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STMicroelectronics Transistores

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.055 Ohm 39A Mdmesh II

STW48NM60N
STMicroelectronics
1: S/39.78
1,032En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW48NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STW48NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.055 Ohm 39A Mdmesh II

Hoja de datos

1,032En existencias

S/39.78

S/23.35

S/20.21

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5

STW57N65M5
STMicroelectronics
1: S/45.58
496En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW57N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STW57N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5

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Hoja de datos

496En existencias

S/45.58

S/28.85

S/23.35

S/23.31

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 7.2 Amp

STW7N95K3
STMicroelectronics
1: S/29.80
574En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW7N95K3

N.º de artículo de Mouser
511-STW7N95K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 7.2 Amp

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Hoja de datos

574En existencias

S/29.80

S/16.68

S/13.93

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V .275Ohm 17.5A Zener-protect

STWA20N95K5
STMicroelectronics
1: S/32.21
623En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STWA20N95K5

N.º de artículo de Mouser
511-STWA20N95K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V .275Ohm 17.5A Zener-protect

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Hoja de datos

623En existencias

S/32.21

S/19.69

S/15.78

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 long lead

STWA75N60M6
STMicroelectronics
1: S/44.68
492En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STWA75N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STWA75N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 long lead

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Hoja de datos

492En existencias

S/44.68

S/26.92

S/24.25

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.018 Ohm 110A Mdmesh II FET

STY105NM50N
STMicroelectronics
1: S/107.93
186En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STY105NM50N

N.º de artículo de Mouser
511-STY105NM50N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.018 Ohm 110A Mdmesh II FET

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Hoja de datos

186En existencias

S/107.93

S/74.18

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

Max247-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 3.9 mOhm 180A STripFET

STH180N10F3-2
STMicroelectronics
1: S/22.88
1,060En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STH180N10F3-2

N.º de artículo de Mouser
511-STH180N10F3-2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 3.9 mOhm 180A STripFET

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Hoja de datos

1,060En existencias

Cinta cortada

S/22.88

S/14.53

S/10.92

S/10.49

Envase tipo carrete

S/9.80

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

MOSFETs

SMD/SMT

H2PAK-2

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 0.032Ohm 30A N-Channel

STB36NF06LT4
STMicroelectronics
1: S/9.12
1,248En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB36NF06LT4

N.º de artículo de Mouser
511-STB36NF06LT4

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 0.032Ohm 30A N-Channel

Hoja de datos

1,248En existencias

Cinta cortada

S/9.12

S/5.85

S/3.94

S/3.14

Envase tipo carrete

S/2.80

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55 Volt 80 Amp

STP80NF55-06
STMicroelectronics
1: S/11.95
1,473En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP80NF55-06

N.º de artículo de Mouser
511-STP80NF55-06

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55 Volt 80 Amp

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Hoja de datos

1,473En existencias

S/11.95

S/5.93

S/5.42

S/4.52

S/4.05

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 11 Amp

STP11NM60FDFP
STMicroelectronics
1: S/17.07
537En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
STP11NM60FDFP

N.º de artículo de Mouser
511-STP11NM60FDFP

NRND

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 11 Amp

Hoja de datos

537En existencias

S/17.07

S/12.51

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

IGBTs Trench gate field-stop, 1200 V, 8 A low loss M series IGBT in a TO-220 package

STGP8M120DF3
STMicroelectronics
1: S/22.75
178En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGP8M120DF3

N.º de artículo de Mouser
511-STGP8M120DF3

STMicroelectronics

IGBTs Trench gate field-stop, 1200 V, 8 A low loss M series IGBT in a TO-220 package

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178En existencias

Más información disponible

S/22.75

S/15.14

S/12.26

S/10.88

S/9.63

Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package

STP16N65M2
STMicroelectronics
1: S/12.21
251En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP16N65M2

N.º de artículo de Mouser
511-STP16N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package

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Hoja de datos

251En existencias

Más información disponible

S/12.21

S/7.87

S/5.63

S/4.64

S/4.08

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.062 Ohm typ., 4.5 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3

STL4N10F7
STMicroelectronics
1: S/4.21
823En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL4N10F7

N.º de artículo de Mouser
511-STL4N10F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.062 Ohm typ., 4.5 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3

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Hoja de datos

823En existencias

Cinta cortada

S/4.21

S/2.63

S/1.71

S/1.32

S/1.17

Envase tipo carrete

S/1.00

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-3.3x3.3-8

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 380 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in

STB12N60DM2AG
STMicroelectronics
1: S/14.53
204En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB12N60DM2AG

N.º de artículo de Mouser
511-STB12N60DM2AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 380 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in

Hoja de datos

204En existencias

Cinta cortada

S/14.53

S/9.46

S/7.27

S/6.06

Envase tipo carrete

S/5.25

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

IGBTs Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed

STGB40V60F
STMicroelectronics
1: S/15.95
74En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGB40V60F

