HyperFET Módulos MOSFET

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Serie
Empaquetado
IXYS Módulos MOSFET 600V 36A
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
Mult.: 10

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 600 V 36 A 180 mOhms - 20 V, + 20 V - 55 C + 150 C 520 W HiPerFET Tube
IXYS Módulos MOSFET 500V 44A
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 30
Mult.: 10

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 500 V 44 A 120 mOhms - 20 V, + 20 V - 55 C + 150 C 520 W HiPerFET Tube
IXYS Módulos MOSFET 44 Amps 500V 0.12 Rds
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 10
Mult.: 10

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 500 V 44 A 120 mOhms - 20 V, + 20 V - 55 C + 150 C 500 W HiPerFET Tube
IXYS Módulos MOSFET 44 Amps 800V 0.145 Rds
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
Mult.: 300

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 800 V 44 A 165 mOhms - 20 V, + 20 V - 55 C + 150 C 700 W HiPerFET Tube
IXYS Módulos MOSFET 72 Amps 550 V 0.07 Rds
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 10
Mult.: 10

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 550 V 72 A 72 mOhms - 30 V, + 30 V - 55 C + 150 C 890 W IXFN72N55 Tube
IXYS Módulos MOSFET 90 Amps 300V 0.033 Rds
Hoja de datos
N/A
Min.: 1
Mult.: 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 300 V 90 A 33 mOhms - 20 V, + 20 V 4 V - 55 C + 150 C 560 W IXFN90N30 Tube