POWER MOS 8, ISOTOP Módulos IGBT

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Producto
Configuración
Máx. voltaje VCEO colector-emisor
Voltaje de saturación colector-emisor
Colector de Corriente Continua a 25 C
Corriente de fuga puerta-emisor
Dp - Disipación de potencia
Paquete / Cubierta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Empaquetado
Microchip Technology Módulos IGBT IGBT PT MOS 8 Combi 600 V 60 A SOT-227
Hoja de datos
60En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Modules Single 600 V 2 V 112 A 100 nA 356 W SOT-227-4 - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology Módulos IGBT IGBT PT MOS 8 Combi 900 V 46 A SOT-227
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Modules 900 V 2.5 V 87 A 100 nA 284 W SOT-227-4 - 55 C + 150 C Tube