.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

HyperFET Semiconductores discretos

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Tipos de Semiconductores discretos

Lista Imágenes

Resultados: 150

Filtros aplicados:

Nombre comercial = HyperFET

Tipo de producto

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Descargar tabla (.CSV)

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 48 Amps 500V 0.1 Rds

IXFG55N50
IXYS
25: S/87.59
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFG55N50

N.º de artículo de Mouser
747-IXFG55N50

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 48 Amps 500V 0.1 Rds

Hoja de datos

No en existencias

S/87.59

S/77.36

Presupuesto

Min.: 25
Mult.: 25

MOSFETs

Through Hole

TO-264-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1KV 10A

IXFH10N100
IXYS
1: S/66.18
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH10N100

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH10N100

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1KV 10A

Hoja de datos

No en existencias

S/66.18

S/51.21

S/44.25

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 11 Amps 800V

IXFH11N80
IXYS
30: S/29.89
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH11N80

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH11N80

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 11 Amps 800V

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

S/29.89

Min.: 30
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1KV 12A

IXFH12N100
IXYS
300: S/43.95
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH12N100

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH12N100

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1KV 12A

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

S/43.95

Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12 Amps 1200V 1.3 Rds

IXFH12N120
IXYS
30: S/61.88
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH12N120

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH12N120

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12 Amps 1200V 1.3 Rds

Hoja de datos

No en existencias

S/61.88

S/53.49

Presupuesto

Min.: 30
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 900V 12A

IXFH12N90
IXYS
60: S/53.92
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH12N90

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH12N90

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 900V 12A

Hoja de datos

No en existencias

S/53.92

S/46.61

Presupuesto

Min.: 60
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 13 Amps 1000V 0.9 Rds

IXFH13N100
IXYS
30: S/58.09
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH13N100

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH13N100

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 13 Amps 1000V 0.9 Rds

Hoja de datos

No en existencias

S/58.09

S/50.22

Presupuesto

Min.: 30
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V 13A

IXFH13N80
IXYS
300: S/34.92
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH13N80

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH13N80

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V 13A

Hoja de datos

No en existencias

S/34.92

S/33.07

S/30.87

Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 13 Amps 800V 0.8 Rds

IXFH13N80Q
IXYS
30: S/40.42
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH13N80Q

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH13N80Q

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 13 Amps 800V 0.8 Rds

Hoja de datos

No en existencias

S/40.42

S/34.92

S/33.07

S/30.87

Min.: 30
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 13 Amps 900V 0.8 Rds

IXFH13N90
IXYS
30: S/46.61
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH13N90

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH13N90

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 13 Amps 900V 0.8 Rds

Hoja de datos

No en existencias

S/46.61

S/40.29

S/38.14

S/35.60

Min.: 30
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 14 Amps 800V 0.7 Rds

IXFH14N80
IXYS
30: S/47.52
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH14N80

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH14N80

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 14 Amps 800V 0.7 Rds

Hoja de datos

No en existencias

S/47.52

S/41.02

S/38.87

S/36.29

Min.: 30
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 15 Amps 600V

IXFH15N60
IXYS
30: S/29.89
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH15N60

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH15N60

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 15 Amps 600V

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

S/29.89

Min.: 30
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V 15A

IXFH15N80
IXYS
30: S/42.70
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH15N80

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH15N80

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V 15A

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

S/42.70

S/35.56

S/29.58

Min.: 30
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 20A

IXFH20N60
IXYS
300: S/52.93
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH20N60

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH20N60

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 20A

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

S/52.93

Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 21A

IXFH21N50
IXYS
90: S/30.57
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH21N50

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH21N50

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 21A

Hoja de datos

No en existencias

S/30.57

S/25.46

S/22.66

S/21.16

Min.: 90
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 24A

IXFH24N50
IXYS
300: S/24.34
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH24N50

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH24N50

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 24A

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

S/24.34

Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIODE Id26 BVdass500

IXFH26N50
IXYS
300: S/22.40
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH26N50

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH26N50

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIODE Id26 BVdass500

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

S/22.40

Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30 Amps 400V 0.16 Rds

IXFH30N40Q
IXYS
30: S/33.76
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH30N40Q

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH30N40Q

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30 Amps 400V 0.16 Rds

Hoja de datos

No en existencias

S/33.76

S/28.12

S/25.03

S/23.39

Min.: 30
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30 Amps 600V 0.23 Rds

IXFH30N60Q
IXYS
30: S/44.25
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH30N60Q

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH30N60Q

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30 Amps 600V 0.23 Rds

Hoja de datos

No en existencias

S/44.25

S/36.81

S/32.81

S/30.62

Min.: 30
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 36 Amps 550V 0.16 Rds

IXFH36N55Q
IXYS
30: S/49.19
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH36N55Q

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH36N55Q

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 36 Amps 550V 0.16 Rds

Hoja de datos

No en existencias

S/49.19

S/42.48

Min.: 30
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 36 Amps 550V 0.16 Rds

IXFH36N55Q2
IXYS
30: S/62.31
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH36N55Q2

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH36N55Q2

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 36 Amps 550V 0.16 Rds

Hoja de datos

No en existencias

S/62.31

S/53.84

Presupuesto

Min.: 30
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 300V 40A

IXFH40N30
IXYS
300: S/83.46
Plazo de entrega no en existencias 29 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH40N30

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH40N30

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 300V 40A

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 29 Semanas

S/83.46

Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 42 Amps 200V

IXFH42N20
IXYS
300: S/32.90
Plazo de entrega no en existencias 29 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH42N20

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH42N20

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 42 Amps 200V

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 29 Semanas

S/32.90

Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIODE Id50 BVdass200

IXFH50N20
IXYS
300: S/59.04
Plazo de entrega no en existencias 29 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH50N20

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH50N20

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIODE Id50 BVdass200

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 29 Semanas

S/59.04

Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V 58A

IXFH58N20
IXYS
300: S/45.15
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH58N20

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH58N20

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V 58A

Hoja de datos

No en existencias

S/45.15

Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

HyperFET Semiconductores discretos

Tipos de Semiconductores discretos

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte