.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

STMicroelectronics Semiconductores discretos

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

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N.° de pieza

Diodos Schottky de SiC Automotive 650 V, 30A High surge Silicon Carbide power Schottky diode

STPSC30G065WLY
STMicroelectronics
1: S/ 32.04
574En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
STPSC30G065WLY

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511-STPSC30G065WLY

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STMicroelectronics

Diodos Schottky de SiC Automotive 650 V, 30A High surge Silicon Carbide power Schottky diode

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S/ 32.04

S/ 20.73

S/ 17.46

S/ 17.29

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SiC Schottky Diodes

Rectificadores Rad-Hard 2x30 A - 200 V Ultrafast Rectifier in SMD1 package - Engineering model

STTH60200CSA1
STMicroelectronics
1: S/ 2,027.15
18En existencias
Nuevo producto

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STTH60200CSA1

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511-STTH60200CSA1

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STMicroelectronics

Rectificadores Rad-Hard 2x30 A - 200 V Ultrafast Rectifier in SMD1 package - Engineering model

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S/ 2,027.15

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Rectifiers

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS Automotive dual-line unidirectional 16 V ESD protection in SOT323

ESDA18WY
STMicroelectronics
1: S/ 1.72
11,766En existencias
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ESDA18WY

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511-ESDA18WY

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STMicroelectronics

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS Automotive dual-line unidirectional 16 V ESD protection in SOT323

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S/ 1.72

S/ 1.08

S/ 0.662

S/ 0.503

Envase tipo carrete

S/ 0.37

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: 3,000

SOT-323-3

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS Automotive dual-line unidirectional ESD protection

ESDA5WY
STMicroelectronics
1: S/ 1.89
27,160En existencias
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ESDA5WY

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511-ESDA5WY

Nuevo producto

STMicroelectronics

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS Automotive dual-line unidirectional ESD protection

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S/ 1.89

S/ 1.32

S/ 0.645

S/ 0.538

Envase tipo carrete

S/ 0.323

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: 3,000

SOT-323-3

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package

SCT040TO65G3
STMicroelectronics
1: S/ 41.11
37En existencias
Nuevo producto

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SCT040TO65G3

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511-SCT040TO65G3

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STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package

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S/ 41.11

S/ 31.05

S/ 23.05

S/ 21.50

Envase tipo carrete

S/ 21.50

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: 1,800

SiC MOSFETS

SiC

SMD/SMT

TOLL-8

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.0 Ohm typ., 5 A MDmesh K6 Power MOSFET

STF80N1K1K6
STMicroelectronics
1: S/ 10.36
1,003En existencias
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STF80N1K1K6

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511-STF80N1K1K6

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STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.0 Ohm typ., 5 A MDmesh K6 Power MOSFET

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S/ 10.36

S/ 5.07

S/ 4.52

S/ 3.63

S/ 3.33

Min.: 1
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MOSFETs

Through Hole

TO-220FP-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 515 mOhm typ., 7 A MDmesh K6 Power MOSFET

STF80N600K6
STMicroelectronics
1: S/ 13.80
1,043En existencias
Nuevo producto

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STF80N600K6

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511-STF80N600K6

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STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 515 mOhm typ., 7 A MDmesh K6 Power MOSFET

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S/ 13.80

S/ 6.92

S/ 6.79

S/ 5.68

S/ 4.99

Min.: 1
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MOSFETs

Through Hole

TO-220FP-3

IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 30 A low-loss M series IGBT

STGHU30M65DF2AG
STMicroelectronics
1: S/ 19.05
540En existencias
600En pedido
Nuevo producto

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STGHU30M65DF2AG

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511-STGHU30M65DF2AG

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IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 30 A low-loss M series IGBT

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S/ 19.05

S/ 12.64

S/ 8.94

Envase tipo carrete

S/ 7.70

MouseReel Disponible

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: 600

IGBTs

SMD/SMT

HU3PAK-7

IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 30 A low-loss M series IGBT

STGWA30M65DF2AG
STMicroelectronics
1: S/ 18.02
766En existencias
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STGWA30M65DF2AG

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511-STGWA30M65DF2AG

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STMicroelectronics

IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 30 A low-loss M series IGBT

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S/ 18.02

S/ 12.13

S/ 8.99

S/ 8.00

S/ 7.10

Min.: 1
Mult.: 1

IGBTs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel 40 V, 0.48 mOhm max., 672 A STripFET F8 Power MOSFET

STK615N4F8AG
STMicroelectronics
1: S/ 20.77
496En existencias
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STK615N4F8AG

