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STMicroelectronics Semiconductores discretos

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Tipos de Semiconductores discretos

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Resultados: 4,072

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N.° de pieza

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 600 W 4kW Transil 6V to 70V Uni

SM6T12AY
STMicroelectronics
1: S/4.82
4,830En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SM6T12AY

N.º de artículo de Mouser
511-SM6T12AY

STMicroelectronics

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 600 W 4kW Transil 6V to 70V Uni

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Hoja de datos

4,830En existencias

Cinta cortada

S/4.82

S/3.01

S/1.97

S/1.53

Envase tipo carrete

S/1.10

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMB (DO-214AA)

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 600W 4kW Transil SMA 5V to 70V Uni

SMA6T7V6AY
STMicroelectronics
1: S/5.16
4,199En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SMA6T7V6AY

N.º de artículo de Mouser
511-SMA6T7V6AY

STMicroelectronics

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 600W 4kW Transil SMA 5V to 70V Uni

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Hoja de datos

4,199En existencias

Cinta cortada

S/5.16

S/3.22

S/2.11

S/1.63

Envase tipo carrete

S/1.05

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMA (DO-214AC)

IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed

STGF5H60DF
STMicroelectronics
1: S/6.97
2,258En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGF5H60DF

N.º de artículo de Mouser
511-STGF5H60DF

STMicroelectronics

IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed

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Hoja de datos

2,258En existencias

S/6.97

S/3.33

S/2.95

S/2.34

S/1.92

Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors

Through Hole

TO-220FP-3

SCR 1.25A SENSITIVE GATE SCR

X0203MA 1BA2
STMicroelectronics
1: S/2.62
6,469En existencias

N.º de artículo del Fabricante
X0203MA 1BA2

N.º de artículo de Mouser
511-X0203MA-1BA2

STMicroelectronics

SCR 1.25A SENSITIVE GATE SCR

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Hoja de datos

6,469En existencias

S/2.62

S/1.61

S/1.03

S/0.778

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

SCRs

Through Hole

TO-92-3 (TO-226-3)

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm (typ., TJ = 25 C) in an HiP24

SCTW90N65G2V
STMicroelectronics
1: S/108.40
45En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCTW90N65G2V

N.º de artículo de Mouser
511-SCTW90N65G2V

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm (typ., TJ = 25 C) in an HiP24

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45En existencias

Más información disponible

S/108.40

S/98.51

S/86.99

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS

SiC

Through Hole

HiP-247-3

IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 pac

STGW50H65DFB2-4
STMicroelectronics
1: S/22.79
564En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGW50H65DFB2-4

N.º de artículo de Mouser
511-STGW50H65DFB2-4

STMicroelectronics

IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 pac

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Hoja de datos

564En existencias

S/22.79

S/12.90

S/9.72

Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors

Through Hole

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 400 W 2.3kW Transil 5V to 70V Uni

SM4T82AY
STMicroelectronics
1: S/2.75
3,854En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SM4T82AY

N.º de artículo de Mouser
511-SM4T82AY

STMicroelectronics

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 400 W 2.3kW Transil 5V to 70V Uni

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3,854En existencias

Cinta cortada

S/2.75

S/2.06

S/1.26

S/0.972

S/0.787

Envase tipo carrete

S/0.778

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMA (DO-214AC)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.28Ohm 11A Mdmesh II I2PAK

STI13NM60N
STMicroelectronics
1: S/11.61
913En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STI13NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STI13NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.28Ohm 11A Mdmesh II I2PAK

Hoja de datos

913En existencias

S/11.61

S/7.44

S/5.07

S/4.21

S/3.65

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-262-3

GaN FETs 700 V, 270 mOhm typ., 6 A, e-mode PowerGaN transistor

SGT350R70GTK
STMicroelectronics
1: S/7.27
677En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SGT350R70GTK

N.º de artículo de Mouser
511-SGT350R70GTK

Nuevo producto

STMicroelectronics

GaN FETs 700 V, 270 mOhm typ., 6 A, e-mode PowerGaN transistor

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Hoja de datos

677En existencias

Cinta cortada

S/7.27

S/4.86

S/4.06

S/3.90

Envase tipo carrete

S/3.64

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

GaN FETs

GaN

SMD/SMT

DPAK-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 51 mOhm typ., 39 A MDmesh DM9 Power MOSFET

ST8L60N065DM9
STMicroelectronics
1: S/27.86
230En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ST8L60N065DM9

