/20.77

S/9.59

S/9.07

S/8.47

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A Mdmesh II

STP24NM60N
STMicroelectronics
1: S/18.40
631En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP24NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STP24NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A Mdmesh II

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Hoja de datos

631En existencias

S/18.40

S/8.08

S/7.61

S/6.92

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package

STP33N60M6
STMicroelectronics
1: S/21.63
670En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP33N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STP33N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package

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Hoja de datos

670En existencias

S/21.63

S/14.36

S/10.23

S/9.07

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 4.3 A Zener SuperMESH

STP5NK80ZFP
STMicroelectronics
1: S/14.32
989En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP5NK80ZFP

N.º de artículo de Mouser
511-STP5NK80ZFP

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 4.3 A Zener SuperMESH

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Hoja de datos

989En existencias

Más información disponible

S/14.32

S/5.81

S/5.46

S/5.20

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 1.4 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in a TO-220 package

STP7N105K5
STMicroelectronics
1: S/15.70
897En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP7N105K5

N.º de artículo de Mouser
511-STP7N105K5

STMicroelectronics

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Hoja de datos

897En existencias

S/15.70

S/7.96

S/7.18

S/6.84

S/5.89

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 3.5 Ohm typ., 500 mA SuperMESH Power MOSFET in a TO-92 package

STQ2HNK60ZR-AP
STMicroelectronics
1: S/5.07
3,357En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STQ2HNK60ZR-AP

N.º de artículo de Mouser
511-STQ2HNK60ZR-AP

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 3.5 Ohm typ., 500 mA SuperMESH Power MOSFET in a TO-92 package

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Hoja de datos

3,357En existencias

S/5.07

S/3.59

S/2.41

S/1.90

S/1.71

Envase tipo carrete

S/1.49

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

MOSFETs

Through Hole

TO-92-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.024 Ohm typ., 84 A MDmesh M5 Power MOSFET in a TO247-4 packag

STW88N65M5-4
STMicroelectronics
1: S/66.22
166En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW88N65M5-4

N.º de artículo de Mouser
511-STW88N65M5-4

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.024 Ohm typ., 84 A MDmesh M5 Power MOSFET in a TO247-4 packag

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Hoja de datos

166En existencias

S/66.22

S/45.62

S/45.49

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 950 V, 1.15 Ohm typ 7 A SuperMESH Power MOSFET

STW9NK95Z
STMicroelectronics
1: S/17.20
777En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW9NK95Z

N.º de artículo de Mouser
511-STW9NK95Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 950 V, 1.15 Ohm typ 7 A SuperMESH Power MOSFET

Hoja de datos

777En existencias

S/17.20

S/9.46

S/6.67

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

Transistores Darlington PWR BIP/S.SIGNAL

2ST501T
STMicroelectronics
1: S/9.33
1,936En existencias

N.º de artículo del Fabricante
2ST501T

N.º de artículo de Mouser
511-2ST501T

STMicroelectronics

Transistores Darlington PWR BIP/S.SIGNAL

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Hoja de datos

1,936En existencias

S/9.33

S/3.90

S/3.56

S/3.01

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Darlington Transistors

Through Hole

TO-220-3

NPN

Transistores Darlington PWR BIP/S.SIGNAL

2STP535FP
STMicroelectronics
1: S/10.71
959En existencias

N.º de artículo del Fabricante
2STP535FP

N.º de artículo de Mouser
511-2STP535FP

STMicroelectronics

Transistores Darlington PWR BIP/S.SIGNAL

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Hoja de datos

959En existencias

S/10.71

S/5.29

S/4.73

S/3.81

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Darlington Transistors

Through Hole

TO-220FP-3

NPN

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) High voltage fast-switching NPN power transistor

BUL1102E
STMicroelectronics
1: S/6.97
1,523En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BUL1102E

N.º de artículo de Mouser
511-BUL1102E

STMicroelectronics

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) High voltage fast-switching NPN power transistor

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Hoja de datos

1,523En existencias

S/6.97

S/5.33

S/3.78

S/3.10

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

BJTs - Bipolar Transistors

Through Hole

TO-220-3

NPN

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) High voltage fast-switching NPN power transistor

ST13007D
STMicroelectronics
1: S/9.12
1,315En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ST13007D

N.º de artículo de Mouser
511-ST13007D

STMicroelectronics

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) High voltage fast-switching NPN power transistor

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Hoja de datos

1,315En existencias

S/9.12

S/4.43

S/3.36

S/3.03

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

BJTs - Bipolar Transistors

Through Hole

TO-220-3

NPN

Transistores Darlington NPN Power Darlington

ST901T
STMicroelectronics
1: S/5.98
3,279En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ST901T

N.º de artículo de Mouser
511-ST901T

STMicroelectronics

Transistores Darlington NPN Power Darlington

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Hoja de datos

3,279En existencias

S/5.98

S/2.81

S/2.28

S/1.76

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Darlington Transistors

Through Hole

TO-220-3

NPN

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.55 Ohm typ. 7.5A

STB10N60M2
STMicroelectronics
1: S/10.45
1,075En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB10N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STB10N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.55 Ohm typ. 7.5A

Hoja de datos

1,075En existencias

Cinta cortada

S/10.45

S/6.75

S/4.60

S/3.73

Envase tipo carrete

S/3.38

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 V 1.6 Ohm 3.3 A MDmesh II

STD3NM60N
STMicroelectronics
1: S/7.48
2,222En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD3NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STD3NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 V 1.6 Ohm 3.3 A MDmesh II

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Hoja de datos

2,222En existencias

Cinta cortada

S/7.48

S/4.07

S/2.99

S/2.54

S/2.31

Envase tipo carrete

S/2.12

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2

STD6N60M2
STMicroelectronics
1: S/8.56
2,265En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD6N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STD6N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2

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Hoja de datos

2,265En existencias

Cinta cortada

S/8.56

S/5.46

S/3.71

S/3.14

S/2.73

Envase tipo carrete

S/2.50

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade P-channel -30 V, 5 mOhm typ., -80 A, STripFET H6 Power MOSFET i

STD95P3LLH6AG
STMicroelectronics
1: S/10.45
1,097En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD95P3LLH6AG

N.º de artículo de Mouser
511-STD95P3LLH6AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade P-channel -30 V, 5 mOhm typ., -80 A, STripFET H6 Power MOSFET i

Hoja de datos

1,097En existencias

Cinta cortada

S/10.45

S/6.75

S/4.60

S/3.68

S/3.52

Envase tipo carrete

S/3.38

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 140 mOhm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packag

STF26N60M2
STMicroelectronics
1: S/14.66
981En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF26N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STF26N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 140 mOhm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packag

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Hoja de datos

981En existencias

S/14.66

S/7.40

S/6.67

S/5.42

S/5.38

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.168 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP wide cr

STFH24N60M2
STMicroelectronics
1: S/9.37
918En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STFH24N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STFH24N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.168 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP wide cr

Obtenga más información

Hoja de datos

918En existencias

S/9.37

S/6.02

S/5.46

S/4.99

S/4.56

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

STMicroelectronics Transistores

Tipos de Transistores

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

56.7 mm x 48 mm
A2-3
ACEPACK
ACEPACK DMT-32
ACEPACK SMIT-9
ACEPACK-1
ACEPACK-1-35
ACEPACK-2-35
ACEPACK-5
ACEPACK-9
ACEPACK1
ACEPACK2
B2-3
B4E-5
D2PAK
D2PAK-3
D2PAK-3 (TO-263-3)
DPAK
DPAK-3
DPAK-3 (TO-252-3)