.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

STMicroelectronics Transistores

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

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N.° de pieza

IGBTs N Ch 600V 19A

STGB19NC60HDT4
STMicroelectronics
1: S/15.39
2,916En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGB19NC60HDT4

N.º de artículo de Mouser
511-STGB19NC60HDT4

STMicroelectronics

IGBTs N Ch 600V 19A

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2,916En existencias

Cinta cortada

S/15.39

S/10.11

S/7.05

S/6.19

Envase tipo carrete

S/5.76

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

IGBT Transistors

SMD/SMT

D2PAK-3

IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 6 A low loss

STGD6M65DF2
STMicroelectronics
1: S/6.97
3,670En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGD6M65DF2

N.º de artículo de Mouser
511-STGD6M65DF2

STMicroelectronics

IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 6 A low loss

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Hoja de datos

3,670En existencias

Cinta cortada

S/6.97

S/4.43

S/2.95

S/2.32

S/2.12

Envase tipo carrete

S/1.92

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

IGBT Transistors

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed

STGWA40H120F2
STMicroelectronics
1: S/31.91
580En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGWA40H120F2

N.º de artículo de Mouser
511-STGWA40H120F2

STMicroelectronics

IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed

Hoja de datos

580En existencias

S/31.91

S/18.40

S/15.27

Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors

Through Hole

IGBTs 600V 65A N-Channel

STGY50NC60WD
STMicroelectronics
1: S/70.65
979En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGY50NC60WD

N.º de artículo de Mouser
511-STGY50NC60WD

STMicroelectronics

IGBTs 600V 65A N-Channel

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Hoja de datos

979En existencias

S/70.65

S/43.26

Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors

Through Hole

Max247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 V 2.1 mOhm 180 A STripFET

STH310N10F7-6
STMicroelectronics
1: S/27.99
1,254En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STH310N10F7-6

N.º de artículo de Mouser
511-STH310N10F7-6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 V 2.1 mOhm 180 A STripFET

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Hoja de datos

1,254En existencias

Cinta cortada

S/27.99

S/18.83

S/13.76

S/13.72

Envase tipo carrete

S/12.86

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

MOSFETs

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel 80 V, 5.6 mOhm typ., 95 A, STripFET F7 Power MOSFET in a Po

STL105N8F7AG
STMicroelectronics
1: S/11.09
1,873En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL105N8F7AG

N.º de artículo de Mouser
511-STL105N8F7AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel 80 V, 5.6 mOhm typ., 95 A, STripFET F7 Power MOSFET in a Po

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1,873En existencias

Cinta cortada

S/11.09

S/6.97

S/4.90

S/3.94

S/3.83

Envase tipo carrete

S/3.67

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-8

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.350 Ohm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6

STL13N60DM2
STMicroelectronics
1: S/11.95
3,195En existencias
3,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
STL13N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STL13N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.350 Ohm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6

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3,195En existencias

3,000En pedido

Cinta cortada

S/11.95

S/7.74

S/5.33

S/4.39

S/4.30

Envase tipo carrete

S/4.01

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 1.68 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET

STL190N4F7AG
STMicroelectronics
1: S/11.70
2,190En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL190N4F7AG

N.º de artículo de Mouser
511-STL190N4F7AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 1.68 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET

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Cinta cortada

S/11.70

S/7.48

S/5.12

S/4.24

S/3.62

Envase tipo carrete

S/3.56

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 3.7Ohm typ 2A Zener-protected

STL2N80K5
STMicroelectronics
1: S/5.33
5,413En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL2N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STL2N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 3.7Ohm typ 2A Zener-protected

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5,413En existencias

Cinta cortada

S/5.33

S/3.75

S/2.87

S/2.37

S/2.16

Envase tipo carrete

S/1.98

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 31 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV

STL47N60M6
STMicroelectronics
1: S/27.13
1,923En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL47N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STL47N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 31 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV

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Cinta cortada

S/27.13

S/18.23

S/13.20

S/13.16

S/12.69

Envase tipo carrete

S/12.30

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-8x8-5

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30 V 0.021 Ohm 6 A STripFET VI DG

STL6N3LLH6
STMicroelectronics
1: S/3.96
9,677En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL6N3LLH6

N.º de artículo de Mouser
511-STL6N3LLH6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30 V 0.021 Ohm 6 A STripFET VI DG

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9,677En existencias

Cinta cortada

S/3.96

S/2.46

S/1.60

S/1.23

Envase tipo carrete

S/0.985

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-2x2-6

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 18A Mosfet PowerFLAT STripFET V

STL70N4LLF5
STMicroelectronics
1: S/8.34
4,451En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL70N4LLF5

N.º de artículo de Mouser
511-STL70N4LLF5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 18A Mosfet PowerFLAT STripFET V

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4,451En existencias

Cinta cortada

S/8.34

S/5.33

S/3.59

S/2.85

S/2.61

Envase tipo carrete

S/2.49

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.027 Ohm typ., 7 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3

STL7N10F7
STMicroelectronics
1: S/6.54
3,133En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL7N10F7

