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STMicroelectronics Transistores

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 74 mOhm typ., 33 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 package

STP50N65DM6
STMicroelectronics
1: S/33.76
763En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP50N65DM6

N.º de artículo de Mouser
511-STP50N65DM6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 74 mOhm typ., 33 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 package

Hoja de datos

763En existencias

S/33.76

S/23.82

S/19.87

S/17.72

S/16.51

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900 Volt 11 Amp Zener SuperMESH

STW12NK90Z
STMicroelectronics
1: S/29.63
955En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW12NK90Z

N.º de artículo de Mouser
511-STW12NK90Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900 Volt 11 Amp Zener SuperMESH

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Hoja de datos

955En existencias

S/29.63

S/17.03

S/13.85

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 950V 0.41Ohm typ. 12A MDmesh K5

STW15N95K5
STMicroelectronics
1: S/20.94
1,434En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW15N95K5

N.º de artículo de Mouser
511-STW15N95K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 950V 0.41Ohm typ. 12A MDmesh K5

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Hoja de datos

1,434En existencias

S/20.94

S/11.09

S/8.73

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 20 Amp

STW20NM50FD
STMicroelectronics
1: S/25.50
489En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW20NM50FD

N.º de artículo de Mouser
511-STW20NM50FD

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 20 Amp

Hoja de datos

489En existencias

S/25.50

S/19.22

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp

STW20NM60
STMicroelectronics
1: S/29.54
870En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW20NM60

N.º de artículo de Mouser
511-STW20NM60

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp

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Hoja de datos

870En existencias

S/29.54

S/15.09

S/13.80

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 85 mOhm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package

STW36N60M6
STMicroelectronics
1: S/30.10
2,969En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW36N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STW36N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 85 mOhm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package

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Hoja de datos

2,969En existencias

S/30.10

S/17.29

S/14.15

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 42 mOhm typ., 60 A MDmesh DM2 Power MOSFET in

STW65N65DM2AG
STMicroelectronics
1: S/44.89
498En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW65N65DM2AG

N.º de artículo de Mouser
511-STW65N65DM2AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 42 mOhm typ., 60 A MDmesh DM2 Power MOSFET in

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Hoja de datos

498En existencias

S/44.89

S/26.96

S/24.34

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900 Volt 6 Amp Zener SuperMESH

STW7NK90Z
STMicroelectronics
1: S/15.74
943En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW7NK90Z

N.º de artículo de Mouser
511-STW7NK90Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900 Volt 6 Amp Zener SuperMESH

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Hoja de datos

943En existencias

S/15.74

S/10.71

S/8.90

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1200 V, 1.65 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package

STW8N120K5
STMicroelectronics
1: S/34.57
794En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW8N120K5

N.º de artículo de Mouser
511-STW8N120K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1200 V, 1.65 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package

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Hoja de datos

794En existencias

S/34.57

S/18.88

S/17.07

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.065 Ohm typ., 40 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 long l

STWA48N60DM2
STMicroelectronics
1: S/41.54
385En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STWA48N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STWA48N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.065 Ohm typ., 40 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 long l

Hoja de datos

385En existencias

S/41.54

S/29.50

S/23.05

S/21.33

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Hi-Volt Fast Sw

MJD47T4
STMicroelectronics
1: S/6.28
11,413En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MJD47T4

N.º de artículo de Mouser
511-MJD47

STMicroelectronics

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Hi-Volt Fast Sw

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Hoja de datos

11,413En existencias

Cinta cortada

S/6.28

S/3.96

S/2.64

S/2.06

Envase tipo carrete

S/1.67

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

BJTs - Bipolar Transistors

SMD/SMT

TO-252-3

NPN

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor

PD55015-E
STMicroelectronics
1: S/98.00
167En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD55015-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD55015-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor

Hoja de datos

167En existencias

S/98.00

S/70.78

S/66.91

Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

N-Channel

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A

SCT040H65G3AG
STMicroelectronics
1: S/48.68
966En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT040H65G3AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT040H65G3AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A

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Hoja de datos

966En existencias

Cinta cortada

S/48.68

S/33.02

S/28.47

S/28.42

Envase tipo carrete

S/26.62

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SiC MOSFETS

SiC

SMD/SMT

N-Channel

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H

SCTW40N120G2VAG
STMicroelectronics
1: S/73.96
549En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCTW40N120G2VAG

N.º de artículo de Mouser
511-SCTW40N120G2VAG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H

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Hoja de datos

549En existencias

S/73.96

S/45.88

S/45.80

Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS

SiC

Through Hole

HiP-247-3

N-Channel

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 21 mOhm typ., 91 A in an HiP247 package