N.º de artículo de Mouser
511-STGB40V60F

STMicroelectronics

IGBTs Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed

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74En existencias

Más información disponible

Cinta cortada

S/15.95

S/10.41

S/7.14

S/6.28

Envase tipo carrete

S/5.85

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

IGBT Transistors

SMD/SMT

D2PAK

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package

STU6N65M2
STMicroelectronics
1: S/6.92
45En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STU6N65M2

N.º de artículo de Mouser
511-STU6N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package

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Comentarios de Producto

45En existencias

Más información disponible

S/6.92

S/3.59

S/2.67

S/2.23

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Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.59 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 VH

STL10LN80K5
STMicroelectronics
1: S/17.24
923En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL10LN80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STL10LN80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.59 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 VH

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923En existencias

Más información disponible

Cinta cortada

S/17.24

S/11.31

S/8.34

S/7.40

S/6.54

Envase tipo carrete

S/6.54

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-VHV-8

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade dual N-channel, 40 V, 7.0 mOhm typ., 40 A, STripFET F7 Power M

STL64DN4F7AG
STMicroelectronics
1: S/9.29
579En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL64DN4F7AG

N.º de artículo de Mouser
511-STL64DN4F7AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade dual N-channel, 40 V, 7.0 mOhm typ., 40 A, STripFET F7 Power M

Hoja de datos

579En existencias

Cinta cortada

S/9.29

S/5.98

S/4.12

S/3.49

S/2.92

Envase tipo carrete

S/2.77

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

MOSFETs

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A

SCT019HU120G3AG
STMicroelectronics
1: S/86.34
9En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SCT019HU120G3AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT019HU120G3AG

Nuevo producto

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A

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9En existencias

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Cinta cortada

S/86.34

S/71.04

S/61.45

Envase tipo carrete

S/54.31

Min.: 1
Mult.: 1

: 600

SiC MOSFETS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade dual N-channel 40 V, 9 mOhm typ., 18 A STripFET F7 Power MOSFET

STL52DN4LF7AG
STMicroelectronics
1: S/8.60
2,805En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL52DN4LF7AG

N.º de artículo de Mouser
511-STL52DN4LF7AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade dual N-channel 40 V, 9 mOhm typ., 18 A STripFET F7 Power MOSFET

Hoja de datos

2,805En existencias

Cinta cortada

S/8.60

S/4.82

S/3.93

S/3.65

S/3.32

Envase tipo carrete

S/2.06

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-4

N-Channel

Transistores Darlington PWR BIP/S.SIGNAL

2ST501T
STMicroelectronics
1: S/9.33
1,936En existencias

N.º de artículo del Fabricante
2ST501T

N.º de artículo de Mouser
511-2ST501T

STMicroelectronics

Transistores Darlington PWR BIP/S.SIGNAL

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1,936En existencias

S/9.33

S/3.90

S/3.56

S/3.01

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Mult.: 1

Darlington Transistors

Through Hole

TO-220-3

NPN

Transistores Darlington PWR BIP/S.SIGNAL

2STP535FP
STMicroelectronics
1: S/10.71
959En existencias

N.º de artículo del Fabricante
2STP535FP

N.º de artículo de Mouser
511-2STP535FP

STMicroelectronics

Transistores Darlington PWR BIP/S.SIGNAL

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959En existencias

S/10.71

S/5.29

S/4.73

S/3.81

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Darlington Transistors

Through Hole

TO-220FP-3

NPN

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) High voltage fast-switching NPN power transistor

BUL1102E
STMicroelectronics
1: S/6.97
1,523En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BUL1102E

N.º de artículo de Mouser
511-BUL1102E

STMicroelectronics

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) High voltage fast-switching NPN power transistor

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Hoja de datos

1,523En existencias

S/6.97

S/5.33

S/3.78

S/3.10

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BJTs - Bipolar Transistors

Through Hole

TO-220-3

NPN

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) High voltage fast-switching NPN power transistor

ST13007D
STMicroelectronics
1: S/9.12
1,315En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ST13007D

N.º de artículo de Mouser
511-ST13007D

STMicroelectronics

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) High voltage fast-switching NPN power transistor

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1,315En existencias

S/9.12

S/4.43

S/3.36

S/3.03

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Mult.: 1

BJTs - Bipolar Transistors

Through Hole

TO-220-3

NPN

Transistores Darlington NPN Power Darlington

ST901T
STMicroelectronics
1: S/5.98
3,279En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ST901T

N.º de artículo de Mouser
511-ST901T

STMicroelectronics

Transistores Darlington NPN Power Darlington

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3,279En existencias

S/5.98

S/2.81

S/2.28

S/1.76

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Mult.: 1

Darlington Transistors

Through Hole

TO-220-3

NPN

STMicroelectronics Transistores

Tipos de Transistores

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

56.7 mm x 48 mm
A2-3
ACEPACK
ACEPACK DMT-32
ACEPACK SMIT-9
ACEPACK-1
ACEPACK-1-35
ACEPACK-2-35
ACEPACK-5
ACEPACK-9
ACEPACK1
ACEPACK2
B2-3
B4E-5
D2PAK
D2PAK-3
D2PAK-3 (TO-263-3)
DPAK
DPAK-3
DPAK-3 (TO-252-3)