N.º de artículo de Mouser
511-STL7N10F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.027 Ohm typ., 7 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3

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Hoja de datos

3,133En existencias

Cinta cortada

S/6.54

S/3.92

S/2.75

S/2.15

S/1.97

Envase tipo carrete

S/1.76

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-3.3x3.3-8

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 1.00 Ohm typ., 5.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a SOT223-2 packa

STN6N60M2
STMicroelectronics
1: S/4.30
7,421En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STN6N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STN6N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 1.00 Ohm typ., 5.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a SOT223-2 packa

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Hoja de datos

7,421En existencias

Cinta cortada

S/4.30

S/2.58

S/1.75

S/1.35

Ver

Envase tipo carrete

S/0.985

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

MOSFETs

SMD/SMT

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 10.5A Zener SuperMESH

STP12NK80Z
STMicroelectronics
1: S/19.74
1,259En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP12NK80Z

N.º de artículo de Mouser
511-STP12NK80Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 10.5A Zener SuperMESH

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Hoja de datos

1,259En existencias

S/19.74

S/10.49

S/9.16

S/8.30

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 0.0031 Ohm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in TO-220 package

STP140N6F7
STMicroelectronics
1: S/11.40
6,632En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP140N6F7

N.º de artículo de Mouser
511-STP140N6F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 0.0031 Ohm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in TO-220 package

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Hoja de datos

6,632En existencias

S/11.40

S/5.55

S/4.99

S/4.16

S/3.91

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel 100 V, 4.2 mOhm typ., 110 A, STripFET F7 Power MOSFET in a

STP150N10F7AG
STMicroelectronics
1: S/20.21
1,177En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP150N10F7AG

N.º de artículo de Mouser
511-STP150N10F7AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel 100 V, 4.2 mOhm typ., 110 A, STripFET F7 Power MOSFET in a

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Hoja de datos

1,177En existencias

S/20.21

S/11.05

S/10.28

S/8.51

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.19 Ohm 19.5 A MDmesh K5

STP25N80K5
STMicroelectronics
1: S/21.89
718En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP25N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STP25N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.19 Ohm 19.5 A MDmesh K5

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Hoja de datos

718En existencias

S/21.89

S/12.34

S/11.27

S/10.19

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0 120 Ohm typ 24 A

STP28NM60ND
STMicroelectronics
1: S/25.67
990En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP28NM60ND

N.º de artículo de Mouser
511-STP28NM60ND

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0 120 Ohm typ 24 A

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Hoja de datos

990En existencias

S/25.67

S/13.16

S/12.43

S/11.44

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 85 mOhm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package

STP36N60M6
STMicroelectronics
1: S/25.50
976En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP36N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STP36N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 85 mOhm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package

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Hoja de datos

976En existencias

S/25.50

S/14.66

S/13.63

S/12.60

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900 Volt 8.0 A Zener SuperMESH

STP9NK90Z
STMicroelectronics
1: S/21.54
1,855En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP9NK90Z

N.º de artículo de Mouser
511-STP9NK90Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900 Volt 8.0 A Zener SuperMESH

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Hoja de datos

1,855En existencias

S/21.54

S/9.29

S/9.03

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 6 Ohm typ., 1.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in an IPAK package

STU2N105K5
STMicroelectronics
1: S/9.16
5,723En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STU2N105K5

N.º de artículo de Mouser
511-STU2N105K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 6 Ohm typ., 1.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in an IPAK package

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Hoja de datos

5,723En existencias

S/9.16

S/4.21

S/3.80

S/3.45

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2

STU7N60M2
STMicroelectronics
1: S/8.26
2,974En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STU7N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STU7N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2

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Hoja de datos

2,974En existencias

S/8.26

S/3.10

S/2.79

S/2.45

S/2.25

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 1000 Volt 13A Zener SuperMESH

STW13NK100Z
STMicroelectronics
1: S/52.42
675En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW13NK100Z

N.º de artículo de Mouser
511-STW13NK100Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 1000 Volt 13A Zener SuperMESH

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Hoja de datos

675En existencias

S/52.42

S/31.61

S/29.46

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 950 V, 0.120 Ohm typ., 38 A MDmesh DK5 Power MOSFET in a TO-247 packag

STW40N95DK5
STMicroelectronics
1: S/65.70
692En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW40N95DK5

N.º de artículo de Mouser
511-STW40N95DK5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 950 V, 0.120 Ohm typ., 38 A MDmesh DK5 Power MOSFET in a TO-247 packag

Obtenga más información

Hoja de datos

692En existencias

S/65.70

S/40.25

S/39.30

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

STMicroelectronics Transistores

Tipos de Transistores

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

56.7 mm x 48 mm
A2-3
ACEPACK
ACEPACK DMT-32
ACEPACK SMIT-9
ACEPACK-1
ACEPACK-1-35
ACEPACK-2-35
ACEPACK-5
ACEPACK-9
ACEPACK1
ACEPACK2
B2-3
B4E-5
D2PAK
D2PAK-3
D2PAK-3 (TO-263-3)
DPAK
DPAK-3
DPAK-3 (TO-252-3)