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XPE Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 19

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Empaquetado

Restablecer todos

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En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 P-CH 20V 2.4A

PMV100XPEAR
Nexperia
1: S/2.11
69En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PMV100XPEAR

N.º de artículo de Mouser
771-PMV100XPEAR

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 P-CH 20V 2.4A

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Hoja de datos

69En existencias

Más información disponible

Cinta cortada

S/2.11

S/1.14

S/0.77

S/0.602

S/0.495

Envase tipo carrete

S/0.383

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

20 V

2.4 A

128 mOhms

- 12 V, 12 V

1.25 V

6 nC

- 55 C

+ 150 C

1.06 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT457 P-CH 20V 5.7A

PMN42XPEAX
Nexperia
1: S/3.57
488En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PMN42XPEAX

N.º de artículo de Mouser
771-PMN42XPEAX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT457 P-CH 20V 5.7A

Obtenga más información

Hoja de datos

488En existencias

Más información disponible

Cinta cortada

S/3.57

S/2.32

S/1.48

S/1.03

S/0.856

Envase tipo carrete

S/0.649

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

1 Channel

20 V

5.7 A

46 mOhms

- 12 V, 12 V

1.25 V

17.3 nC

- 55 C

+ 150 C

1.31 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT457 P-CH 20V 5.4A

PMN30XPEAX
Nexperia
1: S/4.43
701En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PMN30XPEAX

N.º de artículo de Mouser
771-PMN30XPEAX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT457 P-CH 20V 5.4A

Obtenga más información

Hoja de datos

701En existencias

Más información disponible

Cinta cortada

S/4.43

S/3.06

S/2.22

S/2.03

S/1.05

Envase tipo carrete

S/0.606

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TSOP6-6

P-Channel

1 Channel

20 V

5.4 A

38 mOhms

- 12 V, 12 V

1.3 V

16 nC

- 55 C

+ 175 C

660 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT457 P-CH 20V 5.3A

PMN30XPEX
Nexperia
1: S/2.71
307En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PMN30XPEX

N.º de artículo de Mouser
771-PMN30XPEX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT457 P-CH 20V 5.3A

Hoja de datos

307En existencias

Más información disponible

Cinta cortada

S/2.71

S/1.64

S/1.07

S/0.92

S/0.804

Envase tipo carrete

S/0.572

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

1 Channel

20 V

7 A

34 mOhms

- 12 V, 12 V

750 mV

11 nC

- 55 C

+ 150 C

1.4 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMPB20XPE/SOT1220/SOT1220

PMPB20XPE,115
Nexperia
1: S/3.14
132En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PMPB20XPE,115

N.º de artículo de Mouser
771-PMPB20XPE115

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMPB20XPE/SOT1220/SOT1220

Hoja de datos

132En existencias

Más información disponible

Cinta cortada

S/3.14

S/1.94

S/1.25

S/0.968

S/0.856

Envase tipo carrete

S/0.731

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

DFN-2020MD-6

P-Channel

1 Channel

20 V

10.3 A

19 mOhms

- 12 V, 12 V

680 mV

45 nC

- 55 C

+ 150 C

12.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 P-CH 20V 4.5A

PMV30XPEAR
Nexperia
1: S/2.80

N.º de artículo del Fabricante
PMV30XPEAR

N.º de artículo de Mouser
771-PMV30XPEAR

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 P-CH 20V 4.5A

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Hoja de datos

Más información disponible

Cinta cortada

S/2.80

S/1.84

S/1.48

S/1.14

S/0.847

Envase tipo carrete

S/0.563

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

20 V

5.3 A

34 mOhms

- 8 V, 8 V

750 mV

11 nC

- 55 C

+ 150 C

980 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT457 P-CH 20V 4.7A

PMN40XPEAX
Nexperia
1: S/3.78
11En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PMN40XPEAX

N.º de artículo de Mouser
771-PMN40XPEAX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT457 P-CH 20V 4.7A

Obtenga más información

Hoja de datos

11En existencias

Más información disponible

Cinta cortada

S/3.78

S/2.67

S/1.71

S/1.06

S/0.783

Envase tipo carrete

S/0.529

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TSOP6-6

P-Channel

1 Channel

12 V

4.7 A

50 mOhms

- 12 V, 12 V

1.3 V

16 nC

- 55 C

+ 175 C

660 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 P-CH 20V 2.8A

PMV65XPEAR
Nexperia
1: S/3.23

N.º de artículo del Fabricante
PMV65XPEAR

N.º de artículo de Mouser
771-PMV65XPEAR

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 P-CH 20V 2.8A

Obtenga más información

Hoja de datos

Más información disponible

Cinta cortada

S/3.23

S/1.90

S/1.26

S/0.976

S/0.791

Envase tipo carrete

S/0.533

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

20 V

3.3 A

67 mOhms

- 12 V, 12 V

750 mV

9 nC

- 55 C

+ 150 C

890 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMDPB70XPE/SOT1118/HUSON6