SCTW70N120G2V
STMicroelectronics
1: S/139.97
714En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCTW70N120G2V

N.º de artículo de Mouser
511-SCTW70N120G2V

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 21 mOhm typ., 91 A in an HiP247 package

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Hoja de datos

714En existencias

S/139.97

S/102.86

Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS

SiC

Through Hole

HiP-247-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in D2PAK package

STB28N60M2
STMicroelectronics
1: S/11.27
1,882En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB28N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STB28N60M2

STMicroelectronics

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Hoja de datos

1,882En existencias

Cinta cortada

S/11.27

S/7.27

S/4.99

S/4.00

Envase tipo carrete

S/3.74

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 102 mOhm typ., 28 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

STB30N65DM6AG
STMicroelectronics
1: S/29.63
816En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB30N65DM6AG

N.º de artículo de Mouser
511-STB30N65DM6AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 102 mOhm typ., 28 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

Obtenga más información

Hoja de datos

816En existencias

Cinta cortada

S/29.63

S/20.77

S/15.52

Envase tipo carrete

S/13.80

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 300 V, 37 mOhm typ., 53 A MDmesh M5 Power MOSFET in a

STB46N30M5
STMicroelectronics
1: S/40.51
937En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB46N30M5

N.º de artículo de Mouser
511-STB46N30M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 300 V, 37 mOhm typ., 53 A MDmesh M5 Power MOSFET in a

Hoja de datos

937En existencias

Cinta cortada

S/40.51

S/27.78

S/22.40

S/22.36

Envase tipo carrete

S/20.90

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

STB47N60DM6AG
STMicroelectronics
1: S/32.16
998En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB47N60DM6AG

N.º de artículo de Mouser
511-STB47N60DM6AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

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Hoja de datos

998En existencias

Cinta cortada

S/32.16

S/21.84

S/16.60

S/16.51

Envase tipo carrete

S/15.27

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch 60V 0.15Ohm 10A STripFET VI DeepGat

STD10P6F6
STMicroelectronics
1: S/5.93
11,863En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD10P6F6

N.º de artículo de Mouser
511-STD10P6F6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch 60V 0.15Ohm 10A STripFET VI DeepGat

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Hoja de datos

11,863En existencias

Cinta cortada

S/5.93

S/3.71

S/2.46

S/1.94

Envase tipo carrete

S/1.57

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh M5

STD18N65M5
STMicroelectronics
1: S/15.01
1,315En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD18N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STD18N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh M5

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Hoja de datos

1,315En existencias

Cinta cortada

S/15.01

S/9.80

S/6.84

S/5.93

Envase tipo carrete

S/5.55

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 800V-3.8ohms Zener SuperMESH 2.5A

STD3NK80Z-1
STMicroelectronics
1: S/11.44
3,422En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD3NK80Z-1

N.º de artículo de Mouser
511-STD3NK80Z-1

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 800V-3.8ohms Zener SuperMESH 2.5A

Hoja de datos

3,422En existencias

S/11.44

S/4.64

S/4.34

S/4.02

S/3.83

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 950V 2Ohm typ 3.5A Zener-protected

STD5N95K5
STMicroelectronics
1: S/10.36
4,380En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD5N95K5

N.º de artículo de Mouser
511-STD5N95K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 950V 2Ohm typ 3.5A Zener-protected

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Hoja de datos

4,380En existencias

Cinta cortada

S/10.36

S/6.67

S/4.56

S/3.62

S/3.51

Envase tipo carrete

S/3.31

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.162 Ohm 17A MDmesh II PWR

STF23NM50N
STMicroelectronics
1: S/21.54
878En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF23NM50N

N.º de artículo de Mouser
511-STF23NM50N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.162 Ohm 17A MDmesh II PWR

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Hoja de datos

878En existencias

S/21.54

S/11.31

S/10.97

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed

STGWA40H120F2
STMicroelectronics
1: S/31.91
580En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGWA40H120F2

N.º de artículo de Mouser
511-STGWA40H120F2

STMicroelectronics

IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed

Hoja de datos

580En existencias

S/31.91

S/18.40

S/15.27

Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors

Through Hole

STMicroelectronics Transistores

Tipos de Transistores

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

56.7 mm x 48 mm
A2-3
ACEPACK
ACEPACK DMT-32
ACEPACK SMIT-9
ACEPACK-1
ACEPACK-1-35
ACEPACK-2-35
ACEPACK-5
ACEPACK-9
ACEPACK1
ACEPACK2
B2-3
B4E-5
D2PAK
D2PAK-3
D2PAK-3 (TO-263-3)
DPAK
DPAK-3
DPAK-3 (TO-252-3)