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STMicroelectronics Semiconductores discretos

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Tipos de Semiconductores discretos

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N.° de pieza

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 5000 W, 6.5 V TVS in SMC

SMC50J6.5A
STMicroelectronics
1: S/6.97
2,102En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SMC50J6.5A

N.º de artículo de Mouser
511-SMC50J6.5A

STMicroelectronics

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 5000 W, 6.5 V TVS in SMC

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2,102En existencias

Cinta cortada

S/6.97

S/5.03

S/3.55

S/3.02

Envase tipo carrete

S/2.44

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMC (DO-214AB)

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 1500W 6.0V Unidirect

SMCJ6.0A-TR
STMicroelectronics
1: S/2.84
3,543En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SMCJ6.0A-TR

N.º de artículo de Mouser
511-SMCJ6.0A-TR

STMicroelectronics

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 1500W 6.0V Unidirect

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3,543En existencias

Cinta cortada

S/2.84

S/2.40

S/1.67

S/1.33

S/1.22

Envase tipo carrete

S/0.972

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMC (DO-214AB)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.092Ohm 29A MDMesh II MOS

STB34NM60N
STMicroelectronics
1: S/45.37
970En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB34NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STB34NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.092Ohm 29A MDMesh II MOS

Hoja de datos

970En existencias

Cinta cortada

S/45.37

S/31.65

S/26.32

S/26.27

Envase tipo carrete

S/24.60

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 450V-4.1ohms 1.5A

STD2NC45-1
STMicroelectronics
1: S/2.11
5,369En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD2NC45-1

N.º de artículo de Mouser
511-STD2NC45-1

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 450V-4.1ohms 1.5A

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Hoja de datos

5,369En existencias

S/2.11

S/2.07

S/2.06

S/1.83

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-251-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 525 V 4.4 A SuperMESH3

STD5N52K3
STMicroelectronics
1: S/8.04
1,401En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD5N52K3

N.º de artículo de Mouser
511-STD5N52K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 525 V 4.4 A SuperMESH3

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1,401En existencias

Cinta cortada

S/8.04

S/5.12

S/3.45

S/2.73

S/2.53

Envase tipo carrete

S/2.33

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 500V

STF11NM50N
STMicroelectronics
1: S/8.00
808En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF11NM50N

N.º de artículo de Mouser
511-STF11NM50N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 500V

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808En existencias

S/8.00

S/6.49

S/6.24

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package

STF12N60M2
STMicroelectronics
1: S/8.30
2,071En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF12N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STF12N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package

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Hoja de datos

2,071En existencias

S/8.30

S/3.99

S/3.55

S/2.83

S/2.31

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220FP packag

STF24N60DM2
STMicroelectronics
1: S/14.06
1,166En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF24N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STF24N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220FP packag

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1,166En existencias

S/14.06

S/7.65

S/6.75

S/5.93

S/5.25

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.135Ohm typ. 22A MDmesh M2

STF28N60M2
STMicroelectronics
1: S/15.74
782En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF28N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STF28N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.135Ohm typ. 22A MDmesh M2

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782En existencias

S/15.74

S/7.70

S/7.05

S/6.32

S/6.06

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2

STF9N60M2
STMicroelectronics
1: S/8.51
1,816En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF9N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STF9N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2

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Hoja de datos

1,816En existencias

S/8.51

S/3.83

S/3.01

S/2.66

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

IGBTs 2A 6V SHORT CIRCUIT RUGGED IGBT

STGF19NC60KD
STMicroelectronics
1: S/10.15
Plazo de entrega 14 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STGF19NC60KD

N.º de artículo de Mouser
511-STGF19NC60KD

STMicroelectronics

IGBTs 2A 6V SHORT CIRCUIT RUGGED IGBT

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Hoja de datos

Plazo de entrega 14 Semanas

S/10.15

S/4.95

S/4.47

S/4.07

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Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors

Through Hole

TO-220FP-3

Módulos IGBT SLLIMM 2nd series IPM, 3-phase inverter, 12 A, 600 V short-circuit rugged IGBTs

STGIB8CH60TS-L
STMicroelectronics
1: S/58.18
105En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGIB8CH60TS-L

N.º de artículo de Mouser
511-STGIB8CH60TS-L

STMicroelectronics

Módulos IGBT SLLIMM 2nd series IPM, 3-phase inverter, 12 A, 600 V short-circuit rugged IGBTs

Hoja de datos

105En existencias

S/58.18

S/40.72

S/33.58

Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Modules

Through Hole

SDIP2B-26

Módulos IGBT SLLIMM nano IPM, 3 A, 600 V, 3-phase inverter bridge IGBT

STGIPN3H60AT
STMicroelectronics
1: S/34.10
357En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGIPN3H60AT

N.º de artículo de Mouser
511-STGIPN3H60AT

STMicroelectronics

Módulos IGBT SLLIMM nano IPM, 3 A, 600 V, 3-phase inverter bridge IGBT

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Hoja de datos

357En existencias

S/34.10

S/22.45

S/17.80

S/17.20

Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Modules

Through Hole

NDIP-26

IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 15 A low loss

STGWA15M120DF3
STMicroelectronics
1: S/22.15
467En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGWA15M120DF3

N.º de artículo de Mouser
511-STGWA15M120DF3

STMicroelectronics

IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 15 A low loss

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Comentarios de Producto

467En existencias

S/22.15

S/14.71

S/11.70

S/8.39

Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.115 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8

