Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -52.0 Amps -100V 0.050 Rds
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IXTH52P10P
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IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -52.0 Amps -100V 0.050 Rds
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TO-247-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -52.0 Amps -100V 0.050 Rds
IXTP52P10P
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -52.0 Amps -100V 0.050 Rds
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 500V 10A P-CH POLAR
IXTA10P50P-TRL
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 500V 10A P-CH POLAR
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IXTA26P20P TRL
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -36.0 Amps -150V 0.110 Rds
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -36.0 Amps -150V 0.110 Rds
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -36.0 Amps -150V 0.110 Rds
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -16.0 Amps -600V 0.720 Rds
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IXTH16P60P
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -16.0 Amps -600V 0.720 Rds
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -32 Amps -600V 0.350 Rds
IXTK32P60P
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -32 Amps -600V 0.350 Rds
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -16.0 Amps -600V 0.720 Rds
IXTT16P60P
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -16.0 Amps -600V 0.720 Rds
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -32 Amps -600V 0.350 Rds
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IXTX32P60P
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -32 Amps -600V 0.350 Rds
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40.0 Amps -500V 0.230 Rds
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40.0 Amps -500V 0.230 Rds
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Si
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TO-247-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -90.0 Amps -200V 0.044 Rds
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -90.0 Amps -200V 0.044 Rds
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Si
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IXTA52P10P TRL
IXTA52P10P-TRL
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747-IXTA52P10P-TRL
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IXTA52P10P TRL
247 En existencias
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S/33.28
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S/23.48
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S/18.15
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S/16.94
800
S/16.94
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -48.0 Amps -200V 0.085 Rds
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IXTH48P20P
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747-IXTH48P20P
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -48.0 Amps -200V 0.085 Rds
8 En existencias
300 En pedido
1
S/56.72
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S/38.57
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S/33.28
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S/32.51
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -36.0 Amps -150V 0.110 Rds
IXTP36P15P
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747-IXTP36P15P
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -36.0 Amps -150V 0.110 Rds
178 En existencias
1
S/33.71
10
S/18.36
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S/16.81
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S/14.41
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -52.0 Amps -100V 0.050 Rds
IXTQ52P10P
IXYS
1:
S/37.02
278 En existencias
N.º de artículo de Mouser
747-IXTQ52P10P
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -52.0 Amps -100V 0.050 Rds
278 En existencias
1
S/37.02
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S/21.63
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S/18.58
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Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-3P-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20.0 Amps -500V 0.450 Rds
IXTT20P50P
IXYS
1:
S/69.40
15 En existencias
750 En pedido
N.º de artículo de Mouser
747-IXTT20P50P
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20.0 Amps -500V 0.450 Rds
15 En existencias
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660 Se espera el 6/07/2026
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S/69.40
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S/46.18
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S/42.05
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Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
D3PAK-3 (TO-268-3)
Módulos MOSFET -170.0 Amps -100V 0.012 Rds
IXTN170P10P
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S/156.82
300 En pedido
N.º de artículo de Mouser
747-IXTN170P10P
IXYS
Módulos MOSFET -170.0 Amps -100V 0.012 Rds
300 En pedido
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Detalles
MOSFET Modules
Si
Screw Mount
SOT-227-4
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -10.0 Amps -500V 1.000 Rds
IXTP10P50P
IXYS
1:
S/33.67
N.º de artículo de Mouser
747-IXTP10P50P
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -10.0 Amps -500V 1.000 Rds
1
S/33.67
10
S/23.78
100
S/19.78
500
S/17.63
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Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -108.0 Amps -100V 0.013 Rds
+1 imagen
IXTR170P10P
IXYS
1:
S/110.38
N.º de artículo de Mouser
747-IXTR170P10P
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -108.0 Amps -100V 0.013 Rds
1
S/110.38
10
S/80.45
120
S/70.74
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -10.0 Amps -600V 0.790 Rds
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IXTR16P60P
IXYS
300:
S/46.05
Plazo de entrega no en existencias 37 Semanas
N.º de artículo de Mouser
747-IXTR16P60P
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -10.0 Amps -600V 0.790 Rds
Plazo de entrega no en existencias 37 Semanas
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Min.: 300
Mult.: 30
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -18 Amps -600V 0.385 Rds
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IXTR32P60P
IXYS
300:
S/86.22
Plazo de entrega no en existencias 46 Semanas
N.º de artículo de Mouser
747-IXTR32P60P
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -18 Amps -600V 0.385 Rds
Plazo de entrega no en existencias 46 Semanas
Comprar
Min.: 300
Mult.: 30
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -90.0 Amps -200V 0.048 Rds
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IXTR90P20P
IXYS
300:
S/70.69
Plazo de entrega no en existencias 37 Semanas
N.º de artículo de Mouser
747-IXTR90P20P
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -90.0 Amps -200V 0.048 Rds
Plazo de entrega no en existencias 37 Semanas
Comprar
Min.: 300
Mult.: 30
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3