PMDPB70XPE,115
Nexperia
1: S/2.84

N.º de artículo del Fabricante
PMDPB70XPE,115

N.º de artículo de Mouser
771-PMDPB70XPE115

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMDPB70XPE/SOT1118/HUSON6

Hoja de datos

Más información disponible

Cinta cortada

S/2.84

S/2.02

S/1.33

S/0.985

S/0.843

Envase tipo carrete

S/0.628

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

DFN-2020-6

P-Channel

2 Channel

20 V

4.2 A

66 mOhms

- 12 V, 12 V

1 V

7.5 nC

- 55 C

+ 150 C

8.33 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 P-CH 20V 5A

PMV28XPEAR
Nexperia
1: S/3.48

N.º de artículo del Fabricante
PMV28XPEAR

N.º de artículo de Mouser
771-PMV28XPEAR

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 P-CH 20V 5A

Obtenga más información

Hoja de datos

Más información disponible

Cinta cortada

S/3.48

S/2.31

S/1.58

S/0.976

S/0.722

Envase tipo carrete

S/0.495

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

20 V

5 A

38 mOhms

- 12 V, 12 V

1.3 V

16 nC

- 55 C

+ 175 C

610 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 P-CH 20V 7.2A

PMPB20XPEAX
Nexperia
1: S/3.53

N.º de artículo del Fabricante
PMPB20XPEAX

N.º de artículo de Mouser
771-PMPB20XPEAX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 P-CH 20V 7.2A

Obtenga más información

Hoja de datos

Más información disponible

Cinta cortada

S/3.53

S/2.35

S/1.64

S/1.32

S/1.16

Envase tipo carrete

S/0.753

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

DFN-2020MD-6

P-Channel

1 Channel

20 V

10.3 A

23.5 mOhms

- 12 V, 12 V

1 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

12.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 P-CH 20V 3.2A

PMPB100XPEAX
Nexperia
1: S/2.62

N.º de artículo del Fabricante
PMPB100XPEAX

N.º de artículo de Mouser
771-PMPB100XPEAX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 P-CH 20V 3.2A

Obtenga más información

Hoja de datos

Más información disponible

Cinta cortada

S/2.62

S/1.44

S/1.04

S/0.744

S/0.649

Envase tipo carrete

S/0.383

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

DFN-2020MD-6

P-Channel

1 Channel

20 V

3.2 A

122 mOhms

- 8 V, 8 V

1.25 V

5 nC

- 55 C

+ 175 C

1.95 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 P-CH 20V 5A

PMPB43XPEAX
Nexperia
3,000: S/0.688

N.º de artículo del Fabricante
PMPB43XPEAX

N.º de artículo de Mouser
771-PMPB43XPEAX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 P-CH 20V 5A

Obtenga más información

Hoja de datos

Más información disponible

Envase tipo carrete

S/0.688

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

DFN-2020MD-6

P-Channel

1 Channel

20 V

5 A

48 mOhms

- 12 V, 12 V

1 V

23.4 nC

- 55 C

+ 150 C

12.5 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 P-CH 20V 5A

PMPB29XPEAX
Nexperia
1: S/3.40

N.º de artículo del Fabricante
PMPB29XPEAX

N.º de artículo de Mouser
771-PMPB29XPEAX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 P-CH 20V 5A

Obtenga más información

Hoja de datos

Más información disponible

Cinta cortada

S/3.40

S/2.30

S/1.60

S/1.29

S/1.12

Envase tipo carrete

S/0.722

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

DFN-2020MD-6

P-Channel

1 Channel

20 V

5 A

32.5 mOhms

- 12 V, 12 V

1 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

12.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 P-CH 20V 2.8A

PMV65XPER
Nexperia
1: S/2.24

N.º de artículo del Fabricante
PMV65XPER

N.º de artículo de Mouser
771-PMV65XPER

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 P-CH 20V 2.8A

Obtenga más información

Hoja de datos

Más información disponible

Cinta cortada

S/2.24

S/1.35

S/0.942

S/0.606

S/0.529

Envase tipo carrete

S/0.327

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

20 V

3.3 A

67 mOhms

- 12 V, 12 V

1.25 V

9 nC

- 55 C

+ 150 C

890 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT457 P-CH 20V 5.7A

PMN42XPEAH
Nexperia
1: S/2.84

N.º de artículo del Fabricante
PMN42XPEAH

N.º de artículo de Mouser
771-PMN42XPEAH

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT457 P-CH 20V 5.7A

Obtenga más información

Hoja de datos

Más información disponible

Cinta cortada

S/2.84

S/1.75

S/1.12

S/0.933

S/0.804

Envase tipo carrete

S/0.649

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

1 Channel

20 V

5.7 A

46 mOhms

- 12 V, 12 V

1.25 V

17.3 nC

- 55 C

+ 150 C

1.31 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 P-CH 20V 8.5A

PMPB30XPEX
Nexperia
3,000: S/0.52
Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PMPB30XPEX

N.º de artículo de Mouser
771-PMPB30XPEX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 P-CH 20V 8.5A

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas

Envase tipo carrete

S/0.52

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

DFN2020MD-6

P-Channel

1 Channel

20 V

8.5 A

29 mOhms

8 V

1.25 V

12.5 nC

- 55 C

+ 175 C

15 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 P-CH 20V 7.2A

PMPB20XPEZ
Nexperia
1: S/3.35
Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PMPB20XPEZ

N.º de artículo de Mouser
771-PMPB20XPEZ

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 P-CH 20V 7.2A

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas

Cinta cortada

S/3.35

S/2.18

S/1.38

S/1.02

S/0.894

Envase tipo carrete

S/0.731

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

DFN-2020MD-6

P-Channel

1 Channel

20 V

10.3 A

23.5 mOhms

- 12 V, 12 V

900 mV

30 nC

- 55 C

+ 150 C

1.7 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT457 P-CH 20V 4.7A

PMN40XPEAAX
Nexperia
1: S/3.78
Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PMN40XPEAAX

N.º de artículo de Mouser
771-PMN40XPEAAX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT457 P-CH 20V 4.7A

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas

Cinta cortada

S/3.78

S/2.61

S/1.66

S/1.02

S/0.757

Envase tipo carrete

S/0.507

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Reel, Cut Tape, MouseReel

XPE Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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