STL33N60M2
STMicroelectronics
1: S/21.37
1,617En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL33N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STL33N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.115 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8

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1,617En existencias

Cinta cortada

S/21.37

S/20.43

S/16.00

S/14.23

S/12.17

Envase tipo carrete

S/8.39

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-8x8-5

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 14A Mosfet Mdmesh II Power

STP19NM50N
STMicroelectronics
1: S/15.82
644En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP19NM50N

N.º de artículo de Mouser
511-STP19NM50N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 14A Mosfet Mdmesh II Power

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Hoja de datos

644En existencias

S/15.82

S/10.02

S/9.46

S/8.99

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh V

STP31N65M5
STMicroelectronics
1: S/18.75
739En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP31N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STP31N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh V

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Hoja de datos

739En existencias

S/18.75

S/8.82

S/8.34

S/7.57

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Rectificadores y diodos Schottky 1A 100V HI VLTG PWR

STPS1H100MF
STMicroelectronics
1: S/1.89
15,675En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STPS1H100MF

N.º de artículo de Mouser
511-STPS1H100MF

STMicroelectronics

Rectificadores y diodos Schottky 1A 100V HI VLTG PWR

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15,675En existencias

Cinta cortada

S/1.89

S/1.16

S/0.735

S/0.55

Envase tipo carrete

S/0.335

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 12,000

Schottky Diodes & Rectifiers

SMD/SMT

DO-222AA-2

Rectificadores y diodos Schottky POWER MOSFET

STPS20120CT
STMicroelectronics
1: S/5.12
3,219En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STPS20120CT

N.º de artículo de Mouser
511-STPS20120CT

STMicroelectronics

Rectificadores y diodos Schottky POWER MOSFET

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Hoja de datos

Comentarios de Producto

3,219En existencias

S/5.12

S/1.98

S/1.60

S/1.51

S/1.50

Min.: 1
Mult.: 1

Schottky Diodes & Rectifiers

Through Hole

TO-220-3

Rectificadores y diodos Schottky 2X10 Amp 45 Volt

STPS2045CG-TR
STMicroelectronics
1: S/3.10
2,350En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STPS2045CG-TR

N.º de artículo de Mouser
511-STPS2045CG-TR

STMicroelectronics

Rectificadores y diodos Schottky 2X10 Amp 45 Volt

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2,350En existencias

Cinta cortada

S/3.10

S/2.89

S/2.71

S/2.21

Envase tipo carrete

S/1.84

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Schottky Diodes & Rectifiers

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

Rectificadores Ultrafast Recovery 6000V 12pF Diode

STTH60AC06CW
STMicroelectronics
1: S/7.18
688En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STTH60AC06CW

N.º de artículo de Mouser
511-STTH60AC06CW

STMicroelectronics

Rectificadores Ultrafast Recovery 6000V 12pF Diode

Hoja de datos

688En existencias

S/7.18

Min.: 1
Mult.: 1

Rectifiers

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 1.7 Ohm 3.8A SuperMESH 3

STU4N62K3
STMicroelectronics
1: S/8.86
2,904En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STU4N62K3

N.º de artículo de Mouser
511-STU4N62K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 1.7 Ohm 3.8A SuperMESH 3

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Hoja de datos

2,904En existencias

S/8.86

S/4.34

S/3.89

S/3.28

S/2.90

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-251-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 620V-1.1ohms 5.5A

STU6N62K3
STMicroelectronics
1: S/11.61
2,970En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STU6N62K3

N.º de artículo de Mouser
511-STU6N62K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 620V-1.1ohms 5.5A

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Hoja de datos

2,970En existencias

S/11.61

S/5.42

S/4.86

S/4.12

S/3.87

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-251-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.198 Ohm 15A MDmesh FET

STW18N65M5
STMicroelectronics
1: S/18.40
687En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW18N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STW18N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.198 Ohm 15A MDmesh FET

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Hoja de datos

687En existencias

S/18.40

S/9.42

S/7.40

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Triacs 20 A - 800 V 150Deg C

T2035H-8G
STMicroelectronics
1: S/9.68
1,639En existencias

N.º de artículo del Fabricante
T2035H-8G

N.º de artículo de Mouser
511-T2035H-8G

STMicroelectronics

Triacs 20 A - 800 V 150Deg C

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1,639En existencias

S/9.68

S/4.90

S/4.28

S/3.51

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Min.: 1
Mult.: 1

Triacs

STMicroelectronics Semiconductores discretos

Tipos de Semiconductores discretos

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

BJTs - Bipolar Transistors
Bridge Rectifiers
Darlington Transistors
Diacs
Digital Transistors
Diodes - General Purpose, Power, Switching
GaN FETs
IGBT Modules
IGBT Transistors
IGBTs
Intelligent Power Modules - IPMs
MOSFET Modules
MOSFETs
RF Bipolar Transistors
RF MOSFET Transistors
Rectifiers
SCRs
Schottky Diodes & Rectifiers
SiC MOSFETS
SiC Schottky Diodes

0201 (0603 metric)
0603 (1610 metric)
1610 (4027 metric)
56.7 mm x 48 mm
A2-3
ACEPACK
ACEPACK DMT-32
ACEPACK SMIT-9
ACEPACK-1
ACEPACK-1-35
ACEPACK-2-35
ACEPACK-5
ACEPACK-9
ACEPACK1
ACEPACK2
B2-3
B4E-5
Case DR-91
D-PAK
D2-PAK