N.º de artículo de Mouser
511-STK615N4F8AG

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STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel 40 V, 0.48 mOhm max., 672 A STripFET F8 Power MOSFET

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S/ 20.77

S/ 13.80

S/ 9.80

S/ 9.25

S/ 8.73

Envase tipo carrete

S/ 8.60

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

MOSFETs

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel logic level 60 V, 2.5 mOhm max., 160 A, STripFET F7 Power MOSFET

STL160N6LF7
STMicroelectronics
1: S/ 9.03
910En existencias
Nuevo producto

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STL160N6LF7

N.º de artículo de Mouser
511-STL160N6LF7

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel logic level 60 V, 2.5 mOhm max., 160 A, STripFET F7 Power MOSFET

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S/ 9.03

S/ 5.76

S/ 3.90

S/ 3.10

S/ 2.89

Envase tipo carrete

S/ 2.75

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

MOSFETs

Diodos Schottky de SiC 650 V, 20A High surge Silicon Carbide power Schottky diode

STPSC20G065WL
STMicroelectronics
1: S/ 24.30
585En existencias
600En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
STPSC20G065WL

N.º de artículo de Mouser
511-STPSC20G065WL

Nuevo producto

STMicroelectronics

Diodos Schottky de SiC 650 V, 20A High surge Silicon Carbide power Schottky diode

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585En existencias

600En pedido

S/ 24.30

S/ 15.14

S/ 10.62

S/ 9.50

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SiC Schottky Diodes

Through Hole

DO-247-2

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 1 Ohm 9A Zener 5 Power

STI6N95K5
STMicroelectronics
1: S/ 10.92
722En existencias
Verificar estado con la fábrica

N.º de artículo del Fabricante
STI6N95K5

N.º de artículo de Mouser
511-STI6N95K5

Verificar estado con la fábrica

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 1 Ohm 9A Zener 5 Power

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722En existencias

S/ 10.92

S/ 4.52

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Rectificadores y diodos Schottky Automotive 30V, dual 3A Power Schottky Rectifier

STPS630CSFY
STMicroelectronics
1: S/ 2.75
4,059En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STPS630CSFY

N.º de artículo de Mouser
511-STPS630CSFY

STMicroelectronics

Rectificadores y diodos Schottky Automotive 30V, dual 3A Power Schottky Rectifier

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Cinta cortada

S/ 2.75

S/ 2.33

S/ 1.82

S/ 1.41

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Envase tipo carrete

S/ 1.03

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 6,000

Schottky Diodes & Rectifiers

SMD/SMT

TO-277A

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea

STWA75N60DM6
STMicroelectronics
1: S/ 44.16
185En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STWA75N60DM6

N.º de artículo de Mouser
511-STWA75N60DM6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea

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185En existencias

S/ 44.16

S/ 30.92

S/ 23.95

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

SCR 80 A 1200 V High Temperature SCR Thyristor

TN8050H-12PI
STMicroelectronics
1: S/ 24.94
594En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TN8050H-12PI

N.º de artículo de Mouser
511-TN8050H-12PI

STMicroelectronics

SCR 80 A 1200 V High Temperature SCR Thyristor

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594En existencias

S/ 24.94

S/ 19.95

S/ 16.13

S/ 12.69

Min.: 1
Mult.: 1

SCRs

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP pa

STF25N60M2-EP
STMicroelectronics
1: S/ 14.45
841En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF25N60M2-EP

N.º de artículo de Mouser
511-STF25N60M2-EP

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP pa

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841En existencias

S/ 14.45

S/ 7.87

S/ 7.14

S/ 5.81

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 1.7 Ohm 3.8A SuperMESH 3

STF4N62K3
STMicroelectronics
1: S/ 12.69
963En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF4N62K3

N.º de artículo de Mouser
511-STF4N62K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 1.7 Ohm 3.8A SuperMESH 3

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963En existencias

S/ 12.69

S/ 4.69

S/ 4.52

S/ 4.39

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

IGBTs 30A 600V Fast IGBT 5kHz 1.9 VCE

STGWF30NC60S
STMicroelectronics
1: S/ 21.72
457En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGWF30NC60S

N.º de artículo de Mouser
511-STGWF30NC60S

STMicroelectronics

IGBTs 30A 600V Fast IGBT 5kHz 1.9 VCE

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457En existencias

S/ 21.72

S/ 14.41

S/ 8.99

Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors

Through Hole

TO-3PF

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 1.4 Ohm typ 3.5 A MDmesh M6 Power MOSFET in an IPAK package