N.º de artículo de Mouser
511-ST8L60N065DM9

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 51 mOhm typ., 39 A MDmesh DM9 Power MOSFET

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Hoja de datos

230En existencias

Cinta cortada

S/27.86

S/19.09

S/13.98

Envase tipo carrete

S/13.20

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-5

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 36 mOhm typ., 58 A MDmesh M9 Power MOSFET

ST8L65N044M9
STMicroelectronics
1: S/33.11
222En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ST8L65N044M9

N.º de artículo de Mouser
511-ST8L65N044M9

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 36 mOhm typ., 58 A MDmesh M9 Power MOSFET

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Hoja de datos

222En existencias

Cinta cortada

S/33.11

S/22.58

S/17.24

Envase tipo carrete

S/16.30

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-5

Diodos Schottky de SiC 650 V, 10A High surge Silicon Carbide power Schottky diode

STPSC10G065D
STMicroelectronics
1: S/13.24
940En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
STPSC10G065D

N.º de artículo de Mouser
511-STPSC10G065D

Nuevo producto

STMicroelectronics

Diodos Schottky de SiC 650 V, 10A High surge Silicon Carbide power Schottky diode

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Hoja de datos

940En existencias

S/13.24

S/6.62

S/5.98

S/4.82

S/4.69

Min.: 1
Mult.: 1

SiC Schottky Diodes

Through Hole

TO-220AC-2

Diodos Schottky de SiC 650 V, 12A High surge Silicon Carbide power Schottky diode

STPSC12G065D
STMicroelectronics
1: S/15.14
1,000En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
STPSC12G065D

N.º de artículo de Mouser
511-STPSC12G065D

Nuevo producto

STMicroelectronics

Diodos Schottky de SiC 650 V, 12A High surge Silicon Carbide power Schottky diode

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Hoja de datos

1,000En existencias

S/15.14

S/7.65

S/6.92

S/5.63

S/5.59

Min.: 1
Mult.: 1

SiC Schottky Diodes

Diodos Schottky de SiC 650 V, 4A power Schottky High Surge silicon carbide diode

STPSC4G065UF
STMicroelectronics
1: S/9.80
2,061En existencias
5,000En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
STPSC4G065UF

N.º de artículo de Mouser
511-STPSC4G065UF

Nuevo producto

STMicroelectronics

Diodos Schottky de SiC 650 V, 4A power Schottky High Surge silicon carbide diode

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Hoja de datos

2,061En existencias

5,000En pedido

Cinta cortada

S/9.80

S/6.28

S/4.34

S/3.67

Ver

Envase tipo carrete

S/2.92

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SiC Schottky Diodes

SMD/SMT

SMBF-2

Diodos Schottky de SiC 650 V, 8A High surge Silicon Carbide power Schottky diode

STPSC8G065D
STMicroelectronics
1: S/11.65
1,000En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
STPSC8G065D

N.º de artículo de Mouser
511-STPSC8G065D

Nuevo producto

STMicroelectronics

Diodos Schottky de SiC 650 V, 8A High surge Silicon Carbide power Schottky diode

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Hoja de datos

1,000En existencias

S/11.65

S/5.76

S/5.20

S/4.16

S/3.92

Min.: 1
Mult.: 1

SiC Schottky Diodes

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET

STF80N240K6
STMicroelectronics
1: S/25.54
1,017En existencias
1,000En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
STF80N240K6

N.º de artículo de Mouser
511-STF80N240K6

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET

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Hoja de datos

1,017En existencias

1,000En pedido

S/25.54

S/19.31

S/15.57

S/13.85

S/12.26

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220FP-3

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 400 W, 50 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor

RF5L08350CB4
STMicroelectronics
1: S/741.75
110En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
RF5L08350CB4

N.º de artículo de Mouser
511-RF5L08350CB4

NRND

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 400 W, 50 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor

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Hoja de datos

110En existencias

Cinta cortada

S/741.75

S/629.86

Envase tipo carrete

S/597.06

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 120

RF MOSFET Transistors

SMD/SMT

B4E-5

Rectificadores y diodos Schottky Pwr Schottky 2X20A 120V 0.46VF

STPS40SM120CTN
STMicroelectronics
1: S/17.50
994En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
STPS40SM120CTN

N.º de artículo de Mouser
511-STPS40SM120CTN

NRND

STMicroelectronics

Rectificadores y diodos Schottky Pwr Schottky 2X20A 120V 0.46VF

Hoja de datos

994En existencias

S/17.50

S/11.48

S/8.60

S/7.78

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Schottky Diodes & Rectifiers

Through Hole

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP ultra na

STFU28N65M2
STMicroelectronics
1: S/16.60
1,634En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STFU28N65M2

N.º de artículo de Mouser
511-STFU28N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP ultra na

Hoja de datos

1,634En existencias

S/16.60

S/7.65

S/7.10

S/6.41

S/6.36

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 400 Volt 5.4 A Zener SuperMESH

STP7NK40Z
STMicroelectronics
1: S/10.06
2,316En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP7NK40Z

N.º de artículo de Mouser
511-STP7NK40Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 400 Volt 5.4 A Zener SuperMESH

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Hoja de datos

2,316En existencias

S/10.06

S/3.64

S/3.43

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 5000 W, 100 V TVS in SMC

SMC50J100A
STMicroelectronics
1: S/5.38
2,374En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SMC50J100A

N.º de artículo de Mouser
511-SMC50J100A

STMicroelectronics

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 5000 W, 100 V TVS in SMC

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Hoja de datos

2,374En existencias

Cinta cortada

S/5.38

S/4.43

S/3.43

S/3.38

Envase tipo carrete

S/2.79

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMC (DO-214AB)

Triacs Sensitive 6 A High Temperature

T610H-6T
STMicroelectronics
1: S/6.02
718En existencias

N.º de artículo del Fabricante
T610H-6T

N.º de artículo de Mouser
511-T610H-6T

STMicroelectronics

Triacs Sensitive 6 A High Temperature

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Hoja de datos

718En existencias

S/6.02

S/3.79

S/2.52

S/2.03

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Triacs

Through Hole

TO-220-3

Módulos MOSFET ACEPACK 2 power module triple boost 650V 49 mOhm half-bridge 23.5mOhm SiC MOSFET

A2TBH45M65W3-FC
STMicroelectronics
1: S/340.73
36En existencias
18En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
A2TBH45M65W3-FC

N.º de artículo de Mouser
511-A2TBH45M65W3-FC

Nuevo producto

STMicroelectronics

Módulos MOSFET ACEPACK 2 power module triple boost 650V 49 mOhm half-bridge 23.5mOhm SiC MOSFET

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Hoja de datos

36En existencias

18En pedido

S/340.73

S/307.15

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFET Modules

Press Fit

ACEPACK

Módulos MOSFET ACEPACK 2 power module, 3-level topology, SiC Power MOSFETs 750 & 1200V 100 A

A2U8M12W3-FC
STMicroelectronics
1: S/904.63
18En existencias
18En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
A2U8M12W3-FC

N.º de artículo de Mouser
511-A2U8M12W3-FC

Nuevo producto

STMicroelectronics

Módulos MOSFET ACEPACK 2 power module, 3-level topology, SiC Power MOSFETs 750 & 1200V 100 A

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Hoja de datos

18En existencias

18En pedido

S/904.63

S/774.04

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFET Modules

SiC

Press Fit

56.7 mm x 48 mm

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS Automotive dual-line unidirectional 12 V ESD protection in SOT323

ESDA14WY
STMicroelectronics
1: S/1.72
33,675En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ESDA14WY

N.º de artículo de Mouser
511-ESDA14WY

Nuevo producto

STMicroelectronics

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS Automotive dual-line unidirectional 12 V ESD protection in SOT323

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33,675En existencias

Cinta cortada

S/1.72

S/1.13

S/0.662

S/0.503

Envase tipo carrete

S/0.37

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SOT-323-3

STMicroelectronics Semiconductores discretos

Tipos de Semiconductores discretos

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

BJTs - Bipolar Transistors
Bridge Rectifiers
Darlington Transistors
Diacs
Digital Transistors
Diodes - General Purpose, Power, Switching
GaN FETs
IGBT Modules
IGBT Transistors
IGBTs
Intelligent Power Modules - IPMs
MOSFET Modules
MOSFETs
RF Bipolar Transistors
RF MOSFET Transistors
Rectifiers
SCRs
Schottky Diodes & Rectifiers
SiC MOSFETS
SiC Schottky Diodes

0201 (0603 metric)
0603 (1610 metric)
1610 (4027 metric)
56.7 mm x 48 mm
A2-3
ACEPACK
ACEPACK DMT-32
ACEPACK SMIT-9
ACEPACK-1
ACEPACK-1-35
ACEPACK-2-35
ACEPACK-5
ACEPACK-9
ACEPACK1
ACEPACK2
B2-3
B4E-5
Case DR-91
D-PAK
D2-PAK