STU3N65M6
STMicroelectronics
1: S/ 7.96
2,440En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
STU3N65M6

N.º de artículo de Mouser
511-STU3N65M6

NRND

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 1.4 Ohm typ 3.5 A MDmesh M6 Power MOSFET in an IPAK package

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2,440En existencias

S/ 7.96

S/ 5.07

S/ 3.36

S/ 2.75

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Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-251-3

Rectificadores y diodos Schottky Aerospace 45 V power Schottky rectifier - Engineering model

1N5819UB1
STMicroelectronics
1: S/ 301.69
72En existencias

N.º de artículo del Fabricante
1N5819UB1

N.º de artículo de Mouser
511-1N5819UB1

STMicroelectronics

Rectificadores y diodos Schottky Aerospace 45 V power Schottky rectifier - Engineering model

Hoja de datos

72En existencias

S/ 301.69

S/ 261.74

Min.: 1
Mult.: 1

Schottky Diodes & Rectifiers

SMD/SMT

LCC-2B

Rectificadores y diodos Schottky Aerospace 40 V 3 A power Schottky rectifier - Engineering model

1N5822UB1
STMicroelectronics
1: S/ 514.07
155En existencias
18En pedido

N.º de artículo del Fabricante
1N5822UB1

N.º de artículo de Mouser
511-1N5822UB1

STMicroelectronics

Rectificadores y diodos Schottky Aerospace 40 V 3 A power Schottky rectifier - Engineering model

Hoja de datos

155En existencias

18En pedido

S/ 514.07

S/ 427.64

S/ 389.45

Min.: 1
Mult.: 1

Schottky Diodes & Rectifiers

SMD/SMT

LCC-2B

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Rad-Hard 50 V, 0.8 A NPN transistor - Engineering model

2N2222AUB1
STMicroelectronics
1: S/ 398.09
144En existencias

N.º de artículo del Fabricante
2N2222AUB1

N.º de artículo de Mouser
511-2N2222AUB1

STMicroelectronics

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Rad-Hard 50 V, 0.8 A NPN transistor - Engineering model

Hoja de datos

144En existencias

S/ 398.09

S/ 373.89

S/ 324.09

Min.: 1
Mult.: 1

BJTs - Bipolar Transistors

SMD/SMT

UB-4

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Rad-Hard 60 V, 0.6 A PNP transistor - Engineering model

2N2907AUB1
STMicroelectronics
1: S/ 480.05
21En existencias

N.º de artículo del Fabricante
2N2907AUB1

N.º de artículo de Mouser
511-2N2907AUB1

STMicroelectronics

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Rad-Hard 60 V, 0.6 A PNP transistor - Engineering model

Hoja de datos

21En existencias

S/ 480.05

S/ 405.36

Min.: 1
Mult.: 1

BJTs - Bipolar Transistors

SMD/SMT

UB-4

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Rad-Hard 80 V, 5 A NPN transistor - Engineering model

2N5154S1
STMicroelectronics
1: S/ 1,007.19
27En existencias

N.º de artículo del Fabricante
2N5154S1

N.º de artículo de Mouser
511-2N5154S1

STMicroelectronics

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Rad-Hard 80 V, 5 A NPN transistor - Engineering model

Hoja de datos

27En existencias

S/ 1,007.19

S/ 848.82

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

BJTs - Bipolar Transistors

SMD/SMT

SMD.5

STMicroelectronics Semiconductores discretos

Tipos de Semiconductores discretos

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

BJTs - Bipolar Transistors
Bridge Rectifiers
Darlington Transistors
Diacs
Digital Transistors
Diodes - General Purpose, Power, Switching
GaN FETs
IGBT Modules
IGBT Transistors
IGBTs
Intelligent Power Modules - IPMs
MOSFET Modules
MOSFETs
RF Bipolar Transistors
RF MOSFET Transistors
Rectifiers
SCRs
Schottky Diodes & Rectifiers
SiC MOSFETS
SiC Schottky Diodes

0201 (0603 metric)
0603 (1610 metric)
1610 (4027 metric)
56.7 mm x 48 mm
A2-3
ACEPACK
ACEPACK DMT-32
ACEPACK SMIT-9
ACEPACK-1
ACEPACK-1-35
ACEPACK-2-35
ACEPACK-5
ACEPACK-9
ACEPACK1
ACEPACK2
B2-3
B4E-5
Case DR-91
D-PAK
D2-PAK